公开(公告)号：KR101336712B1

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：KR1020110126849

申请日：2011-11-30

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 이종현 ,  류홍열 ,  하이크넬싯얀 ,  한문희 ,  이진석 ,  장보윤 ,  안영수

IPC: B82B3/00 ,  C01B33/021 ,  C01B33/033

Abstract: 본 발명은 저순도 금속급 실리콘의 전해정련시 전해질의 온도를 800℃ 미만으로 유지시키고, 전해질 내에서 실질적인 실리콘 전구체로 작용하는 실리콘 할로겐 화합물의 함량을 특정 범위로 조절하여 고순도 실리콘 나노섬유를 제조하는 방법이다. 본 발명에 따른 전해정련법에 의한 고순도 실리콘 나노섬유의 제조방법은 용융염의 유동 및 온도를 조절하여 실리콘 이온의 전달속도를 제어함으로써 음극 표면에서 실리콘 결정의 일방향 성장을 유도하고 나노미터 직경의 실리콘 섬유를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 고순도 실리콘 나노섬유의 제조방법을 사용하는 경우 순도 2N 수준의 저순도 금속급 실리콘(metallurgical Grade Silicon: 99%)으로부터 경제적이고 환경친화적인 전해정련법을 이용하여 순도가 4N(99.99%)에 가깝거나 그 이상인 고순도 실리콘을 얻을 수 있으며, 태양전지 산업 등에 저가형 고순도 실리콘 원료의 공급이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020130060664A

公开(公告)日：2013-06-10

申请号：KR1020110126849

申请日：2011-11-30

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 이종현 ,  류홍열 ,  하이크넬싯얀 ,  한문희 ,  이진석 ,  장보윤 ,  안영수

IPC: B82B3/00 ,  C01B33/021 ,  C01B33/033

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of high purity silicon nanofiber by an electrolytic refining method is provided to manufacture high purity silicon nanofiber from low purity metallurgical grade silicon by controlling contents of silicon halogen compound inside the electrolyte and temperature of the electrolyte during electrolytic refining. CONSTITUTION: A manufacturing method of high purity silicon nanofiber by an electrolytic refining method comprises the following steps: preparing an electrolytic refining device by locating anode and cathode which includes low purity metallurgical grade silicon inside an electrolyzer in which electrolyte is put; and performing electrolytic refining by passing current between the anode and cathode and depositing the nano fiber type high purity silicon to the cathode. The electrolyte comprises molten salt and silicone halogen compound. The content of the silicone halogen compound is 0.1-10 wt% based on the total weight of the electrolyte. In the electrolytic refining step, the temperature of the electrolyte is maintained as 650-750 deg. Celsius. The voltage supplied in the electrolytic refining to the cathode is -0.4 to -1.0 V based on platinum reference electrode. The electric current density in the cathode during electrolytic refining is 1-100mA/cm^2.

Abstract translation: 目的：通过电解精制法制备高纯度硅纳米纤维的制造方法，通过控制电解液内的硅卤素化合物含量和电解液中电解液的温度，从低纯度冶金级硅制造高纯硅纳米纤维。 构成：通过电解精制法制造高纯度硅纳米纤维的方法包括以下步骤：通过将包含低纯度冶金级硅的阳极和阴极放置在其中放入电解质的电解槽内来制备电解精炼装置; 并通过在阳极和阴极之间传递电流并将纳米纤维型高纯度硅沉积到阴极进行电解精炼。 电解质包括熔融盐和硅氧烷卤化合物。 硅酮卤化合物的含量相对于电解质的总重量为0.1-10重量％。 在电解精制步骤中，电解液的温度保持在650-750度。 摄氏度。 在电解精炼中向阴极供应的电压为基于铂参比电极的-0.4至-1.0V。 电解精炼期间阴极的电流密度为1-100mA / cm ^ 2。