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1.发明公开
公开(公告)号：KR1020110015216A
公开(公告)日：2011-02-15
申请号：KR1020090072824
申请日：2009-08-07
Applicant: 인하대학교 산학협력단 , 한국원자력연구원
Abstract: PURPOSE: A preparation method of V2O5 thin films is provided to simplify a process, and to improve stability and activity of electrodes using electronic beam irradiation instead of a high temperature sintering process. CONSTITUTION: A preparation method of V2O5 thin films comprises the steps of: (i) dissolving vanadium sulfate powder in a mixed solution of distilled water and ethanol to prepare an electrolyte solution; (ii) dipping the electrolyte solution on a substrate and performing electrochemical deposition to prepare a V2O5 thin film; and (iii) irradiating electronic beams to the thin film.
Abstract translation: 目的：提供V2O5薄膜的制备方法，以简化工艺，并提高使用电子束照射代替高温烧结工艺的电极的稳定性和活性。 构成：V2O5薄膜的制备方法包括以下步骤：（i）将硫酸钒粉末溶解在蒸馏水和乙醇的混合溶液中以制备电解质溶液; （ii）将电解质溶液浸渍在基材上并进行电化学沉积以制备V 2 O 5薄膜; 和（iii）将电子束照射到薄膜上。
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2.发明公开
公开(公告)号：KR1020110085152A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：KR1020100004769
申请日：2010-01-19
Applicant: 인하대학교 산학협력단 , 한국원자력연구원
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a ruthenium-dioxide film using irradiation of electronic beams and a ruthenium-dioxide film with improved energy storage capacity are provided to enhance stability and activation of electrode, crystallinity of a film, energy storage capacity and electrical performance. CONSTITUTION: A method of manufacturing a ruthenium-dioxide film is as follows. Ruthenium chloride powder is dissolved in distilled water under nitrogen atmosphere and thus electrolyte solution is manufactured. A substrate is dipped in the electrolyte solution and a ruthenium dioxide film is manufactured in an electrochemical deposition method. An electronic beam is irradiated to the film.
Abstract translation: 目的：提供使用电子束照射制备二氧化钌膜的方法和具有改善的储能能力的二氧化钌膜，以提高电极的稳定性和活化性，膜的结晶性，储能能力和电性能。 构成：二氧化钌膜的制造方法如下。 将氯化钌粉末在氮气氛下溶解于蒸馏水中，制成电解质溶液。 将基板浸渍在电解质溶液中，并且以电化学沉积方法制造二氧化钌膜。 电子束被照射到胶片上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100128695A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020090047252
申请日：2009-05-29
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B82B3/0004 , B22F2202/06 , B22F2304/054 , B82B3/0038 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A device for manufacturing nano particles is provided to easily produce nano particles by a triode-type electron beam irradiator. CONSTITUTION: A device for manufacturing nano particles comprises a triode-type electron beam irradiator(500) and an irradiation portion(20). The triode-type electron beam irradiator comprises a vacuum chamber with an irradiation window, a negative electrode with a field emission tip which is installed in the center of the vacuum chamber in a longitudinal direction, an insulation film with cavity, a gate electrode formed on the upper part of the insulation film, a voltage application portion, and a gate voltage application portion.
Abstract translation: 目的：提供用于制造纳米颗粒的装置，以通过三极管型电子束照射器容易地制备纳米颗粒。 构成：用于制造纳米颗粒的装置包括三极管型电子束照射器（500）和照射部分（20）。 三极管型电子束照射器包括具有照射窗的真空室，具有场致发射尖端的负极，其沿纵向安装在真空室的中心，具有空腔的绝缘膜，形成在 绝缘膜的上部，电压施加部分和栅极电压施加部分。
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4.发明授权
公开(公告)号：KR101122630B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020090072824
申请日：2009-08-07
Applicant: 인하대학교 산학협력단 , 한국원자력연구원
Abstract: 본발명은전자빔조사를이용한오산화바나듐박막의제조방법및 이에따라제조된에너지저장능력이향상된오산화바나듐박막에관한것으로, 더욱상세하게는황산바나듐분말을증류수와에탄올혼합용액에용해시켜전해질용액을제조하는단계(단계 1); 상기단계 1에서제조된전해질용액에기판을침지시키고, 전기화학적증착법으로오산화바나듐박막을제조하는단계(단계 2); 및상기단계 2에서제조된박막에전자빔을조사하는단계(단계 3)를포함하는오산화바나듐박막의제조방법및 이에따라제조된에너지저장능력이향상된오산화바나듐박막에관한것이다. 본발명에따른오산화바나듐박막의제조방법은고온의소성공정을대신해전자빔조사를이용하여제조방법의효율성을높이며, 상기제조방법으로제조된오산화바나듐박막은박막의결정성및 에너지저장능력이향상되므로, 촉매, 리튬 2차전지및 초고용량커패시터의전극재료등에유용하게사용될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100128427A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020090046808
申请日：2009-05-28
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: PURPOSE: A large-area electron beam irradiator including a triode-structure is provided to radiate electron beam to a wide range of area by including a vacuum chamber with a gate electrode and a ground potential in order to control the density of a current from an electric filed radiating tip. CONSTITUTION: An electron beam radiating window is formed to a longitudinal direction on one side of the circumference of a vacuum chamber(510). A cathode(520) is arranged to a longitudinal direction on the inner center part of the vacuum chamber. A gate electrode is formed on the upper side of an insulating layer. A cathode voltage applying part(540) is installed in the vacuum chamber. A gate voltage applying part(550) is installed in the vacuum chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种包括三极管结构的大面积电子束照射器，通过包括具有栅电极和接地电位的真空室，将电子束辐射到宽范围的区域，以便控制来自 电场辐射尖端。 构成：在真空室（510）的圆周的一侧上沿纵向方向形成电子束辐射窗。 阴极（520）沿真空室的中心部分的纵向布置。 在绝缘层的上侧形成栅电极。 阴极电压施加部（540）安装在真空室中。 栅极电压施加部（550）安装在真空室中。
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公开(公告)号：KR101091567B1
公开(公告)日：2011-12-13
申请号：KR1020090047252
申请日：2009-05-29
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: B82B3/00
Abstract: 본 발명은 나노입자의 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제조하고자 하는 나노입자의 적정 제조조건에 에너지와 전류 밀도 및 선량 등을 독립적으로 제어할 수 있어 나노입자를 손쉽게 제조할 수 있는 장치에 관한 것이다.
본 발명의 나노입자 제조장치는 둘레의 일측에 길이방향으로 전자빔 조사창이 형성된 진공챔버; 상기 진공챔버 내부 중심에 길이방향으로 구비되며, 상기 전자빔 조사창에 대응되는 일측에 전계방출팁이 형성된 음극; 상기 음극 상에 형성되며, 상기 전계방출팁을 표면에 노출시키는 공동이 형성된 절연막; 상기 절연막 상부에 형성된 게이트 전극; 상기 진공챔버에 구비되고, 상기 음극에 전압을 인가하는 음극 전압인가부; 및 상기 진공챔버에 구비되고, 상기 게이트 전극에 음 또는 양의 전압을 인가하는 게이트 전압인가부를 포함하는 3극형 대면적 전자빔 조사장치와 상기 전자빔 조사장치의 전자빔 조사측에 위치하는 전자빔 조사부를 포함한다.
나노입자, 전자빔, 3극형 전자빔 조사장치, 금속 나노입자-
公开(公告)号：KR101028715B1
公开(公告)日：2011-04-12
申请号：KR1020090046808
申请日：2009-05-28
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 전계방출팁을 이용한 3극형 대면적 전자빔 조사장치가 제공된다.
상기 3극형 대면적 전자빔 조사장치는 둘레의 일측에 길이방향으로 전자빔 조사창이 형성된 진공챔버; 상기 진공챔버 내부 중심에 길이방향으로 구비되며, 상기 전자빔 조사창에 대응되는 일측에 전계방출팁이 형성된 음극; 상기 음극 상에 형성되며, 상기 전계방출팁을 표면에 노출시키는 공동이 형성된 절연막; 상기 절연막 상부에 형성된 게이트 전극; 상기 진공챔버에 구비되고, 상기 음극에 전압을 인가하는 음극 전압인가부; 및 상기 진공챔버에 구비되고, 상기 게이트 전극에 음 또는 양의 전압을 인가하는 게이트 전압인가부;를 포함하여 구성된다.
이러한 3극형 대면적 전자빔 조사장치는 음극에 형성된 전계방출팁, 전계방출팁에서 방출되는 전류 밀도를 제어할 수 있는 게이트 전극 및 접지전위를 갖는 진공챔버로 구성됨으로써, 전류 밀도와 에너지가 독립적으로 제어된 전자빔이 넓은 폭으로 광범위한 영역에 조사되는 효과를 갖는다.
전자빔, 3극형, 전계방출, 게이트 전극, 접지
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