Ag 및 Sb가 도핑된 GeTe계 열전재료 및 그 제조방법
    2.
    发明公开
    Ag 및 Sb가 도핑된 GeTe계 열전재료 및 그 제조방법 有权
    GETE热电材料与AG和SB及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130092069A

    公开(公告)日:2013-08-20

    申请号:KR1020120013553

    申请日:2012-02-10

    CPC classification number: H01L35/14 H01L35/16 H01L35/18 H01L35/34

    Abstract: PURPOSE: A GeTe thermoelectric material doped with Ag and Sb and a manufacturing method thereof are provided to improve a figure of merit (ZT) by performing an Ag/Sb doping process, a rapid cooling process, and a hot press process or a discharge plasma sintering process. CONSTITUTION: Sb, Ag, Ge and Te are weighed respectively according to a composition ratio. The weighed Sb, Ag, Ge, and Te are melted in an ampoule under a vacuum condition. The molten materials are quickly cooled to manufacture an ingot. The ingot is pulverized to manufacture powder. A GeTe based thermoelectric material doped with Sb and Ag is manufactured.

    Abstract translation: 目的:提供掺杂Ag和Sb的GeTe热电材料及其制造方法,以通过进行Ag / Sb掺杂工艺,快速冷却工艺和热压工艺或放电等离子体来改善品质因数(ZT) 烧结工艺。 构成:根据组成比,分别称量Sb,Ag,Ge和Te。 称重的Sb,Ag,Ge和Te在真空条件下在安瓿中熔化。 熔融材料被快速冷却以制造锭。 将锭粉碎以制造粉末。 制造掺杂有Sb和Ag的基于GeTe的热电材料。

    Sb가 도핑된 MnTe계 열전재료 및 그 제조방법
    3.
    发明公开
    Sb가 도핑된 MnTe계 열전재료 및 그 제조방법 有权
    MNTE热电材料与SB及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130092072A

    公开(公告)日:2013-08-20

    申请号:KR1020120013559

    申请日:2012-02-10

    CPC classification number: H01L35/14 H01L35/16 H01L35/18 H01L35/34

    Abstract: PURPOSE: An MnTe thermoelectric material doped with Sb and a manufacturing method thereof are provided to improve a figure of merit (ZT) by doping MnTe with a fixed quantity of Sb. CONSTITUTION: Sb, Mn, and Te are weighed respectively according to a composition ratio. The weighed Sb, Mn, and Te are melted in an ampoule under a vacuum condition. The molten materials are quickly cooled to manufacture an ingot. The ingot is pulverized to manufacture powder. An MnTe based thermoelectric material doped with Sb is manufactured.

    Abstract translation: 目的:提供掺杂Sb的MnTe热电材料及其制造方法,通过用固定量的Sb掺杂MnTe来提高品质因数(ZT)。 构成:根据组成比,分别称量Sb,Mn,Te。 称重的Sb,Mn和Te在真空条件下在安瓿中熔化。 熔融材料被快速冷却以制造锭。 将锭粉碎以制造粉末。 制造掺杂有Sb的基于MnTe的热电材料。

    Sb가 도핑된 MnTe계 열전재료 및 그 제조방법
    4.
    发明授权
    Sb가 도핑된 MnTe계 열전재료 및 그 제조방법 有权
    掺杂Sb的MnTe热电材料及其制造方法

    公开(公告)号:KR101323321B1

    公开(公告)日:2013-10-29

    申请号:KR1020120013559

    申请日:2012-02-10

    Abstract: 본 발명은 Sb가 도핑된 Sb가 MnTe계 열전재료 및 그 제조방법에 관한 것으로, Sb가 도핑된 MnTe계 열전재료에 있어서, Mn
    1
    -
    x Sb
    x Te 화합물의 조성을 가지며, 여기서 0.01≤x≤0.2인 것을 특징으로 하는 Sb가 도핑된 MnTe계
    열전재료를 기술적 요지로 한다. 그리고 본 발명은 Sb, Mn 및 Te를 조성비에 맞게 각각 칭량하여 진공상태의 앰플에 장입하여 용융시키는 제1단계와; 상기 용융된 원료를 급냉시켜 잉곳을 제조하는 제2단계와; 상기 잉곳을 파쇄하여 Mn
    1
    -
    x Sb
    x Te(0.01≤x≤0.2) 분말을 제조하는 제3단계와; 상기 Mn
    1
    -
    x Sb
    x Te(0.01≤x≤0.2) 분말을 소결하여 열간 프레스 또는 방전 플라즈마 소결 공정 후 와이어 컷팅하여 Sb가 도핑된 MnTe계 열전재료를 제조하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 Sb가 도핑된 MnTe계 열전재료의 제조방법을 또한 기술적 요지로 한다. 이에 따라, Sb를 도핑하여 소정의 급냉 과정 및 열간 프레스 또는 방전 플라즈마 소결 과정을 거침으로써 MnTe에 Sb가 일정량 도핑되도록 하여 그 열전특성을 향상시켜 성능이 우수한 열전재료로 사용이 가능하다는 이점이 있다.

    Ag 및 Sb가 도핑된 GeTe계 열전재료 및 그 제조방법
    5.
    发明授权
    Ag 및 Sb가 도핑된 GeTe계 열전재료 및 그 제조방법 有权
    掺杂Ag和Sb的GeTe热电材料及其制造方法

    公开(公告)号:KR101323320B1

    公开(公告)日:2013-10-29

    申请号:KR1020120013553

    申请日:2012-02-10

    Abstract: 본 발명은 Ag 및 Sb가 도핑된 GeTe
    열전재료 및 그 제조방법에 관한 것으로, Sb 및 Ag가 도핑된 GeTe계 열전재료에 있어서, (Ge
    1
    -x-
    y Sb
    y Ag
    x )Te 화합물의 조성을 가지며, 여기서 0.01≤x≤0.1, 0.01≤y≤0.15 인 Ag 및 Sb가 도핑된 GeTe
    열전재료를 기술적 요지로 한다. 그리고 본 발명은 Sb, Ag, Ge 및 Te를 조성비에 맞게 각각 칭량하여 진공상태의 앰플에 장입하여 용융시키는 제1단계와; 상기 용융된 원료를 급냉시켜 잉곳을 제조하는 제2단계와; 상기 잉곳을 파쇄하여 (Ge
    1
    -x-
    y Sb
    y Ag
    x )Te(0.01≤x≤0.1, 0.01≤y≤0.15) 분말을 제조하는 제3단계와; 상기 (Ge
    1
    -x-
    y Sb
    y Ag
    x )Te(0.01≤x≤0.1, 0.01≤y≤0.15) 분말을 소결하여 열간 프레스 또는 방전 플라즈마 소결 공정 후 와이어 컷팅하여 Sb와 Ag가 도핑된 GeTe계 열전재료를 제조하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 Ag 및 Sb가 도핑된 GeTe계 열전재료의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, Ag 및 Sb를 도핑하여 소정의 급냉 과정 및 열간 프레스 또는 방전 플라즈마 소결 과정을 거침으로써 GeTe에 Ag 및 Sb가 일정량 도핑되도록 하여 그 열전특성을 향상시켜 성능이 우수한 열전재료로 사용이 가능하다는 이점이 있다.

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