公开(公告)号：KR20210027560A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020190105620A

申请日：2019-08-28

Applicant: 한국전력공사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박호석 ,  삼바지 군드 기리시 ,  이현선 ,  정민규

IPC: C01B32/194 ,  H01G11/32 ,  H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/587

CPC classification number: C01B32/194 ,  H01G11/32 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/587 ,  C01P2002/54 ,  C01P2006/40

Abstract: 본 발명은 질소-도핑된 그래핀-금속 복합체 제조방법, 이를 이용하여 제조된 질소-도핑된 그래핀-금속 복합체 및 이를 포함하는 에너지 저장 디바이스에 관한 것이다. 한 구체예에서 상기 질소-도핑된 그래핀-금속 복합체 제조방법은 산화그래핀 혼합액과 금속폼을 수열반응하여 상기 금속폼 표면에 환원된 산화그래핀(rGO) 코팅층을 형성하는 단계; 및 상기 코팅층이 형성된 금속폼을 질소도핑제를 이용하여 450~550℃에서 열처리하여 질소를 도핑하는 단계;를 포함한다.

公开(公告)号：KR20210027608A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020190106416A

申请日：2019-08-29

Applicant: 한국전력공사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박호석 ,  정민규 ,  시바쿠마 페리야사미

IPC: H01G11/30 ,  H01G11/26 ,  H01G11/84

CPC classification number: H01G11/30 ,  H01G11/26 ,  H01G11/84

Abstract: 니켈 전구체와 코발트 전구체를 포함하는 혼합물을 제1 열처리하여 니켈 전구체와 코발트 전구체의 제1 복합체를 형성하고, 상기 니켈 전구체와 코발트 전구체의 제1 복합체를 얼음 주형법 처리하여 제2 복합체를 얻고, 상기 제2 복합체를 제2 열처리하여 니켈코발트 산화물 나노시트를 제조하는 단계를 포함하는 것인, 니켈코발트 산화물 나노시트의 제조 방법, 이로부터 제조된 니켈코발트 산화물 나노시트, 및 이를 포함하는 슈퍼커패시터가 제공된다.

公开(公告)号：KR102249534B1

公开(公告)日：2021-05-12

申请号：KR1020190105620

申请日：2019-08-28

Applicant: 한국전력공사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박호석 ,  기리시삼바지군드 ,  이현선 ,  정민규

IPC: C01B32/194 ,  H01G11/32 ,  H01M4/36 ,  H01M4/587 ,  H01M4/38

Abstract: 본발명은질소-도핑된그래핀-금속복합체제조방법, 이를이용하여제조된질소-도핑된그래핀-금속복합체및 이를포함하는에너지저장디바이스에관한것이다. 한구체예에서상기질소-도핑된그래핀-금속복합체제조방법은산화그래핀혼합액과금속폼을수열반응하여상기금속폼표면에환원된산화그래핀(rGO) 코팅층을형성하는단계; 및상기코팅층이형성된금속폼을질소도핑제를이용하여 450~550℃에서열처리하여질소를도핑하는단계;를포함한다.

公开(公告)号：KR20210027560A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR20190105620

申请日：2019-08-28

Applicant: 한국전력공사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박호석 ,  기리시삼바지군드 ,  이현선 ,  정민규

IPC: C01B32/194 ,  H01G11/32 ,  H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/587

Abstract: 본발명은질소-도핑된그래핀-금속복합체제조방법, 이를이용하여제조된질소-도핑된그래핀-금속복합체및 이를포함하는에너지저장디바이스에관한것이다. 한구체예에서상기질소-도핑된그래핀-금속복합체제조방법은산화그래핀혼합액과금속폼을수열반응하여상기금속폼표면에환원된산화그래핀(rGO) 코팅층을형성하는단계; 및상기코팅층이형성된금속폼을질소도핑제를이용하여 450~550℃에서열처리하여질소를도핑하는단계;를포함한다.

公开(公告)号：KR102249313B1

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：KR1020200000123

申请日：2020-01-02

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  한림대학교 산학협력단

Inventor： 박호석 ,  신근영 ,  군드그리쉬삼바지 ,  정민규

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/36

Abstract: 본발명은무선주파수안테나구조체및 이의제조방법을제공한다. 상기무선주파수안테나구조체는기판; 및상기기판상에배치된단일층또는소수층(few-layer)의 2차원니오븀디셀레나이드(NbSe2) 박막;을포함하고, 화학적으로박리된 2차원니오븀디셀레나이드를사용함으로써서브마이크로두께에서도무선주파수안테나에대한높은반사계수를제공할수 있다.

公开(公告)号：KR102003605B1

公开(公告)日：2019-07-24

申请号：KR1020170134043

申请日：2017-10-16

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박호석 ,  유슈 ,  푸리타 ,  정민규

IPC: C01B25/00 ,  C01B32/182