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公开(公告)号：KR102224203B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020150188111A
申请日：2015-12-29
Applicant: 한국전자기술연구원
Inventor： 유찬세
Abstract: 메탈 패키지 내부에 임피던스 정합회로를 구현하는 IMFET(Internal Matched FET) 기술을 적용하여 소형화되고 광대역 특성이 확보된 Class-J 전력증폭기가 제공된다. 본 발명에 따른 전력증폭기는 입력 신호를 증폭하는 증폭회로, 증폭회로와 함께 집적화되며, 증폭 회로에서 출력되는 2차 고조파 주파수의 임피던스 정합을 위한 제1 정합회로 및 증폭 회로에서 출력되는 동작 주파수 대역의 임피던스 정합을 위한 제2 정합회로를 포함한다.
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公开(公告)号：KR102225751B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020150187099A
申请日：2015-12-28
Applicant: 한국전자기술연구원
Inventor： 유찬세
CPC classification number: H03F1/56 , H03F1/0288 , H03F3/60 , H03F3/68
Abstract: GaN FET를 이용한 펄스드 레이더용 200W급 전력증폭기가 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 전력증폭기는, 입력 신호를 분기하는 분배회로, GaN FET들을 이용하여 분기된 입력 신호들을 증폭하는 증폭회로 및 증폭회로에서 증폭된 입력 신호들을 결합하는 결합회로를 포함한다. 이에 의해, 높은 주파수, 높은 출력, 고효율 확보 등이 용이한 GaN 반도체 소자를 적용하여 증폭기 효율을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR102224203B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020150188111
申请日：2015-12-29
Applicant: 한국전자기술연구원
Inventor： 유찬세
Abstract: 메탈패키지내부에임피던스정합회로를구현하는 IMFET(Internal Matched FET) 기술을적용하여소형화되고광대역특성이확보된 Class-J 전력증폭기가제공된다. 본발명에따른전력증폭기는입력신호를증폭하는증폭회로, 증폭회로와함께집적화되며, 증폭회로에서출력되는 2차고조파주파수의임피던스정합을위한제1 정합회로및 증폭회로에서출력되는동작주파수대역의임피던스정합을위한제2 정합회로를포함한다.
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公开(公告)号：KR102225751B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020150187099
申请日：2015-12-28
Applicant: 한국전자기술연구원
Inventor： 유찬세
Abstract: GaN FET를이용한펄스드레이더용 200W급전력증폭기가제공된다. 본발명의실시예에따른전력증폭기는, 입력신호를분기하는분배회로, GaN FET들을이용하여분기된입력신호들을증폭하는증폭회로및 증폭회로에서증폭된입력신호들을결합하는결합회로를포함한다. 이에의해, 높은주파수, 높은출력, 고효율확보등이용이한 GaN 반도체소자를적용하여증폭기효율을향상시킬수 있다.
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