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公开(公告)号：KR1020130130370A
公开(公告)日：2013-12-02
申请号：KR1020120054133
申请日：2012-05-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042
Abstract: A solar cell according to an embodiment of the present invention comprises; first and second electrodes which are provided to a substrate and face each other; a light absorption layer placed between the first and second electrodes; and a light conversion layer which converts light of short wavelength inserted towards the light absorption layer into light of long wavelength by being provided on the substrate and is processed by plasma. The light of the short wavelength is firstly inserted into the light conversion layer than the light absorption layer. An incident component of sunlight is able to be changed into a penetration component of long wavelength by the light conversion layer. A wavelength area of the penetration component is controlled by the control of plasma manufacturing process variable. The longer the wavelength becomes, the more the rate which is lost in an electrode becomes low. Therefore, the efficiency of the solar cell is increased. The light conversion layer according to the present invention is used for all kinds of solar cells.
Abstract translation: 根据本发明实施例的太阳能电池包括： 第一和第二电极，设置在基板上并彼此面对; 放置在第一和第二电极之间的光吸收层; 以及光转换层，其通过设置在基板上而将通过设置在光吸收层上的短波长的光转换成长波长的光，并通过等离子体进行处理。 首先将短波长的光插入光转换层中而不是光吸收层。 太阳光的入射成分能够通过光转换层变成长波长的穿透成分。 通过等离子体制造过程变量的控制来控制穿透部件的波长区域。 波长越长，电极损失的速率就越低。 因此，提高了太阳能电池的效率。 根据本发明的光转换层用于各种太阳能电池。
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公开(公告)号：KR1020080086335A
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：KR1020070109611
申请日：2007-10-30
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/02579 , H01L21/22 , H01L21/324
Abstract: A method of forming a p-type zinc oxide layer and a method of fabricating a semiconductor device including the same are provided to realize large area mass production by forming a dopant layer doped with a p-dopant on an n-type zinc oxide layer and diffusing the p-dopant into the zinc oxide layer. A method of forming a p-type zinc oxide layer includes the steps of: forming a dopant layer(114) doped with a p-dopant on a substrate(112); forming a first zinc oxide layer(116) on the dopant layer doped with the p-dopant; and subjecting the dopant layer and the first zinc oxide layer to a thermal treatment. The first zinc oxide layer is in contact with the dopant layer directly.
Abstract translation: 提供了形成p型氧化锌层的方法以及制造其的半导体器件的制造方法，以在n型氧化锌层上形成掺杂有p掺杂剂的掺杂剂层来实现大面积批量生产， 将p-掺杂剂扩散到氧化锌层中。 形成p型氧化锌层的方法包括以下步骤：在衬底（112）上形成掺杂有p掺杂剂的掺杂剂层（114）; 在掺杂有p掺杂剂的掺杂剂层上形成第一氧化锌层（116）; 并对掺杂剂层和第一氧化锌层进行热处理。 第一氧化锌层直接与掺杂剂层接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101296843B1
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：KR1020100030874
申请日：2010-04-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3063 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 반사율을 최소화할 수 있는 산화아연박막의 반사방지 처리방법 및 그를 이용한 태양전지의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은, 기판 상에 다결정성 산화아연박막을 형성하고, 질산과, 과산화수소가 혼합된 식각 수용액으로 상기 다결정성 산화아연박막의 표면이 울퉁불퉁하게 텍스쳐링할 수 있다. 따라서, 다결정성 산화아연박막의 반사율이 줄어들 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090044964A
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：KR1020080023827
申请日：2008-03-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01C7/10 , C04B35/453
CPC classification number: H01C7/112 , C23C14/086 , C23C14/5853 , H01C7/1013 , H01C17/06546 , Y10T29/49099
Abstract: 본 발명은 박막형 바리스터 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 스퍼터링 방식으로 제1 산화아연 박막을 저온 증착시키는 제1 단계; 및 불활성 기체와 산소가 함께 주입된 환경하에서 상기 제1 산화아연 박막을 저온 열처리하여 바리스터용 산화아연 박막을 형성하는 제2 단계를 포함하여 구성되며, 이에 의하여 고집적화 회로에 적용할 수 있도록 바리스터 특성은 유지하면서도 공정온도는 낮추고 제조공정은 보다 간단해질 수 있도록 한다.
박막형 바리스터 소자, 박막, 저온 증착, 저온 열처리-
公开(公告)号：KR1020110043402A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：KR1020100030874
申请日：2010-04-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3063 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L21/3063 , H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A method for processing the anti-reflection of a zinc oxide thin film and a method for manufacturing a solar cell using the same are provided to minimize the reflectivity of a polycrystalline zinc oxide thin film by etching the polycrystalline zinc oxide thin film formed on a substrate. CONSTITUTION: A polycrystalline zinc oxide thin film(20) is formed on a substrate(10). The surface of the polycrystalline zinc oxide thin film is roughly processed. The polycrystalline zinc oxide thin film formed on the substrate is wet-etched with etchant mixed with nitric acid and peroxide.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理氧化锌薄膜的抗反射的方法和使用其的太阳能电池的制造方法，以通过蚀刻形成在多晶氧化锌薄膜上的多晶氧化锌薄膜来最小化多晶氧化锌薄膜的反射率 底物。 构成：在基板（10）上形成多晶氧化锌薄膜（20）。 大致加工多晶氧化锌薄膜的表面。 将形成在基板上的多晶氧化锌薄膜用与硝酸和过氧化物混合的蚀刻剂进行湿式蚀刻。
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公开(公告)号：KR100948603B1
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：KR1020080023827
申请日：2008-03-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01C7/10 , C04B35/453
CPC classification number: H01C7/112 , C23C14/086 , C23C14/5853 , H01C7/1013 , H01C17/06546 , Y10T29/49099
Abstract: 본 발명은 박막형 바리스터 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 스퍼터링 방식으로 제1 산화아연 박막을 저온 증착시키는 제1 단계; 및 불활성 기체와 산소가 함께 주입된 환경하에서 상기 제1 산화아연 박막을 저온 열처리하여 바리스터용 산화아연 박막을 형성하는 제2 단계를 포함하여 구성되며, 이에 의하여 고집적화 회로에 적용할 수 있도록 바리스터 특성은 유지하면서도 공정온도는 낮추고 제조공정은 보다 간단해질 수 있도록 한다.
박막형 바리스터 소자, 박막, 저온 증착, 저온 열처리-
公开(公告)号：KR100943171B1
公开(公告)日：2010-02-19
申请号：KR1020070109611
申请日：2007-10-30
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 p-형 산화아연층의 형성 방법 및 p-형 산화아연층을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 p-도펀트가 도핑된 도펀트층을 n-형 산화아연층에 면접하도록 형성한 후 열처리를 통해 p-도펀트를 산화아연층 내부로 확산 및 활성화시킴으로써 p-형 산화아연층을 형성하는 방법 및 p-형 산화아연층을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 제조 방법에 따라 p-형 산화아연층을 형성하거나, p-형 산화아연층을 포함하는 반도체 소자의 제작하면, 제조가 간단할 뿐만 아니라 대면적 대량생산에 유리하다.
p-형 산화아연, 열처리, 확산, 활성화
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