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公开(公告)号：KR100495866B1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020030057136
申请日：2003-08-19
Abstract: 본 발명은 분자자기조립(Molecular Self-Assembled)법이나 랭무어-블로짓 (Langmuir-Blodgett)법 등으로 형성한 단분자 박막(monolayer)을 전자 활성층(electroactive layer)으로 이용하는 분자 전자 소자(molecular electronics devices)에 관한 것으로, 금속-분자-금속이 수직 구조를 이루며 어레이(array) 형태로 구현이 가능한 분자 전자 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 기존의 방법으로 제작하기 어려운 어레이 형태의 소자를 용이하게 제조할 수 있도록 하며, 랭무어-블로짓(LB) 박막과 자기조립 박막 모두에 적용이 가능하다. 상, 하부 전극 사이에 소정의 기능기를 갖는 단분자 박막이 삽입된 분자 전자 소자는 분자의 특성에 따라 분자 다이오드, 분자 스위치, 분자 트랜지스터 등으로 작동될 수 있으며, 고집적 메모리 소자 및 논리 소자에도 적용이 가능하다. 또한, 얇은 박막과 유기물의 특징을 이용하면 유연한 전자 회로 소자(flexible electronic device)에도 적용이 가능하다.
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公开(公告)号：KR1020090109277A
公开(公告)日：2009-10-20
申请号：KR1020080034644
申请日：2008-04-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L51/0022 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L51/0004 , H01L51/0529 , H01L51/0545
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor is provided to improve the performance characteristic by increasing the crystalline of the organic semiconductor. CONSTITUTION: A thin film transistor includes a gate electrode(20), a source electrode(40), a drain electrode(50), a gate insulating layer(30), and a semiconductor(60). The source electrode and the drain electrode are formed in the layer different from the gate electrode. The gate insulating layer is formed among the gate electrode, the source electrode and the drain electrode. The semiconductor is formed in the location where overlaps with the gate electrode through the gate insulating layer. The gate electrode, the source electrode and the drain electrode include the same soluble matter.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，通过增加有机半导体的晶体来提高性能特性。 构成：薄膜晶体管包括栅极（20），源极（40），漏极（50），栅极绝缘层（30）和半导体（60）。 源电极和漏电极形成在与栅电极不同的层中。 在栅电极，源电极和漏电极之间形成栅极绝缘层。 半导体形成在通过栅极绝缘层与栅电极重叠的位置。 栅电极，源电极和漏电极包括相同的可溶性物质。
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公开(公告)号：KR1020050019969A
公开(公告)日：2005-03-04
申请号：KR1020030057136
申请日：2003-08-19
Abstract: PURPOSE: An array-type molecular electronic device and a method for fabricating the same are provided to achieve the structural stability by inserting a molecular layer into each nano-via hole. CONSTITUTION: An array-type molecular electronic device comprises a substrate, a plurality of lower electrodes, a molecular layer, a dielectric film and a plurality of upper electrodes. A plurality of lower electrodes(23) are formed on the substrate(21). A plurality of via holes are formed on the dielectric film(22) for exposing the lower electrode. The molecular layer is inserted into the respective via holes. The plurality of upper electrodes(27) are formed on the dielectric film including the molecular layer.
Abstract translation: 目的：提供阵列型分子电子器件及其制造方法，以通过将分子层插入每个纳米通孔中来实现结构稳定性。 构成：阵列型分子电子器件包括衬底，多个下电极，分子层，电介质膜和多个上电极。 在基板（21）上形成有多个下电极（23）。 在电介质膜（22）上形成多个通孔，用于暴露下电极。 将分子层插入相应的通孔中。 多个上电极（27）形成在包含分子层的电介质膜上。
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公开(公告)号：KR101008379B1
公开(公告)日：2011-01-14
申请号：KR1020080034644
申请日：2008-04-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , B82Y30/00
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터에 관한 것으로서, 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 다른 층에 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 게이트 절연막, 그리고 상기 게이트 절연막을 통하여 상기 게이트 전극과 중첩하는 위치에 형성되는 반도체를 포함하고, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 동일한 용해성 물질을 포함한다. 이로 인해, 별도의 증착 공정이나 식각 공정 없이 대기 환경에서 행해지는 잉크젯 인쇄 방식을 이용하여 박막 트랜지스터의 모든 막을 형성하므로, 제조 시간과 제조 비용이 줄어들고, 동일한 조건하에 동일한 유기 물질을 이용하여 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 형성하므로, 제조 비용이나 제조 시간이 더욱이 줄어든다.
잉크젯, 잉크젯프린팅, 유기박막트랜지스터, OTFT, 표면처리, PVP, OTFT, 용액공정Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极绝缘栅电极之间形成的膜，被形成在不同层上电极和漏电极，栅电极和源极电极和漏极电极，以及在栅电极和源极 并且通过栅极绝缘膜形成在与栅电极重叠的位置处的半导体，其中栅电极，源电极和漏电极包括相同的可溶材料。 因此，通过使用单独的沉积工艺或蚀刻工艺是在空气环境中进行，如果没有它形成的薄膜晶体管的所有膜的喷墨印刷过程中，制造时间和制造成本降低，并且，使用在相同条件下相同的有机材料与栅电极 由于形成源电极和漏电极，制造成本和制造时间进一步减少。
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