비휘발성 메모리에의 데이터 저장 방법 및 장치
    1.
    发明授权
    비휘발성 메모리에의 데이터 저장 방법 및 장치 失效
    用于将数据存储在非易失性存储器中的方法及其装置

    公开(公告)号:KR100484485B1

    公开(公告)日:2005-04-20

    申请号:KR1020020059763

    申请日:2002-10-01

    Abstract: 비휘발성 메모리에의 향상된 데이터 저장 방법 및 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 비휘발성 메모리에의 데이터 저장 방법은, 트랜잭션 수행 요청을 받으면, 트랜잭션 완료 요청을 받기 전까지, 각각의 데이터 쓰기 요청에 대해 저장할 데이터의 값과 비휘발성 메모리의 주소를 포함하는 로그를 생성하는 단계, 트랜잭션 완료 요청을 받으면, 로그들을 비휘발성 메모리의 트랜잭션 버퍼에 저장하는 단계, 및 트랜잭션 완료 이후, 트랜잭션 버퍼 내의 로그들이 지정하는 주소를 서로 비교하여 같은 페이지에 해당하는 데이터들을 비휘발성 메모리의 해당 영역에 페이지 단위로 저장하는 단계를 포함한다. 페이지 단위의 쓰기 방식과 delayed writing을 통하여 응답시간의 지연을 줄일 수 있으며, 비휘발성 메모리에의 쓰기 접근 회수를 줄이고 비휘발성 메모리 공간을 고르게 사용함으로써 데이터 저장 장치의 수명 단축을 막을 수 있다.

    비휘발성 메모리에의 데이터 저장 방법 및 장치
    2.
    发明公开
    비휘발성 메모리에의 데이터 저장 방법 및 장치 失效
    用于存储非易失性存储器的数据的方法和设备

    公开(公告)号:KR1020040032199A

    公开(公告)日:2004-04-17

    申请号:KR1020020059763

    申请日:2002-10-01

    Abstract: PURPOSE: A method and a device for storing data on a nonvolatile memory are provided to shorten a response time and lengthen a lifetime of the memory by shortening a delay for storing the data, reducing an access frequency, and uniformly writing to entire memory. CONSTITUTION: Directly after transferring logs of a RAM to a transaction buffer, a transaction completion response is sent(125). In case that a write request to an EEPROM(Electronically Erasable Programmable ROM) is received, it is judged that an address to be updated from the remaining logs is existed on the same page as the page including the address on the EEPROM receiving a write instruction(127). Finding all logs corresponding to the page of the same address as the write request address, contents of the page are updated at once(128). In the case that the corresponding log is not existed, only a part receiving the write request is written(130). When all logs of the transaction are updated, an internal state of a card gets to be the state that the transaction process is terminated(131).

    Abstract translation: 目的:提供一种在非易失性存储器上存储数据的方法和装置,通过缩短存储数据的延迟,减少存取频率,并且对整个存储器均匀地写入来缩短响应时间并延长存储器的使用寿命。 构成:将RAM的日志传送到事务缓冲区之后,发送事务完成响应(125)。 在接收到对EEPROM(电可擦除可编程ROM)的写入请求的情况下,判定从与剩余记录更新的地址存在于与包含写入指令的EEPROM上的地址相同的页面上 (127)。 查找与写入请求地址相同的地址对应的所有日志,页面的内容一次更新(128)。 在不存在对应的日志的情况下,仅写入接收写入请求的部分(130)。 当事务的所有日志被更新时,卡的内部状态将成为事务处理终止的状态(131)。

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