Abstract:
본 발명에 의한 광전 인터페이스 모듈 및 그 방법은 상부에 유전체가 형성된 기판; 기판의 길이 방향으로 적어도 둘 이상 형성된 전기배선의 말단을 포함하고 있는 기판 양끝 상부에 형성된 커넥터부; 기판의 길이 방향으로 적어도 하나 이상 형성된 광도파로를 유전체 내부에 포함하고 있는 기판의 중간부분 상부에 위치한 광도파로부; 및 전기배선 중 적어도 하나 이상은 전기배선이 단절된 단절구간을 중간부분에 포함하고 있으며, 단절구간의 양쪽 말단에 대응하는 기판 상부에 위치한 광전소자;를 가진다. 본 발명에 의한 광전 인터페이스 모듈 및 그 방법은 다양한 반도체 칩 간의 광통신 및 전기 통신을 동시에 안정적으로 제공할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 TM 모드 발진을 안정적으로 제공하는 TM 모드 레이저 다이오드에 관한 것으로, 본 TM 모드 레이저 다이오드는 기판 상에 형성되는 n형 도핑층, 상기 n형 도핑층 상에 형성되는 활성층, 및 상기 활성층 상에 형성되는 p형 도핑층을 포함하는 광 도파로; 상기 n형 도핑층, 상기 활성층 및 상기 p형 도핑층이 적층된 상기 광도파로의 양단부 중 적어도 일단부에 형성되어 횡자기파(TM; transverse magnetic) 모드를 반사시키는 광결정으로 이루어진 광결정 거울; 상기 기판 하부에 형성되는 n형 전극; 및 상기 p형 도핑층 상에 형성되는 p형 전극을 포함하되,상기 광결정은 주기적으로 형성된 다수의 공기홀을 포함하는 반도체막 또는 공기층 내에 다수의 반도체 막대가 주기적으로 배치된 형태이고 상기 광결정의 TM 모드는 상기 광결정의 전체 면적 중 상기 공기홀 또는 상기 반도체 막대가 차지하는 면적과 상기 광결정을 통과하는 주파수에 의해 결정되는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, TM 모드는 반사하고 TE 모드는 투과시키는 광결정을 거울로 사용하여, TE 모드가 큰 거울 손실로 인해 높은 문턱 이득을 가지도록 하여 안정적으로 TM 모드를 발진시킬 수 있다. 레이저 다이오드, TM 모드, 광결정, 광결정 거울
Abstract:
A transverse magnetic mode laser diode is provided to stably oscillate a light of a transverse magnetic mode by manufacturing one or both mirrors of a light waveguide as a light crystal having a light band gap for a transverse magnetic mode. A transverse magnetic mode laser diode includes a light waveguide, a light crystal mirror(47), an n-type electrode(41), and a p-type electrode(46). The light waveguide include an n-type doping layer(43), an active layer(44), and a p-type doping layer(45). The n-type doping layer is formed on a substrate. The active layer is formed on the n-type doping layer. The p-type doping layer is formed on the active layer. The light crystal mirror is formed on at least one end of both ends of the light waveguide on which the n-type doping layer, the active layer and the p-type doping layer are stacked. The light crystal mirror is made of a light crystal which reflects a light of a transverse magnetic mode. The n-type electrode is formed on a lower part of the substrate. The P-type electrode is formed on the p-type doping layer.
Abstract:
An optical communication module having an optical bench is provided to implement high integration by automatically coupling the optical bench having a recessed part and an optical waveguide device having a protruded part. An optical communication module is composed of an optical bench(117) formed on a substrate(101) and provided with a recessed part(113) formed in the substrate to expose the surface of the substrate, optical communication parts(103,107) formed on the substrate, and an optical waveguide device(301) comprising a protruded part(305) and an optical waveguide(307). The protruded part is formed at a part correspondent to the recessed part of the optical bench and fitted to the recessed part. The optical waveguide is optically aligned together with the optical communication part in physically coupling with the optical bench. The optical communication part and the optical waveguide device are optical-coupled automatically.
Abstract:
본 발명은 반도체 칩들 사이에서 전광소자와 광전송부 사이의 광정렬을 용이하게 하면서도 효율적이고 고집적화된 광통신 구조를 구현할 수 있고, 반도체 칩들 사이에서 광 및 전기 통신을 동시에 할 수 있는 광전배선 커넥터 모듈 및 그 커넥터 모듈을 포함한 광전 통신 모듈을 제공한다. 그 광전배선 커넥터 모듈은 광신호가 전송되는 광도파로를 포함하는 광도파로부; 및 광도파로부에 결합되고 광전 소자 및 반도체 칩을 구비한 반도체 칩부가 표면 실장된 인쇄회로보드(Printed Circuit Board:PCB) 기판으로 상기 광도파로부를 고정시키며, 하부로 철부(凸部) 또는 요부(凹部) 구조의 제1 결합부가 형성되어 있는 커넥터부;를 포함하고, 커넥터부의 제1 결합부는 PCB 기판 상면으로 형성된 요부 또는 철부 구조의 제2 결합부에 결합된다. 또한, 그 광전 통신 모듈은 PCB 기판; 상기 PCB 기판으로 실장되는 광전 소자 및 반도체 칩을 구비한 반도체 칩부; 및 상기의 광전배선 커넥터 모듈;을 포함하고, 커넥터부의 제1 결합부는 상기 PCB 기판 상면으로 형성된 요부 또는 철부 구조의 제2 결합부에 결합되며 상기 반도체 칩부의 광 및 전기 신호를 동시에 전달할 수 있다.
Abstract:
A tunable waveguide Bragg grating device is provided to suppress a thermal stress between adjacent channels effectively by forming a trench between the waveguide Bragg grating devices. A Bragg grating device(300) includes a Bragg grating region, a thermal adjusting unit(141) and a temperature adjusting unit. The Bragg grating region is formed on a substrate. The thermal adjusting unit is formed on the Bragg grating region. The temperature adjusting unit is formed under the substrate. The Bragg grating region includes a waveguide core(131), a Bragg grating(132) and a cladding layer(133). The Bragg grating is formed under the waveguide core. The cladding layer encloses the waveguide core.
Abstract:
반사파장 대역에서 군지연 스펙트럼이 파장에 대한 직선함수의 형태를 갖는 브래그 격자소자에 대해 개시한다. 상기 격자소자는 도파로의 일부로서 하기 w(z)의 형태를 구현할 수 있도록 테이퍼진 구조를 갖는 테이퍼 도파로 영역 및 테이퍼 도파로 영역에 형성된 브래그 격자를 포함한다. 이때, w(z) = w 0 - αln(1 + z/L)이고, 여기서, w는 도파로의 폭, z는 도파로 길이방향의 위치, w 0 는 테이퍼가 시작되는 위치(z=0)에서의 도파로 폭, α는 도파로의 폭(w)이 도파로 진행 모드의 유효 굴절률에 대해 미치는 영향을 나타내는 특성값, L은 테이퍼가 끝나는 위치와 이 위치에서의 도파로 폭 및 α의 값에 의해 결정되는 값이다. 또한 상기 격자소자에 의한 직선 군지연 스펙트럼의 기울기를 효과적으로 변조할 수 있는 가변수단도 함께 개시한다. 브래그 격자소자, 도파로, 테이퍼
Abstract:
유기 리간드가 배위된 반도체 양자점층을 포함하는 고출력/광대역 광소자용 유무기 나노 복합 박막 및 이를 포함하는 광소자와, 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명 따른 유무기 나노 복합 박막은 고분자층과, 상기 고분자층 위에 자기조립되어 있는 유기 리간드가 배위된 반도체 양자점층을 포함하는 적층 구조, 또는 제1 홀을 가지는 제1 고분자층 패턴과 상기 제1 홀 내에 충진되어 있는 유기 리간드로 배위된 제1 반도체 양자점층 패턴을 포함하는 제1 복합 박막으로 이루어진다. 본 발명의 유무기 나노 복합 박막은 반도체 양자점 용액과 고분자 용액을 교대로 스핀 코팅하여 1 층씩 교대로 적층된 복수층으로 이루어지는 유기물 다층 박막으로 구성될 수 있다. 고밀도, 광대역의 반도체 양자점층과 고분자층이 물리적으로 결합된 하이브리드 광소자용 나노 복합 박막을 제공함으로써 고출력, 광대역, 고휘도, 고감도의 광소자를 구현할 수 있으며 유연성 있는 광소자를 제조할 수 있다. 반도체 양자점, 유기 리간드, 자기정렬, 스핀코팅, 광소자
Abstract:
본 발명은 전기광학효과를 이용하는 폴리머 평면 광도파로 소자의 구조에 대한 것으로, 하나의 광도파로로 입사된 광의 경로를 분할하여 두 개의 광도파로로 진행시킨 다음 다시 하나의 광도파로로 합하도록 하는 마흐-젠더 간섭계 구조를 갖는 광소자에 있어서, 분할된 하나 또는 두 개의 광도파로에 열선을 형성하고 상기 열선에 열을 인가하여 도파로의 굴절률을 변화시켜 광소자의 바이어스를 조절하는 것으로서 폴리머의 전기적 특성에 영향을 받지 않고 소자 구동의 안정성을 향상시킬 수 있다.
Abstract:
본 발명은 폴리머 광소자 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 폴리머 물질을 도포하여 하부 클래드층을 형성하는 단계와, 상기 하부 클래딩층 상에 폴리머 물질을 도포한 후, 패터닝하여 코어층을 형성하는 단계와, 상기 코어층이 형성된 결과물 상에 폴리머 물질을 도포하여 상부 클래드층을 형성하는 단계와, 상기 상부 클래드층 상에 상기 하부 클래드층이 분리되었을 때 온도에 따른 굴절률 변화를 온도에 따른 길이 변화로 상쇄하도록 적절한 열팽창 계수를 갖는 폴리머 물질을 도포하여 오버 레이어를 형성하는 단계 및 상기 반도체 기판과 소정 영역의 상기 하부 클래드층을 분리하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 폴리머 광소자의 온도 의존성을 최소화할 수 있다.