公开(公告)号：KR1019950010128A

公开(公告)日：1995-04-26

申请号：KR1019930019426

申请日：1993-09-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이우형 ,  이종덕 ,  박영준

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명은 0.3㎛이하의 게이트 길이를 갖는 MOSFET의 수명을 연장하고 소자의 신뢰도와 성능을 향상시킬 수 있는 구조의 MOSFET를 제공하기 위한 것으로, 종래의 LDD(lightly doped drain)구조가 갖는 결함들이 대부준 수평방향의 불순물 분포에 기인하는 것임에 착안하여 게이트의 개방시 열산화막(7)을 성장시킴으로써 형성되는 새부리 산화막(7a)을 소스/드레인 마스크로서 사용하고 이온 주입하여 경사 불순물 도핑프러파일을 갖는 소스/드레인(11, 11a)을 형성한다.
이에 따라 채널과 인접한 스스/드레인 영역의 불순물 농도가 낮아지게 되어 소자내의 전계가 저하되며 열산화막(7)에 의해 소스/드레인의 표면보다 낮게 됨으로써 스스/드레인의 접합을 깊게 형성할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019970000470B1

公开(公告)日：1997-01-11

申请号：KR1019930019426

申请日：1993-09-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이우형 ,  이종덕 ,  박영준

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/78

Abstract: There is provided a MOSFET includng source and drain regions formed in a manner that a second conductivity type impurity is implanted into a first conductivity type substrate, a channel region formed by implanting the first conductivity type impurity, a gate oxide layer and gate sequentially formed on the channel region, in which bird's beak oxide layers are formed on both sides of the gate oxide layer on the channel region, adjacent to the source and drain regions, the channel region has its surface lower than that of the source and drain regions and has a self-aligned doped impurity profile, and the source and drain regions have a sloped impurity doping profile that the impurity concentration slowly decreases as it becomes close to the channel region.

Abstract translation: 提供了一种MOSFET，其包括源极和漏极区，其以第二导电类型的杂质注入第一导电类型的衬底，通过注入第一导电型杂质，栅极氧化物层和栅极形成的沟道区， 通道区域，其中在沟道区域上的栅极氧化物层的两侧上形成有鸟嘴状氧化物层，与源极和漏极区相邻，沟道区的表面低于源极和漏极区的表面，并具有 自对准掺杂杂质分布，并且源区和漏区具有倾斜的杂质掺杂分布，杂质浓度随着其接近沟道区而缓慢降低。

公开(公告)号：KR100114326B1

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：KR1019930019426

申请日：1993-09-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이우형 ,  이종덕 ,  박영준

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/78