公开(公告)号：KR1020170138032A

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：KR1020160153580

申请日：2016-11-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이윤식 ,  최춘기 ,  김진태

IPC: G02B1/00 ,  C01B33/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/06 ,  B82Y20/00

Abstract: 본발명은메타물질구조체를개시한다. 메타물질구조체는가시광을투과하는기판과, 상기기판상에메트릭스형태로배치된복수개의결정실리콘블록들을포함한다. 결정실리콘블록들의각각은납작한직육면체모양을가질수 있다.

Abstract translation: 本发明公开了一种超材料结构。 超常材料结构包括透射可见光的衬底以及在衬底上以矩阵形式布置的多个晶体硅块。 每个晶体硅块可以具有平坦的长方体形状。

公开(公告)号：KR1020170049366A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：KR1020160078800

申请日：2016-06-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김진태 ,  최춘기 ,  유영준 ,  이윤식 ,  최진식 ,  최홍규

IPC: G02B6/12

Abstract: 본발명은광결합시스템및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른광결합시스템은, 기판, 상기기판상에형성되는광도파로, 상기광도파로상에형성되는결합기및 제1 그래핀을발광시켜광 신호를발생하는그래핀광원을포함하고, 상기그래핀광원으로부터발생된광 신호는상기결합기를통해상기광도파로로전달될수 있다.

Abstract translation: 光耦合系统及其制造方法技术领域本发明涉及一种光耦合系统及其制造方法。 根据本发明，该系统包括一基板，一石墨烯光源，用于通过发射组合器和第一石墨烯在光波导形成产生光信号的一个实施例的光耦合，形成在所述基板上的光波导 并且从石墨烯光源产生的光信号可以通过耦合器传输到光波导。

公开(公告)号：KR100611093B1

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：KR1020040099230

申请日：2004-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  호서대학교 산학협력단

Inventor： 이윤식 ,  김우성

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 회로의 전압 강하 및 전력 소모 값의 분석방법은 정적 및 동적 분석 방법에 있어서 지연 계산기, 전력 소모 계산기, RC 축소기, 전류 추출기 및 피크값 추출기 등의 분석 기법을 이용하여 실제 전압 강하 값과 소모 전력 값에 근사한 예측치를 빠른 시간 내에 계산되도록 함으로써 SoC와 같은 대형 반도체 설계도면의 검증에서 전압강하 및 전력 소모 현상으로 나타날 수 있는 설계 오류를 제거하는 데 그 목적이 있다.
반도체 소자, 전압 강하, 전력 소모, 지연 계산기, 전력 소모 계산기, 피크값 추출기, RC 축소기.

公开(公告)号：KR100594593B1

公开(公告)日：2006-06-30

申请号：KR1020040117803

申请日：2004-12-31

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  호서대학교 산학협력단

Inventor： 이윤식 ,  김우성

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 반도체 회로 설계의 고속 검증을 위한 기술로 종래의 소프트웨어적 검증 방식의 한계를 극복하기 위하여 하드웨어 가속기(Hardware Accelerator)와 이의 최적 동작을 위한 소프트웨어 알고리즘을 구현함으로써 실제 결과 값에 근사한 예측치를 빠른 시간 내에 계산되도록 하여 설계에 즉시 반영할 수 있도록 하는 반도체 소자의 설계 고속 병렬 검증 방법에 관한 것이다.
반도체 소자, 설계 검증, 고속 병렬 검증 방법, 하드웨어 가속 장치.

Abstract translation: 为了克服传统软件验证方法的局限性，本发明实现了硬件加速器和软件算法的最佳操作， 这样的设计可以立即反映在设计中。

公开(公告)号：KR1020060060288A

公开(公告)日：2006-06-05

申请号：KR1020040099230

申请日：2004-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  호서대학교 산학협력단

Inventor： 이윤식 ,  김우성

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 회로의 전압 강하 및 전력 소모 값의 분석방법은 정적 및 동적 분석 방법에 있어서 지연 계산기, 소모전력 계산기, RC 축소기, 전류 추출기 및 피크값 추출기 등의 분석 기법을 이용하여 실제 전압 강하 값과 소모 전력 값에 근사한 예측치를 빠른 시간 내에 계산되도록 함으로써 SoC와 같은 대형 반도체 설계도면의 검증에서 전압강하 및 전력 소모 현상으로 나타날 수 있는 설계 오류를 제거하는 데 그 목적이 있다.
반도체 소자, 전압 강하, 전력 소모, 지연 계산기, 전력 소모 계산기, 피크값 추출기, RC 축소기.