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公开(公告)号:KR1020150100042A
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:KR1020140021342
申请日:2014-02-24
CPC classification number: G06F11/27 , G06F12/0811 , G06F12/0813 , G06F12/084 , G06F2212/1016 , G06F2212/1028 , G06F2212/251 , G06F2212/62 , G11C5/025 , G11C29/00 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , Y02D10/13 , H01L2924/00
Abstract: 메모리 장치는, 페리퍼럴(peripheral), 인터페이스(interface) 및 비스트 모듈(BIST module) 중 적어도 하나를 구현하고 재구성 가속기(reconfigurable accelerator: RA)를 포함하는 로직 레이어(logic layer) - 상기 재구성 가속기는 상기 로직 레이어의 빈공간에 위치하며 상기 메모리 장치가 처리하는 작업의 적어도 일부를 처리함 -및 데이터를 저장하는 적어도 하나의 데이터 레이어(data layer)를 포함할 수 있다.
Abstract translation: 存储器设备可以包括:在外围设备,接口和BIST模块中实现至少一个的逻辑层,并且包括可重构加速器(RA),其中可重构加速器位于逻辑层的空闲空间中,并且处理 存储设备处理的一部分工作; 以及存储数据的至少一个数据层。
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