내장 에스램의 자체 복구 방법 및 장치
    1.
    发明公开
    내장 에스램의 자체 복구 방법 및 장치 失效
    (嵌入式自动修复方法和嵌入式SRAM的器件)

    公开(公告)号:KR1020060094592A

    公开(公告)日:2006-08-30

    申请号:KR1020050015718

    申请日:2005-02-25

    Abstract: 본 발명은 내장 에스램의 자체 복구 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 내장된 메모리의 자체 테스트를 통한 메모리 고장 유무 확인과 더불어 메모리의 고장난 부분을 여분의 메모리로 재배치하여 사용자로 하여금 고장난 메모리를 정상적인 메모리처럼 사용할 수 있도록 하는 메모리 자체 고장 복구에 관한 것이다.
    본 발명의 내장 에스램의 자체 복구 장치는 블록단위로 나눠진 메인 메모리의 임의의 위치에서 발생된 고장 유무를 판단하는 자가 고장 테스트 회로; 상기 자가 고장 테스트 회로에서 발생된 고장의 신호를 받아 상기 메인 메모리의 고장 블록를 저장하고, 여분의 메모리의 임의의 위치에 복구 블록을 배치하고 그 배치된 주소를 저장하는 여분의 메모리 재배치 회로 및 상기 여분의 메모리 재배치 회로의 신호에 따라 상기 여분의 메모리의 복구 블록과 상기 메인 메모리의 고장 블록을 대체하는 자가 고장 복구 회로를 포함하여 구성되는 기술적 특징이 있다.
    따라서, 본 발명의 내장 에스램의 자체 복구 방법 및 장치는 메모리 고장 시에 SOC를 정상 동작시켜 메모리의 물리적 구조에 독립적인 회로로 존재하고, 고가의 메모리를 여분의 메모리를 이용하여 재사용함으로써 메모리의 수율을 증가시키는 효과가 있다.
    임베디드, 메모리, BIST, BISR, BIRA, 에스램

    모드 변경이 가능한 양방향 통신 장치 및 방법
    3.
    发明公开
    모드 변경이 가능한 양방향 통신 장치 및 방법 有权
    能够改变通信模式的双向通信设备及其方法

    公开(公告)号:KR20180028742A

    公开(公告)日:2018-03-19

    申请号:KR20160116468

    申请日:2016-09-09

    CPC classification number: H04L63/0227 H04L61/106 H04L63/08

    Abstract: 모드변경이가능한양방향통신장치및 방법이개시된다. 본발명에따른모드변경이가능한양방향통신장치는, 하나이상의내부망기기로부터수신한데이터를외부망기기로전달하는내부망모듈, 상기내부망모듈로부터데이터를수신하고, 하나이상의상기외부망기기로부터수신한데이터를상기내부망모듈로전송하는외부망모듈, 그리고상기외부망모듈이상기내부망모듈로전송하는데이터를중계하고, 기설정된조건에상응하도록단방향모드및 양방향모드중 어느하나의통신모드로설정하며, 상기양방향모드로설정된경우상기외부망모듈로부터수신된데이터를상기내부망모듈로전송하는통신모드제어모듈을포함한다.

    Abstract translation: 公开了一种能够改变模式的双向通信设备和方法。 双向通信设备是根据本发明的模式改变是从所述一个或多个内部网络的内部网络模块,从内部网络模块,一个或多个用于从所述设备接收到的数据发送到外部网络设备的外部网络设备的接收数据, 接收的数据以任何的单向模式和双向模式的通信模式,以对应于外部网络到模块和条件中继数据,并且预定要被发送到外部网络,用于发送到内部网络模块的模块的移相器的内部网络模块 以及通信模式控制模块,用于当双向模式被设置时将从外部网络模块接收到的数据发送到内部网络模块。

    내장 에스램의 자체 복구 방법 및 장치
    4.
    发明授权
    내장 에스램의 자체 복구 방법 및 장치 失效
    内置自修复方法和嵌入式SRAM的设备

    公开(公告)号:KR100684471B1

    公开(公告)日:2007-02-22

    申请号:KR1020050015718

    申请日:2005-02-25

    Abstract: 본 발명은 내장 에스램의 자체 복구 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 내장된 메모리의 자체 테스트를 통한 메모리 고장 유무 확인과 더불어 메모리의 고장난 부분을 스패어 메모리로 재배치하여 사용자로 하여금 고장난 메모리를 정상적인 메모리처럼 사용할 수 있도록 하는 메모리 자체 고장 복구에 관한 것이다.
    본 발명의 내장 에스램의 자체 복구 장치는 블록단위로 나눠진 메인 메모리의 임의의 위치에서 발생된 고장 유무를 판단하는 자가 고장 테스트 회로; 상기 자가 고장 테스트 회로에서 발생된 고장의 신호를 받아 상기 메인 메모리의 고장 블록을 저장하고, 스패어 메모리의 임의의 위치에 복구 블록을 배치하고 그 배치된 주소를 저장하는 스패어 메모리 재배치 회로 및 상기 스패어 메모리 재배치 회로의 신호에 따라 상기 스패어 메모리의 복구 블록과 상기 메인 메모리의 고장 블록을 대체하는 자가 고장 복구 회로를 포함하여 구성되는 기술적 특징이 있다.
    따라서 본 발명의 내장 에스램의 자체 복구 방법 및 장치는 메모리 고장 시에 SOC를 정상 동작시켜 메모리의 물리적 구조에 독립적인 회로로 존재하고, 고가의 메모리를 스패어 메모리를 이용하여 재사용함으로써 메모리의 수율을 증가시키는 효과가 있다.
    임베디드, 메모리, BIST, BISR, BIRA, 에스램

    모드 변경이 가능한 양방향 통신 장치 및 방법

    公开(公告)号:KR101881061B1

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:KR1020160116468

    申请日:2016-09-09

    Abstract: 모드변경이가능한양방향통신장치및 방법이개시된다. 본발명에따른모드변경이가능한양방향통신장치는, 하나이상의내부망기기로부터수신한데이터를외부망기기로전달하는내부망모듈, 상기내부망모듈로부터데이터를수신하고, 하나이상의상기외부망기기로부터수신한데이터를상기내부망모듈로전송하는외부망모듈, 그리고상기외부망모듈이상기내부망모듈로전송하는데이터를중계하고, 기설정된조건에상응하도록단방향모드및 양방향모드중 어느하나의통신모드로설정하며, 상기양방향모드로설정된경우상기외부망모듈로부터수신된데이터를상기내부망모듈로전송하는통신모드제어모듈을포함한다.

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