公开(公告)号：KR101940234B1

公开(公告)日：2019-01-21

申请号：KR1020130149225

申请日：2013-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서동우 ,  루웨이 ,  전린 ,  김용준

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/328

公开(公告)号：KR1020150064780A

公开(公告)日：2015-06-12

申请号：KR1020130149225

申请日：2013-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서동우 ,  루웨이 ,  전린 ,  김용준

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/328

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/413 ,  H01L29/66212

Abstract: 본발명은쇼트키다이오드및 그의제조방법을개시한다. 쇼트키다이오드는, 기판과, 상기기판상의코어와, 상기코어상의금속층과, 상기금속층 및상기기판사이의상기코어를둘러싸고, 상기코어와상기금속층 사이에쇼트키접합을형성토록상기코어의페르미에너지준위를조절하는쉘을포함한다.

Abstract translation: 在本发明中，公开了一种肖特基二极管及其制造方法。 肖特基二极管包括衬底，形成在衬底上的芯，形成在芯上的金属层和围绕金属层和衬底之间的芯的壳，并且将芯的费米能级控制到 在芯和金属层之间形成肖特基结。