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1.发明公开
公开(公告)号：KR1020020097389A
公开(公告)日：2002-12-31
申请号：KR1020010035177
申请日：2001-06-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04N21/2362 , H04N1/41
CPC classification number: H04N21/235 , H04N1/411 , H04N21/2362
Abstract: PURPOSE: A method for generating an encoding table for Korean character compression encoding and a method for Korean character compression encoding by using the same are provided to transmit a lot of Korean character data generated in case of data broadcasting by using a digital TV after compressing the Korean character data. CONSTITUTION: A method for generating an encoding table for Korean character compression encoding includes the steps of extracting samples of Korean character data being used for broadcasting(11), obtaining the generation probability of each symbol in the extracted Korean character data samples(12), generating an encoding table by executing Huffman encoding after confirming whether the generation probability of each symbol is more than a predetermined value(13-14), and constructing a compression encoding table related to all symbols having the generation probability over the regular value(15-16).
Abstract translation: 目的：提供一种用于生成用于韩文字符压缩编码的编码表的方法和使用该方法的韩文字符压缩编码方法，用于在压缩数字电视之后通过使用数字电视发送数据广播时产生的大量韩文字符数据 韩文字符数据。 构成：用于生成韩文字符压缩编码的编码表的方法，包括以下步骤：提取用于广播的韩文字符数据的样本（11），获取所提取的韩文字符数据样本（12）中的每个符号的生成概率， 在确认每个符号的生成概率是否大于预定值（13-14）之后，通过执行霍夫曼编码来生成编码表，并且构造与具有超过常规值的生成概率的所有符号相关的压缩编码表（15- 16）。
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公开(公告)号：KR100138846B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940034651
申请日：1994-12-16
IPC: H01S5/026
Abstract: 본 발명은 초고속 레이저다이오드를 조립하여 전송 모듈을 제조함에 있어서 임피던스 정합을 고려한 전송선을 사용하고, 와이어 본딩 개소를 감소시킴으로써 고주파 특성을 향상시키며, 다이아몬드 기판을 사용하여 열 특성의 향상을 도모하고, 와이어 본딩 개소를 감소시킴으로써 조립공정의 단순화로 인하여 제작을 용이하여 결과적으로 신뢰성있는 초고속 레이저다이오드 전송 모듈의 구조 및 제조 방법에 관한 것으로서, 평면 산화알루미늄 등의 기판에 순금 박막도선을 제작하여 전송선이 되도록 형성하며, 상기 전송선의 끝부분에 박막저항을 형성하여 임피던스 정합을 도모하고, 상기 전송선의 최종단부에 6면이 전부 금속화처리된 다이아몬드 기판을 부착하여 효과적인 열전달을 달성하며, 상기 전송선우에 접합된 레이저다이오드의 n측과 전� ��적으로 연결되도록 하며, 또한 접지 금속판의 넓은 면적에 상기 레이저다이오드의 p측을 와이어 본딩에 의하여 접지면으로 연결되게 함으로써 전기적으로 폐회로를 형성하게 한다.
이상과 같이 본 발명에 따른 초고속 전송용 레이저자디오드 모듈의 구조 및 제조 방법에 의하여 임피던스 정합을 고려한 전송선을 사용하고, 열 특성 향상을 위하여 다이아몬드 기판을 사용하고 전송선위에 직접 레이저다이오드를 부착함으로써 종래의 초고속 레이저다이오드 모듈과 비교하여 간단한 구조로 형성되어 있으므로 제조가 용이하고, 초고주파 신호에도 적응력이 우수하게 되므로 10Gbps 이상의 초고속 레이저다이오드 모듈의 제조에 적용하여 생산성을 향상시키고, 고성능의 효과를 볼 수 있다.-
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公开(公告)号：KR100138844B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940028808
申请日：1994-11-03
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 본 발명은 반도체 패키지 방법에 관한 것으로, 특히 3층 포토레지스트(Photoresist)를 이용하여 플립칩 본딩(Filp-Chip Bonding)용 솔더범프(Solder Bump)를 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명 상기의 목적을 달성하기 위해, 기판절연용 실리콘 질화막과 댑핑용 실리콘 질화막이 형성된 실리콘 기판에 칩이 본딩될 부분의 솔더범프 형성을 위한 공정으로서 증착될 금속의 크기를 조절하기 위한 1차 네가티브(Negative) 포토레지스트와 리프트 오프(Lift off)를 위한 전면 노광된 2차 포지티브(Positive) 포토레지스트와, 그리고 또한 증착면의 크기를 조절하기 위한 3차 포지티브(Positive) 포토레지스트로 구성되어며, 솔더범프 형성시 용이한 리프트 오프(Lift off)를 위한 3층으로 형된 30㎛ 이상의 두께운 후막 공정으로 솔더범프를 형성하는 것을 특징으로 한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960027097A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940034651
申请日：1994-12-16
IPC: H01S5/026
Abstract: 본 발명은 초고속 레이저 다이오드를 조립하여 전송 모듈을 제조함에 있어서 임피던스 정합을 고려한 전송선을 사용하고, 와이어 본딩 개소를 감소시킴으로써 고주파 특성을 향상시키며, 다이아몬드 기판을 사용하여 열 특성의 향상을 도모하고, 와이어 본딩 개소를 감소시킴으로써 조립공정의 단순화로 인하여 제작을 용이하여 결과적으로 신뢰성있는 초고속 레이저 다이오드 전송 모듈의 구조 및 제조방법에 관한 것으로서, 평면 산화알루미늄 등의 기판에 순금 박막도선을 제작하여 전송선이 되도록 형성하며, 상기 전송선의 끝부분에 박막저항을 형성하여 임피던스 정합을 도모하고, 상기 전송선의 최종단부에 6면이 전부 금속화처리된 다이아몬드 기판을 부착하여 효과적인 열전달을 달성하며, 상기 전송선우에 접합된 레이저다이오드의 n측과 전 기적으로 연결되도록 하며, 또한 접지 금속판의 넓은 면적에 상기 레이저다이오드의 p측을 와이어 본딩에 의하여 접지면으로 연결되게 함으로써 전기적으로 폐회로를 형성하게 한다.
이상과 같이 본 발명에 따른 초고속 전송용 레이저 다이오드 모듈의 구조 및 제조 방법에 의하여 임피던스 정합을 고려한 전송선을 사용하고, 열 특성 향상을 위하여 다이아몬드 기판을 사용하고 전송선위에 직접 레이저다이오드를 부착함으로써 종래의 초고속 레이저 다이오드 모듈과 비교하여 간단한 구조로 형성되어 있으므로 제조가 용이하고, 초고주파 신호에도적응력이 우수하게 되므로 10Gbps 이상의 초고속 레이저 다이오드 모듈의 제조에 적용하여 생산성을 향상시키고, 고성능의 효과를 볼 수 있다.-
6.发明公开
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公开(公告)号：KR100138843B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940023884
申请日：1994-09-22
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 본 발명의 목적은 두개의 전극이 광소자의 양면에 각각 형성된 광소자를 플립칩 본딩의 방법으로 패키지할 때에 금속막이 입혀진 실리콘 웨이퍼를 전극연결을 위한 장치로 사용함으로써 와이어 본딩 등에 의한 충격을 없애며 광소자의 방열기능 또한 크게 증가시키는 광소자의 전극연결장치를 제공하는데 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 실리콘 웨이퍼의 일부분을 플립칩 본딩 된 광소자의 높이만큼 식각한 후 솔더본딩이 가능하도록 금속막 패턴을 형성하고 솔더를 증착한 후 이를 뒤집어서 식각부위는 플립칩 본딩된 광조사의 뒷면에 그리고 식각을 하지 않은 부분은 수등 정렬용 기판에 본딩을 하여 기판과 광소자간에 전극을 연결시킴으로써 상기의 목적을 구현하며, 이의 제조를 위해서는 실리콘 질화물의 형성, 금속막 증착, 실리콘 웨이퍼의 시각, 솔더증착 등의 공정이 요구된다.-
公开(公告)号：KR100137578B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940032828
申请日：1994-12-05
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명은 반도체 패키지장치 및 제조방법에 관한 것으로 기존의 p-side up 구조의 레이저 다이오드에 플립칩 본딩을 사용하며, 임피던스 정합된 전송선을 사용함으로써 초고속 레이저 다이오드 패키지의 기생성분을 줄이고 열저항을 줄이는데 있으며 이로써 초고속 전송용 레이저 다이오드 패키지의 소신호 변조 특성을 10Gbps 이상으로 향상시킬 수 있도록 플립칩 본딩용 솔더 범퍼를 가진 p-side up 구조의 레이저다이오드를 다이아몬드 기판에 플립칩 본딩을 적용하며, 소신호 변조대역폭의 향상과 입력 반사계수를 최소화 하기 위하여 레이저 다이오드의 기생성분 저항과 박막저항의 합과 같은 저항으로 임피던스 정합된 전송선을 레이저 다이오드 음극을 직접 전송선에 리본 본딩(Ribbon bonding을 이용한 초고속 레이저 다이오드 패키지 구조 및 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019960019623A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940028808
申请日：1994-11-03
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 본발명은반도체패키지방법에관한것으로, 특히 3층포토레지스트(Photoresist)를이용하여플립칩본딩(Flip-Chip Bonding)용솔더범프(Solder Bump)를형성하는방법에관한것이다. 본발명은상기의목적을달성하기위해, 기판절연용실리콘질화막과댑핑용실리콘질화막이형성된실리콘기판에칩이본딩될부분의솔더범프형성을위한공정으로서증착될금속의크기를조절하기위한 1차네가티브(Negative) 포토레지스트와리프트오프(Lift off)를위한전면노광된 2차포지티브(Positive) 포토레지스트와, 그리고또한증착면의크기를조절하기위한 3차포지티브(Positive) 포토레지스트로구성되어지며, 솔더범프형성시용이한리프트오프(Lift off)를위한 3층으로형성된 30㎛이상의두꺼운후막공정으로솔더범프를형성하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成用于使用焊锡凸块（焊锡凸块），特别是三层光致抗蚀剂（光致抗蚀剂）的方法，涉及一种半导体封装，倒装芯片键合（倒装芯片接合）。 本发明是主要用于调节金属大小将被沉积作为形成为了实现上述目的，该适配器卡平壤，硅部分氮化物膜的芯片粘接到硅衬底的衬底隔离氮化硅膜，其上形成有焊料凸块的方法 负（负）光致抗蚀剂和剥离（剥离）在曝光光致抗蚀剂的第二正（正）和，并且还变得构成的第三正（正）的光致抗蚀剂，以控制沉积表面的尺寸的 其特征在于：用于形成具有易剥离工艺的焊料凸块，厚膜比30㎛厚形成焊料凸点时的三个层形成，（剥离）。
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