公开(公告)号：KR1020170006249A

公开(公告)日：2017-01-17

申请号：KR1020160035452

申请日：2016-03-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정우석 ,  홍찬화

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  H01L21/033 ,  H01L21/288 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08

Abstract: 본발명은투명전극에관한것으로, 투명기판상에투명절연층을형성하는것, 상기투명절연층상에마스크패턴을형성하는것, 상기마스크패턴을식각마스크로하는식각공정을수행하여상기투명절연층내에개구부를형성하는것, 상기투명기판상에시드막(seed layer)을형성하는것, 상기마스크패턴을제거하는것, 및상기개구부내에금속패턴을형성하는것을포함하는투명전극의제조방법을제공하되, 상기시드막은상기마스크패턴의상면을덮으며상기개구부의일부를채우고, 상기마스크패턴의제거에의해상기마스크패턴과접하는상기시드막의일부는제거되되, 다른일부는상기개구부내에잔존하고, 상기금속패턴은상기개구부내에잔존하는상기시드막의다른일부를시드(seed)로이용하는도금공정을수행하여형성될수 있다.

Abstract translation: 本发明公开了透明电极，透明电极通过在透明基板上形成透明绝缘层，在透明绝缘层上形成掩模图案，并使用该掩模图案作为蚀刻掩模进行蚀刻工艺而形成， 该方法包括：在透明基板上形成种子层;去除掩模图案;以及在开口中形成金属图案，该方法包括以下步骤： 通过除去掩模图案而与掩模图案接触的籽晶膜的一部分被去除，而另一部分保留在开口中，并且金属图案形成在开口中 然后使用剩余种子膜的另一部分作为种子进行电镀工艺。

公开(公告)号：KR1020140132800A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：KR1020130050729

申请日：2013-05-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  정우석 ,  김경현 ,  박래만 ,  홍찬화

IPC: G06F3/041

CPC classification number: H01L27/323 ,  G06F3/045 ,  G06F3/041 ,  G02F1/13338 ,  G06F3/0412 ,  H01B5/14

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 기판 상에 배치된 버퍼층, 및 상기 버퍼층의 일측 상에 배치된 ITO(Indium Tin Oxide) 투명전극을 포함하되, 상기 ITO 투명전극은 100nm 내지 500nm의 두께를 가지며 상기 일측의 버퍼층을 투과하는 제 1 투과율과 상기 타측의 버퍼층을 투과하는 제 2 투과율의 차가 1.5% 이하이다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例的触摸屏面板包括布置在基板上的缓冲层; 和设置在缓冲层一侧的透明铟锡氧化物（ITO）电极，其中透明ITO电极的厚度为100nm至500nm，缓冲层的一侧的第一透射率与缓冲层的第二透射率之差 另一侧的层为1.5％以下。

公开(公告)号：KR1020120132130A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：KR1020110050764

申请日：2011-05-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정승묵 ,  정우석 ,  신재헌 ,  홍찬화

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L29/66742

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to increase productivity by forming an amorphous oxide semiconductor of an active layer with a low temperature deposition process at 300 degrees centigrade. CONSTITUTION: A gate electrode(170) is formed on a substrate(110). A gate insulation layer(120) is formed on the gate electrode. An active layer(160) is formed on the gate insulation layer. The active layer is made of the amorphous oxide semiconductor. The amorphous oxide semiconductor is doped with metal dielectric. A source electrode(130) and a drain electrode(150) are formed on both sides of the active layer.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法，以通过在300摄氏度的低温沉积工艺形成有源层的无定形氧化物半导体来提高生产率。 构成：在基板（110）上形成栅电极（170）。 栅极绝缘层（120）形成在栅电极上。 在栅极绝缘层上形成有源层（160）。 有源层由无定形氧化物半导体制成。 非晶氧化物半导体掺杂有金属电介质。 源极电极（130）和漏电极（150）形成在有源层的两侧。

公开(公告)号：KR1020150139104A

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：KR1020140066957

申请日：2014-06-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍찬화 ,  정우석

IPC: G06F3/044

CPC classification number: G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04111

Abstract: 본발명의일 실시예에따른터치스크린패널은셀 영역및 상기셀 영역둘레의배선영역을포함하는기판; 상기기판의상기셀 영역상에제 1 방향으로배열되는복수의제 1 전극셀들; 상기기판의상기셀 영역상에, 상기제 1 전극셀들사이에고립되어형성되며, 제 2 방향으로배열되는복수의제 2 전극셀들; 상기기판의상기셀 영역상에, 상기제 1 전극셀들을상기제 1 방향으로연결하며배치되는복수의제 1 연결전극들; 상기제 1 연결전극들및 이웃하는상기제 2 전극셀들의일부를덮되, 상기제 2 전극셀들과중첩되는영역에서컨택홀들을갖는복수의절연패턴들; 및상기절연패턴들상에배치되며, 상기컨택홀들을통해이웃하는상기제 2 전극셀들을상기제 2 방향으로연결하는복수의제 2 연결전극들을포함할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，触摸屏面板包括：基板，包括单元区域和围绕单元区域的导线区域; 多个第一电极单元，沿第一方向布置在基板的单元区域上; 多个第二电极单元，其形成在所述基板的单元区域上，同时在所述第一电极单元之间被隔离并且沿第二方向布置; 多个第一连接电极，布置在基板的单元区域上，以沿第一方向连接第一电极单元; 多个绝缘图案，覆盖第二电极单元的一部分和第一连接电极，同时在与第二电极单元重叠的区域中具有接触孔; 以及多个第二连接电极，其布置在绝缘图案上并且通过接触孔将相邻的第二电极单元沿第二方向连接。

公开(公告)号：KR1020150129207A

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：KR1020140055348

申请日：2014-05-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍찬화 ,  신재헌 ,  정우석

IPC: G06F3/041

CPC classification number: G06F3/041

Abstract: 터치스크린패널이제공된다. 터치스크린패널은기판, 상기기판상에배치된굴절률이 1.6 내지 2.1인실리콘산화물로이루어진제 1 버퍼층, 상기제 1 버퍼층상에배치된굴절률이 1.3 내지 1.6인실리콘산화물로이루어진제 2 버퍼층, 및상기제 2 버퍼층상에배치된투명전극층을포함한다.

Abstract translation: 提供触摸屏面板。 触摸屏面板包括：基板; 第一缓冲层，其设置在所述基板上，由折射率为1.6〜2.1的氧化硅制成; 第二缓冲层，设置在第一缓冲层上，由折射率为1.3〜1.6的氧化硅制成; 以及设置在第二缓冲层上的透明电极层。