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公开(公告)号：WO2011081440A3
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/KR2010/009492
申请日：2010-12-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 홍병희 , 안종현 , 김형근 , 배수강
Abstract: 본원은 대면적 그래핀 필름의 롤투롤 도핑 방법 및 상기 방법에 의한 도핑된 그래핀 필름에 관한 것으로서, 상기 도핑 방법은 그래핀 필름을 롤투롤 공정을 이용하여 도펀트를 포함하는 도핑 용액 또는 도펀트 증기 내로 통과하도록 함으로써 상기 그래핀 필름을 도핑하는 것을 포함하는, 그래핀 필름의 롤투롤 도핑 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：WO2011099831A2
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：PCT/KR2011/000975
申请日：2011-02-14
IPC: H05B3/84
CPC classification number: H05B3/03 , H05B3/84 , H05B2203/017 , H05B2214/04 , H05K13/00 , Y10T29/49083 , Y10T156/10
Abstract: 본원은 그래핀을 이용한 유연성 투명 발열체 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 발열체는 유연성 투명 기재; 상기 유연성 투명 기재의 적어도 어느 일면에 형성되는 그래핀(graphene) 층; 및, 상기 그래핀 층과 연결되는 전극:을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用石墨烯的柔性透明加热元件及其制造方法。 加热元件包括：柔性透明基底; 形成在柔性透明基底的至少一个表面上的石墨烯层; 和连接到石墨烯层的电极。
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3.发明申请그래핀 전극을 포함하는 플렉시블/스트레처블 반도체 소자, 반도체층과 그래핀 전극 사이의 접촉저항 감소 방법, 및 그래핀 인터커넥터 审中-公开包含石墨电极的柔性/可拉伸半导体器件，用于降低半导体层和石墨电极之间的接触电阻的方法，和石墨互连
公开(公告)号：WO2012091498A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/KR2011/010326
申请日：2011-12-29
IPC: H01L29/786 , H01L29/78 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53276 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78603 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L51/0097 , H01L51/442 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 본원은 그래핀 전극을 포함하는 플렉시블/스트레처블 반도체 소자 및 상기 소자에 있어서 반도체층과 그래핀 전극 사이의 접촉저항을 감소시키는 방법, 그리고 그래핀 인터커넥터에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及包含石墨烯电极的柔性/可拉伸半导体器件，以及用于降低半导体器件中的半导体层和石墨烯电极之间的接触电阻的方法以及石墨烯互连器。
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公开(公告)号：WO2012015267A3
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/KR2011/005600
申请日：2011-07-29
IPC: C01B31/02 , C23C16/26 , C23C16/513 , H01L31/04
Abstract: 본원은 기재(substrate) 상에 탄소 소스를 포함하는 반응 가스 및 열을 제공하여 반응시킴으로써 상기 기재 상에서 그래핀을 형성하는 것을 포함하는, 그래핀의 제조 방법, 상기 제조방법에 의해 형성되는 그래핀 시트 및 이를 이용한 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：WO2011087301A2
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：PCT/KR2011/000258
申请日：2011-01-13
CPC classification number: H01L51/5253 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/184 , C01B32/186 , C01B32/194 , C01B2204/02 , C01B2204/04 , H01L31/048 , H01L51/448 , H01L51/5256 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y10T428/1324 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
Abstract: 본원은 기체 및 수분 차단성을 가지는 그래핀 보호막의 형성 방법 및 이러한 방법에 의하여 제조된 그래핀 보호막 및 그의 용도에 관한 것이다. 단층 또는 다층의 그래핀 보호막은 배리어 코팅 재료 또는 봉지 재료로서 사용 가능하며, 광범위한 산업 분야의 다양한 디바이스의 기체 및 수분 차단성을 향상시켜 상기 디바이스의 전기적 특성을 장시간 유지할 수 있다.
Abstract translation:
本文涉及通过形成具有气体和湿气的阻隔性能和这种方法的石墨烯的保护膜的方法制成的石墨烯保护膜及其用途。 单层或多层的石墨烯的保护膜可被用作一个阻挡涂层材料或封装材料，改善了广泛的工业中具有多种气体和属性的装置的防水屏障可以通过很长一段时间的装置的电特性得以保持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2012008789A9
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/KR2011/005213
申请日：2011-07-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 삼성테크윈 주식회사 , 홍병희 , 안종현 , 유지범 , 배수강 , 정명희 , 장호욱 , 이영빈 , 김상진
Abstract: 본원은 그래핀의 저온 형성 방법, 및 이를 이용한 그래핀 직접 전사 방법 및 그래핀 시트에 관한 것으로서, 상기 그래핀의 저온 형성 방법은 기재 상에 형성된 그래핀 성장용 금속 촉매층에 탄소 소스-함유 가스를 공급하고 유도결합플라즈마 화학기상증착(ICP-CVD)에 의하여 500℃ 이하의 저온에서 그래핀을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2011046415A2
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：PCT/KR2010/007140
申请日：2010-10-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 홍병희 , 안종현 , 배수강 , 김형근
CPC classification number: B32B43/006 , B32B37/0053 , B32B38/00 , B32B38/18 , B32B2313/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/182 , C01B32/194 , C08J7/00 , C08J7/02 , Y10T156/17 , Y10T156/1956 , Y10T428/30
Abstract: 본원은 그래핀의 롤투롤 전사 방법, 그래핀의 롤투롤 전사 장치, 롤투롤 전사 공정에 의해 제조되는 그래핀 롤(roll) 및 그의 용도에 관한 것이다.
Abstract translation:
本申请是肯定的，销对辊转印法的辊，以及涉及一种石墨烯辊（辊）和它的使用，以通过销对辊转印装置的辊来制造，辊对辊转印步骤。
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公开(公告)号：WO2012087065A2
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/KR2011/010038
申请日：2011-12-23
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G01R1/06 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , G06F2203/04106
Abstract: 그래핀을 전극 및/또는 스트레인 게이지(strain gauge)로서 이용하여 터치 위치 및/또는 터치 압력 세기를 특정할 수 있는 터치센서, 특히, 그래핀을 이용함으로써 저항변화에 의하여 압력 및 위치를 동시에 감지할 수 있는 터치센서가 제공된다.
Abstract translation: 提供了一种用于通过使用石墨作为电极和/或应变计测量触摸位置和/或触摸压力的触摸传感器，更具体地，涉及一种用于通过改变来同时检测压力和位置的触摸传感器 通过使用graphin来抵抗。
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公开(公告)号：WO2011081473A2
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/KR2010/009555
申请日：2010-12-30
IPC: B41M5/03
CPC classification number: H01L29/458
Abstract: 본원은 그래핀 투명 전극, 이를 포함하는 플렉시블 실리콘 박막 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 화학 기상 증착법을 이용하여 제조되는 대면적 그래핀 필름을 도전막으로서 포함하는 그래핀 투명 전극을 이용하여 플렉시블하고 투명한 박막 반도체 소자를 용이하게 제조할 수 있다.
Abstract translation: 透明石墨烯电极及其制备方法技术领域本发明涉及透明石墨烯电极，含有该透明石墨烯电极的柔性硅薄膜半导体装置及其制备方法。 通过使用包含通过化学气相沉积制备的大面积石墨烯膜作为导电膜的透明石墨烯电极，可以容易地制备柔性和透明的薄膜半导体器件。
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公开(公告)号：KR1020140106210A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020130020472
申请日：2013-02-26
Applicant: 한국전자통신연구원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B33/021 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC classification number: C01B33/021 , C01P2004/64 , H01L21/02381
Abstract: A method for manufacturing ultra-thin film silicon according to an embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a silicon layer on top of a silicon oxide film; forming a thermal oxide film in the upper region of the silicon layer by performing thermal oxidation on the surface of the silicon layer and forming a first silicon layer thinner than the silicon layer in the lower region of the silicon layer; exposing the surface of the first silicon layer by removing the thermal oxide film; forming an ozone oxide film in the first silicon layer adjacent to the surface of the first silicon layer by performing ozone surface oxidation on the surface of the first silicon layer and forming a second silicon layer thinner than the silicon layer between the ozone oxide film and the silicon oxide film; exposing the surface of the second silicon layer by removing the ozone oxide film; and separating the second silicon layer from the silicon oxide film by etching the silicon oxide film.
Abstract translation: 根据本发明实施例的制造超薄膜硅的方法包括以下步骤：在氧化硅膜的顶部制备硅层; 通过在硅层的表面上进行热氧化，在硅层的下部区域形成比硅层薄的第一硅层，在硅层的上部区域形成热氧化膜; 通过去除热氧化膜来暴露第一硅层的表面; 通过在第一硅层的表面上进行臭氧表面氧化，形成与第一硅层表面相邻的第一硅层中的臭氧氧化膜，形成比臭氧氧化物膜和 氧化硅膜; 通过去除臭氧氧化膜来暴露第二硅层的表面; 以及通过蚀刻所述氧化硅膜将所述第二硅层与所述氧化硅膜分离。
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