Abstract:
본발명은 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물의 전구물질에 관한 것이며, 본 발명의 일 실시예에 따른 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 전구물질은 유기 양이온, 금속양이온, 할로겐 음이온 및 게스트 분자 (guest molecule, GM)를 함유한다.
Abstract:
본 발명은 제1전극, 상기 제1전극 상에 위치하는 전자전달층, 광흡수체, 정공전달층 및 제 2전극을 포함하는 태양전지로서, 상기 광흡수체는 서로 상이한 조성을 갖는 둘 이상의 페로브스카이트 구조의 유기금속할로겐화물 고용체를 광 흡수체로 함유하는 태양전지에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 상세하게, 제1전극; 제1전극상 위치하며 광흡수체가 함입된 복합층; 상기 복합층 상부에 위치하며 광흡수체로 이루어진 광흡수 구조체; 상기 광흡수 구조체 상부에 위치하는 홀 전도층; 및 상기 홀 전도층 상부에 위치하는 제 2전극;을 포함하는 태양전지에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 고효율 페로브스카이트 화합물 막의 제조방법 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것으로서, 상기 제조방법은 금속할로겐화물-함유 전구물질의 막을 할로겐 이온 또는 할로겐 분자, 및 유기할로겐화물이 용해된 용액과 반응시키는 간단하고 안정적인 방법에 의해 결함 농도가 적은 고품질의 페로브스카이트 화합물 막을 제조할 수 있다. 또한, 상기 제조방법은 공정 변수의 변화에 따라 민감하게 막의 성질이 변화하지 않으므로, 품질 유지가 매우 용이하고 큰 면적의 페로브스카이트 화합물 막을 제조할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 상세하게, 제 1전극; 제 1전극상 위치하며 광흡수체가 함입된 복합층; 상기 복합층 상부에 위치하며 광흡수체로 이루어진 광흡수 구조체; 상기 광흡수 구조체 상부에 위치하는 홀 전도층; 및 상기 홀 전도층 상부에 위치하는 제2전극;을 포함하는 태양전지에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 높은 효율을 가지며, 안정성이 우수하고, 저가의 원료로 대량 생산 가능하여 태양전지의 상업화가 용이한 신규한 구조의 태양전지에 관한 것으로, 상세하게, 금속산화물 입자를 포함하는 다공성의 무기 전자 전달층; 무기 반도체를 포함하는 광흡수체; 및 유기 광전 물질을 포함하는 유기 정공 전달층;을 포함하는 태양전지이다.
Abstract:
본 발명은 a) 바륨염, 주석염, 과산화수소수 및 유기산을 포함하는 혼합용액에 알칼리 수용액을 첨가하여 비정질 침전물을 침전시키는 단계; b) 상기 비정질 침전물이 포함된 혼합용액을 예열처리하여 결정질 BaSnO 3 전구체 물질을 제조하는 단계; c) 상기 결정질 BaSnO 3 전구체 물질을 극성 유기용매에 분산시켜 분산액을 제조하는 단계; d) 상기 분산액을 기판 상에 도포하는 단계; 및 e) 상기 기판 상에 도포된 분산액을 열처리하여 페로브스카이트 구조의 BaSnO 3 박막을 제조하는 단계;를 포함하는 BaSnO 3 박막의 저온 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명에 따른 무 /유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막이구비되는 소자의 제조방법은 a)하기 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 계 1표면층을 포함하는 제 1구조체와,제 1표면층과 독립적으로 하기 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 제 2표면층을 포함하는 제 2구조체를,계 1표면층과 제 2표면층이 맞닿도록 적층하는 단계, 및 b) 제 1구조체와 제 2구조체가 적층된 적층체에 열 및 물리적 힘을 인가하는 단계를 포함한다. i)무 /유기하이브리드 페로브스카이트 화합물, ii)유기할로겐화물, iii) 금속할로겐화물, iv)무 /유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 전구물질, V) 금속할로겐화물 전구물질.
Abstract:
본 발명은 매우 높은 효율을 가지며, 안정성이 우수하고, 저가의 원료로 대량 생산 가능하여 태양전지의 상업화가 용이한 신규한 구조의 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 상세하게 a) 금속산화물 입자를 함유하는 슬러리를 도포하고 열처리하여 다공성 전자 전달층(electron transporting layer)을 형성하는 단계; b) 상기 다공성 전자 전달층의 금속산화물 입자 표면에 무기 반도체를 형성하는 단계; 및 c) 상기 무기 반도체가 형성된 다공성 전자 전달층에 유기 광전 물질(organic photovoltaic material)을 함유하는 용액을 함침하여 정공 전달층(hole transporting layer)을 형성하는 단계;를 포함하여 수행된다.