-
公开(公告)号：KR102232262B1
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020190036769A
申请日：2019-03-29
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01M8/18 , H01M8/0241 , H01M8/04276 , H01M8/1051 , H01M8/1081
CPC classification number: H01M8/188 , H01M8/0241 , H01M8/1051 , H01M8/1081 , H01M8/04276 , Y02E60/50
Abstract: 본원 발명은 바나듐 이온 저투과성 복합 분리막 및 이를 포함하는 레독스 흐름 전지에 대한 것으로 보다 구체적으로는 이온교환 작용기를 가지는 고분자 수지; 및 라디칼 포착제가 담지된 무기입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 레독스 흐름전지용 복합 분리막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 레독스 흐름 전지에 대한 것이다. 본원 발명에 따른 레독스 흐름 전지용 복합 분리막은 바나듐 이온의 투과를 억제하고 도입된 무기입자에 의한 고분자 매트릭스의 보강효과에 의하여 기계적 물성이 우수하므로 막의 두께를 줄일 수 있고, 막 두께의 감소에 의한 오믹 저항 또한 현저히 감소시킬 수 있는 장점이 있을 뿐만 아니라 우수한 내구성 및 고전류 밀도에서도 고 에너지 효율을 보이는 장점이 있다.
-
公开(公告)号：WO2018199545A1
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：PCT/KR2018/004509
申请日：2018-04-18
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08G61/10 , H01B1/12 , C08J5/22 , H01M8/0241 , H01M8/18
CPC classification number: C08G61/10 , C08J5/22 , H01B1/12 , H01M8/0241 , H01M8/18 , Y02E60/528
Abstract: 본원 발명은 폴리페닐렌계 음이온 전도체, 이의 제조방법 및 용도에 대한 것이다. 보다 구체적으로는 폴리페닐렌계 음이온교환소재에 대한 것으로, 상용화된 양이온 교환소재인 Nafion115에 비해 활물질의 크로스오버(crossover)가 낮고 이에 따라 쿨롬효율이 우수하며, 구조적으로는 고분자 주쇄가 폴리페닐렌으로 이루어져 주쇄에 O-, -S-, -(CH 2 ) n - 등의 전자주게 특성의 연결기를 포함하지 않고 벤젠고리 사이의 C-C 결합으로만 이루어져 있어 소재의 치수 안정성이 우수한 폴리페닐렌계 음이온 교환 고분자, 이의 제조방법 및 제조된 폴리페닐렌계 음이온 고분자를 레독스 흐름 전지(Redox Flow Battery)용 격리막에 적용한 레독스 흐름 전지에 대한 것이다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102232262B1
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020190036769
申请日：2019-03-29
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01M8/18 , H01M8/1051 , H01M8/1081 , H01M8/0241 , H01M8/04276
Abstract: 본원발명은바나듐이온저투과성복합분리막및 이를포함하는레독스흐름전지에대한것으로보다구체적으로는이온교환작용기를가지는고분자수지; 및라디칼포착제가담지된무기입자를포함하는것을특징으로하는레독스흐름전지용복합분리막, 이의제조방법및 이를포함하는레독스흐름전지에대한것이다. 본원발명에따른레독스흐름전지용복합분리막은바나듐이온의투과를억제하고도입된무기입자에의한고분자매트릭스의보강효과에의하여기계적물성이우수하므로막의두께를줄일수 있고, 막두께의감소에의한오믹저항또한현저히감소시킬수 있는장점이있을뿐만아니라우수한내구성및 고전류밀도에서도고 에너지효율을보이는장점이있다.
-
-
-
-
公开(公告)号：KR101888619B1
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：KR1020170104323
申请日：2017-08-17
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C08F2/48 , B01D61/427 , B01D69/10 , B01D2325/16 , C08F283/00 , C08J3/24 , C08J3/28 , C08J5/2218 , C08J5/2293
Abstract: 본원발명은이온교환기를포함하는고분자형가교제의광경화반응을통한음이온교환소재및 이의제조방법에대한것으로, 보다구체적으로는고분자사슬에할로겐원소를도입하는할로겐화고분자제조단계; 상기할로겐화고분자와피리딜기, 카바졸릴기, 이미다졸릴기또는 3차아민기를가지는아크릴계화합물을반응시키는광경화반응기도입단계; 및광경화반응기가도입된고분자에 UV를조사하여경화시키는광경화단계를포함하는것을특징으로하는광경화반응을통한음이온교환소재의제조방법및 이로부터제조되는음이온교환소재에대한것이다. 본원발명은음이온교환성기가될 수있는기능성기를가지는아크릴계화합물을할로겐기와반응을통하여고분자에도입함으로써가격이저렴하고물성이우수한엔지니어링수지를기반으로하는가교형음이온교환소재를개발할수 있고, 광경화반응을통해가교구조를가지는음이온교환소재를쉽게제조할수 있는장점이있다.
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.018 seconds)
