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公开(公告)号：KR100781401B1
公开(公告)日：2007-12-03
申请号：KR1020040096837
申请日：2004-11-24
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 인듐 나노입자의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 질소(N)나 인(P) 원소를 함유하는 특정의 유기용매와 특정의 반응온도 조건에서 염화인듐(InCl
3 )과 금속 나트륨(Na)을 반응하여 인듐 나노입자를 제조하는 신규의 방법으로, 종래에 비해 낮은 반응온도에서 보다 경제적으로 나노크기를 갖는 인듐 입자의 제조가 가능하여 단전자 트랜지스터, 바이오나노 기술, 나노지로그래피, 인듐포스파이드(InP)의 출발물질 등의 여러 나노기술 분야에 적용 가능한 신규한 인듐 나노입자의 제조방법에 관한 것이다.
염화인듐, 금속 나트륨, 질소(N)나 인(P) 원소를 함유하는 유기용매, 인듐 나노입자-
公开(公告)号：KR1020060071763A
公开(公告)日：2006-06-27
申请号：KR1020040110740
申请日：2004-12-22
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C01G15/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/64
Abstract: 본 발명은 인듐 포스파이드(InP) 나노입자 양자점의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 질소 함유 유기화합물의 반응 용매하에서 금속나트륨(Na)과 백린(P)을 반응시켜 제조한 인화 나트륨(Na
3 P) 콜로이드 용액과, 인 함유 유기화합물에 용해된 인듐 클로라이드(InCl
3 )와 반응함에 있어, 상기 인 함유 유기화합물이 인듐 클로라이드(InCl
3 )와 반응하여 착체를 형성하고, 반응으로 제조된 인듐 포스파이드(InP)의 나노입자 양자점 콜로이드를 안정화하는 역할을 수행하여, 종래에 비해 공정상의 안전성이 향상될 뿐만 아니라 입자의 크기가 균일하고 결정성이 우수한 신규의 인듐 포스파이드(InP) 나노입자 양자점의 제조 방법에 관한 것이다.
질소 함유 유기화합물, 인화 나트륨 콜로이드 용액, 인 함유 유기화합물, 인듐 클로라이드-
公开(公告)号：KR1020060057784A
公开(公告)日：2006-05-29
申请号：KR1020040096837
申请日：2004-11-24
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 인듐 나노입자의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 질소(N)나 인(P) 원소를 함유하는 특정의 유기용매와 특정의 반응온도 조건에서 염화인듐(InCl
3 )과 금속 나트륨(Na)을 반응하여 인듐 나노입자를 제조하는 신규의 방법으로, 종래에 비해 낮은 반응온도에서 보다 경제적으로 순도가 높고, 나노크기를 갖는 인듐 입자의 제조가 가능하여 단전자 트랜지스터, 바이오나노 기술, 나노지로그래피, 인듐포스파이드(InP)의 출발물질 등의 여러 나노기술 분야에 적용 가능한 신규한 인듐 나노입자의 제조방법에 관한 것이다.
염화인듐, 금속 나트륨, 질소(N)나 인(P) 원소를 함유하는 유기용매, 인듐 나노입자-
公开(公告)号：KR100675963B1
公开(公告)日：2007-01-29
申请号：KR1020040110740
申请日：2004-12-22
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 인듐 포스파이드(InP) 나노입자 양자점의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 질소 함유 유기화합물의 반응 용매하에서 금속나트륨(Na)과 백린(P)을 반응시켜 제조한 인화 나트륨(Na
3 P) 콜로이드 용액과, 인 함유 유기화합물에 용해된 인듐 클로라이드(InCl
3 )와 반응함에 있어, 상기 인 함유 유기화합물이 인듐 클로라이드(InCl
3 )와 반응하여 착체를 형성하고, 반응으로 제조된 인듐 포스파이드(InP)의 나노입자 양자점 콜로이드를 안정화하는 역할을 수행하여, 종래에 비해 공정상의 안전성이 향상될 뿐만 아니라 입자의 크기가 균일하고 결정성이 우수한 신규의 인듐 포스파이드(InP) 나노입자 양자점의 제조 방법에 관한 것이다.
질소 함유 유기화합물, 인화 나트륨 콜로이드 용액, 인 함유 유기화합물, 인듐 클로라이드
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