Abstract:
본발명은광추출층제조방법으로서 a) 금속산화물나노입자, 고분자수지재료및 표면처리제를포함하되, 금속산화물나노입자가 20wt% 내지 98wt% 인금속산화물나노입자분산액을기판위에코팅하여광추출층을도포하는단계및 b) 기판위에도포된광추출층을경화하는단계를포함하는, 금속산화물나노입자를포함하는광추출층제조방법과이의방법으로이루어진광추출층을포함하는유기발광다이오드소자에관한것이다.
Abstract:
본발명은광추출층제조방법으로서 a) 금속산화물나노입자, 고분자수지재료및 표면처리제를포함하되, 금속산화물나노입자가 20wt% 내지 98wt% 인금속산화물나노입자분산액을기판위에코팅하여광추출층을도포하는단계및 b) 기판위에도포된광추출층을경화하는단계를포함하는, 금속산화물나노입자를포함하는광추출층제조방법과이의방법으로이루어진광추출층을포함하는유기발광다이오드소자에관한것이다.
Abstract:
본발명은금속산화물나노입자분산액제조방법으로서, a) 5nm 내지 500nm의크기를갖는금속산화물나노입자를준비하는단계, b) 금속산화물나노입자에용매와표면처리제를첨가한후, 혼합공정으로금속산화물나노용액을제조하는단계, c) 고분자수지재료에용매를첨가한후, 혼합공정으로고분자매트릭스용액을제조하는단계및 d) 상기금속산화물나노용액에상기고분자매트릭스용액을첨가한후, 혼합공정으로금속산화물나노입자분산액을제조하는단계를포함하되, 상기금속산화물나노입자분산액의금속산화물나노입자를집합체형상으로유도하고, 상기집합체크기를 10nm 내지 5㎛범위내로조절하는것에특징이있는, 금속산화물나노입자분산액제조방법이다.