公开(公告)号：WO2015190670A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/KR2015/001786

申请日：2015-02-25

Applicant: 한양대학교에리카산학협력단

Inventor： 백상현 ,  정성수

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L25/0657 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치가 제공된다. 상기 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치는, 기판을 관통하는 메인 관통 전극을 포함하고, 서로 이격된 제1 및 제2 신호 전달 영역(signal transfer regions), 및 상기 기판을 관통하는 스페어 관통 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 신호 전달 영역들 사이에 배치된 복구 영역(repairable region)을 포함하되, 상기 제1 및 제2 신호 전달 영역은 상기 복구 영역을 서로 공유하여, 불량이 발생한 상기 제1 및 제2 신호 전달 영역의 상기 메인 관통 전극을 상기 복구 영역의 상기 스페어 관통 전극으로 대체하는 것을 포함한다.

Abstract translation: 提供具有可修复的通孔的半导体装置。 具有可修复的通孔的半导体装置包括：通过基板的主通孔; 第一和第二信号传输区域彼此间隔开; 通过基板的备用通电极; 以及布置在第一和第二信号传送区域之间的可修复区域，其中第一和第二信号传送区域彼此共享可修复区域，使得当在第一和第二信号传送区域的主通孔处发生偏离时， 在可修复区域中，主通孔被替换为备用通孔。