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公开(公告)号：KR101394755B1
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：KR1020120057207
申请日：2012-05-30
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 광섬유의 비대칭 장주기 격자 제조 방법은, 기판 상에 일차적으로 제1 폴리머를 코팅한 후, 제1 폴리머 상에 광섬유를 로딩하고 이어서 제2 폴리머를 상기 광섬유 상에 코팅하는, 폴리머 형성 단계; 기판의 상부에 개방 부분 및 차단 부분이 구비된 마스크를 배치한 후 마스크를 통해 자외선을 노출시킴으로써 제2 폴리머를 노광시키는, 노광 단계; 제2 폴리머의 일부분을 현상하는, 현상 단계; 및 제2 폴리머의 일부분의 현상을 통해 노출되는 광섬유의 표면을 식각함으로써 광섬유에 비대칭의 장주기 격자를 형성하는, 식각 단계;를 포함하며, 제2 폴리머는 제1 폴리머에 비해 자외선에 대한 반응 정도가 크며, 노광 단계에 이은 현상 단계 시 제2 폴리머에 한해 현상이 이루어짐으로써 광섬유에 비대칭의 장주기 격자가 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 기존의 진폭 마스크 방법과 아크 방전 방법에서 사용되는 광민감성 광섬유, 자외선 레이저와 같은 고가의 장비 없이 반도체 공정의 식각 공정을 기반으로 하여 광섬유에 비대칭의 장주기 격자를 형성할 수 있으며 따라서 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라 대량 생산을 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130134011A
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120057207
申请日：2012-05-30
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: G02B6/136 , B29D11/00663 , G02B6/02095 , G02B6/138 , G02B2006/12173 , G02B2006/12176 , G03F7/2002
Abstract: An embodiment of the present invention relates to an asymmetrical long-period lattice manufacturing method of an optical fiber, and the asymmetrical long-period lattice manufacturing method comprises a polymer forming step for forming a polymer by coating a second polymer and by loading the optical fiber on a first polymer after coating the first polymer on a circuit board; a light exposing step for exposing light to the second polymer by exposing ultraviolet ray through a mask after arranging the mask including an opened part and a blocked part on the circuit board; and an etching step for forming the asymmetrical long-period lattice on the optical fiber by etching the surface of the optical fiber exposed through the phenomenon of the second polymer. The second polymer has a bigger reactivity than the first polymer, and the asymmetrical long-period lattice is able to be formed on the optical fiber with the second polymer in the developing step. According to the embodiment of the present invention, the asymmetrical long-period lattice manufacturing method is able to form the asymmetrical long-period lattice based on the etching process of a semiconductor process without an expensive equipment such as a photosensitive optical fiber or an ultraviolet laser used in the existing amplitude mask method and an arc discharging method. Therefore, the asymmetrical long-period lattice manufacturing method is able to reduce costs and be mass produced. [Reference numerals] (AA) Start;(BB) End;(S100) Step of forming polymer;(S110) Coating first polymer on circuit board;(S120) Baking an optical fiber after loading the optical fiber on a first polymer;(S130) Baking an optical fiber after coating the optical fiber on a second polymer;(S200) Step of exposing ultraviolet rays to a polymer coated on a circuit board;(S210) Exposing ultraviolet rays to a circuit board through a mask which is partially opened;(S220) Baking exposed circuit board;(S300) Step of developing a part of a second polymer which is exposed by ultraviolet rays;(S400) Step of etching and forming asymmetrical long-period lattice by etching an optical fiber in which a second polymer is removed
Abstract translation: 本发明的一个实施例涉及一种光纤的不对称长周期晶格制造方法，并且不对称的长周期晶格制造方法包括通过涂覆第二聚合物形成聚合物并通过加载光纤的聚合物形成步骤 在第一聚合物上涂覆第一聚合物在电路板上; 光曝光步骤，用于在将包括打开部分和阻挡部分的掩模布置在电路板上之后通过掩模通过紫外线曝光来将光暴露于第二聚合物; 以及通过蚀刻通过第二聚合物的现象暴露的光纤的表面，在光纤上形成不对称的长周期格子的蚀刻步骤。 第二聚合物具有比第一聚合物更大的反应性，并且在显影步骤中能够用第二聚合物在光纤上形成不对称的长周期晶格。 根据本发明的实施例，不对称的长周期晶格制造方法能够基于半导体工艺的蚀刻工艺形成不对称的长周期晶格，而不需要昂贵的设备，例如光敏光纤或紫外激光 用于现有的振幅掩模法和电弧放电法。 因此，不对称的长周期晶格制造方法能够降低成本并大量生产。 （AA）开始;（BB）结束;（S100）形成聚合物的步骤;（S110）在电路板上涂覆第一聚合物;（S120）将光纤加载到第一聚合物上之后烘烤光纤;（ S130）在将光纤涂布在第二聚合物上之后烘烤光纤;（S200）将紫外线照射到涂布在电路板上的聚合物上的步骤;（S210）通过部分打开的掩模将紫外线照射到电路板 ;（S220）烘烤曝光电路板;（S300）使紫外线曝光的第二聚合物的一部分显影的工序;（S400）蚀刻形成不对称的长周期晶格的工序， 聚合物被去除
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