公开(公告)号：WO2015182888A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：PCT/KR2015/004331

申请日：2015-04-29

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 최덕균 ,  정승기 ,  김명민 ,  김명호

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 상에 절연체층을 형성하는 단계, 산소 가스를 포함하는 혼합가스 분위기 하에서 상기 절연체층 상에 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계, 상기 산화물 반도체 박막과 전기적으로 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 및 상기 산화물 반도체 박막 상에 UV 광을 조사하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 산소 공공을 감소시킴과 동시에 이동도를 향상시킬 수 있다. 또한, 산화물 박막 트랜지스터 소자의 안정성을 개선시킬 수 있다.

Abstract translation: 提供一种氧化物半导体薄膜晶体管制造方法。 该制造方法包括以下步骤：在衬底上形成栅电极; 在栅电极上形成绝缘体层; 在包括氧气的混合气体气氛下在绝缘体层上形成氧化物半导体薄膜; 形成与氧化物半导体薄膜电连接的源电极和漏电极; 并将UV光照射到氧化物半导体薄膜上。 制造方法既能减少氧空位，又能提高流动性。 此外，可以提高氧化物薄膜晶体管元件的稳定性。

公开(公告)号：KR1020150136726A

公开(公告)日：2015-12-08

申请号：KR1020140063967

申请日：2014-05-27

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 최덕균 ,  정승기 ,  김명민 ,  김명호

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 산화물반도체박막트랜지스터의제조방법을제공한다. 상기제조방법은기판상에게이트전극을형성하는단계, 상기게이트전극상에절연체층을형성하는단계, 산소가스를포함하는혼합가스분위기하에서상기절연체층상에산화물반도체박막을형성하는단계, 상기산화물반도체박막과전기적으로접속하는소스전극및 드레인전극을형성하는단계, 및상기산화물반도체박막상에 UV 광을조사하는단계를포함한다. 이에따라, 산소공공을감소시킴과동시에이동도를향상시킬수 있다. 또한, 산화물박막트랜지스터소자의안정성을개선시킬수 있다.

Abstract translation: 提供一种用于制造氧化物半导体薄膜晶体管的方法。 该制造方法包括以下步骤：在基板上形成栅电极; 在栅电极上形成绝缘层; 在包含氧气的混合气体气氛中，在所述绝缘层上形成氧化物半导体薄膜; 形成与氧化物半导体薄膜电连接的源电极和漏电极; 并向氧化物半导体薄膜照射紫外线，从而减少氧空位和提高迁移率。 此外，该方法可以提高氧化物薄膜晶体管器件的稳定性。