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公开(公告)号：WO2017146457A3
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：PCT/KR2017/001938
申请日：2017-02-22
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 열전환 폴리(벤즈옥사졸-이미드) 공중합체 기반의 초박형 복합막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 열전환 폴리(벤즈옥사졸-이미드) 공중합체로 다공성 지지체를 형성하고, 상기 다공성 지지체 위에 박막의 활성층을 포함하는 초박형 복합막을 제조하는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 초박형 복합막은 열적·화학적 안정성 및 기계적 물성이 우수하여 높은 작동압력에도 견딜 수 있을 뿐만 아니라, 내부농도분극을 최소화하여 높은 수투과도 및 그에 따른 높은 전력밀도를 얻을 수 있어 압력지연삼투 또는 정삼투 공정에 응용할 수 있다. 또한, 유기용매에 대한 화학적·열적 안정성이 우수하고, 유기용매 나노여과 성능이 뛰어날 뿐만 아니라, 특히 고온의 유기용매 조건에서도 나노여과 성능이 안정적으로 유지되므로 유기용매 나노여과막으로 응용할 수도 있다.
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公开(公告)号：WO2017138799A1
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：PCT/KR2017/001560
申请日：2017-02-13
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 보안 반도체 칩이 제시된다. 반도체 칩은 이를 테면 시스템 온 칩이다. 시스템 온 칩에 포함되는 프로세서 코어에는 시스템 버스를 통해 통상의 IP들이 연결되어 동작한다. 상기 시스템 버스와 물리적으로 구분되는 히든 버스인 보안 버스가 별도로 제공된다. 보안 버스에는 보안 기능을 수행하거나 보안 데이터를 취급하는 보안 IP들이 연결된다. 보안 반도체 칩은 일반 모드와 보안 모드를 바꾸어 가며 필요한 인증을 수행할 수 있다.
Abstract translation: 介绍安全半导体芯片。 例如，半导体芯片是片上系统（system-on-a-chip）。 片上系统中包含的处理器内核通过系统总线连接到常规IP。 安全总线是与系统总线物理分离的隐藏总线，单独提供。 安全总线连接执行安全功能或处理安全数据的安全IP。 安全半导体芯片可以改变正常模式和安全模式来执行所需的认证。
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公开(公告)号：WO2017138797A1
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：PCT/KR2017/001554
申请日：2017-02-13
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 보안 반도체 칩이 제시된다. 반도체 칩은 이를 테면 시스템 온 칩이다. 시스템 온 칩에 포함되는 프로세서 코어에는 시스템 버스를 통해 통상의 IP들이 연결되어 동작한다. 상기 시스템 버스와 물리적으로 구분되는 히든 버스인 보안 버스가 별도로 제공된다. 보안 버스에는 보안 기능을 수행하거나 보안 데이터를 취급하는 보안 IP들이 연결된다. 보안 반도체 칩은 일반 모드와 보안 모드를 바꾸어 가며 필요한 인증을 수행할 수 있다.
Abstract translation: 介绍安全半导体芯片。 例如，半导体芯片是片上系统（system-on-a-chip）。 片上系统中包含的处理器内核通过系统总线连接到常规IP。 安全总线是与系统总线物理分离的隐藏总线，单独提供。 安全总线连接执行安全功能或处理安全数据的安全IP。 安全半导体芯片可以改变正常模式和安全模式来执行所需的认证。
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公开(公告)号：WO2017146412A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：PCT/KR2017/001669
申请日：2017-02-15
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: B01D61/00 , B01D67/00 , B01D69/10 , B01D69/12 , B01D71/06 , B01D71/56 , B01D71/68 , C02F1/44
Abstract: 본 발명은 수처리 분리막용 다공성 지지체, 이를 포함하는 초박형 복합막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 가교구조의 술폰화 폴리(아릴렌에테르술폰)공중합체로 다공성 지지체를 형성하고, 상기 다공성 지지체 위에 박막의 활성층을 포함하는 복합막을 제조하여 수처리 분리막으로 응용하는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 얇고 기공률이 높은 가교구조의 술폰화 폴리(아릴렌에테르술폰)공중합체 지지체, 이를 포함하는 초박형 복합막은 열적·화학적 안정성 및 기계적 물성이 우수하여 높은 작동압력에도 견딜 수 있을 뿐만 아니라, 내부농도분극을 최소화하여 높은 수투과도 및 그에 따른 높은 전력밀도를 얻을 수 있으므로 압력지연삼투공정 또는 정삼투공정을 비롯한 수처리 분리막으로 응용이 가능하다.
Abstract translation:
本发明形成具有水处理分离多孔性支持膜的多孔载体，超薄复合膜和涉及制造相同，磺化聚的交联结构（亚芳基醚砜）共聚物，其包含相同的对的方法 并且在多孔支撑体上制备包括薄膜活性层的复合膜并将其用作水处理分离膜。 高成本的制造根据本发明，磺化聚的交联结构（亚芳基醚砜）共聚物支撑的薄多孔性的，热＆middot膜是超薄复合材料，包括相同的;具有优异的化学稳定性和机械性能，以能够承受高的工作压力 此外，它提供了一个高的传输速率和高功率密度，因此可以最小化内部浓度极化可用作水处理分离膜被应用，包括压力延迟渗透或正向渗透过程步骤。
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公开(公告)号：WO2023287174A1
公开(公告)日：2023-01-19
申请号：PCT/KR2022/010146
申请日：2022-07-12
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/417
Abstract: 본 발명은 컴팩트 드레인 및 이종 물질 구조에 기반하는 트랜지스터에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 트랜지스터는 매립형 산화물(buried oxide, BOX)층과 매립형 산화물층 상에 형성된 활성층을 구비하는 기판과, 기판 상에 형성된 절연층 및 절연층 상에 형성되고 드레인 전극, 게이트 전극 및 소스 전극을 구비하는 전극층을 포함할 수 있으며, 여기서 활성층은 드레인 영역에 대응되는 제1 반도체층, 채널 영역에 대응되는 제2 반도체층 및 소스 영역에 대응되는 제3 반도체층을 포함하되, 제1 반도체층은 제2 반도체층 보다 얇은 두께로 형성되고, 제3 반도체층은 제2 반도체층 보다 밴드갭(band-gap)이 낮은 물질로 형성될 수 있다.
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Patent Agency Ranking6.发明申请
公开(公告)号：WO2015046774A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/KR2014/008235
申请日：2014-09-03
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: B01D71/64
CPC classification number: B01D71/64 , B01D61/364 , B01D67/0083 , B01D69/02 , B01D71/76 , B01D2323/39
Abstract: 본 발명은 히드록시기 함유 폴리이미드-폴리이미드 공중합체 막을 제조하고, 이를 열처리함으로써 열전환 폴리(벤즈옥사졸-이미드) 공중합체 막을 제조하여 막 증류에 응용하는 것이다. 본 발명에 따라 제조된 열전환 폴리(벤즈옥사졸-이미드)공중합체 분리막은 열적·화학적 특성이 우수할 뿐만 아니라, 젖음 압력이 높고 열전도도가 낮으며, 투과 유량이 높고 장기 안정성이 우수하여 막 증류공정에 바람직하게 응용할 수 있다.
Abstract translation: 本发明通过制备和热处理含羟基的聚酰亚胺 - 聚酰亚胺共聚物膜来制备热重排的聚（苯并恶唑 - 酰亚胺）共聚物膜，并将热重排的聚（苯并恶唑 - 酰亚胺）共聚物膜应用于膜蒸馏。 根据本发明制备的热重排的聚（苯并恶唑 - 酰亚胺）共聚物分离膜具有高的液体进入压力，低导热性，高渗透流速和良好的长期稳定性以及优异的热和化学性能，因此可以 优选地应用于膜蒸馏方法。
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公开(公告)号：WO2023287173A1
公开(公告)日：2023-01-19
申请号：PCT/KR2022/010145
申请日：2022-07-12
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L27/102 , H01L27/108
Abstract: 본 발명은 수직 구조의 사이리스터 및 이를 포함하는 크로스-포인트 메모리 어레이에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 수직 구조의 사이리스터는 외주면에 절연막이 형성된 반도체 코어 및 절연막 상에 형성된 복수의 금속층을 포함하고, 반도체 코어는 복수의 금속층과의 일함수(work function) 차이로 인한 전하 플라즈마(charge plasma) 현상에 기초하여 복수의 금속층 각각에 대응되는 영역에 베이스층 및 에미터층 중 적어도 하나의 층이 형성될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2017146457A2
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：PCT/KR2017/001938
申请日：2017-02-22
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: B01D61/00 , B01D67/00 , B01D69/10 , B01D69/12 , B01D71/56 , B01D71/64 , C02F1/44
Abstract: 본 발명은 열전환 폴리(벤즈옥사졸-이미드) 공중합체 기반의 초박형 복합막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 열전환 폴리(벤즈옥사졸-이미드) 공중합체로 다공성 지지체를 형성하고, 상기 다공성 지지체 위에 박막의 활성층을 포함하는 초박형 복합막을 제조하는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 초박형 복합막은 열적·화학적 안정성 및 기계적 물성이 우수하여 높은 작동압력에도 견딜 수 있을 뿐만 아니라, 내부농도분극을 최소화하여 높은 수투과도 및 그에 따른 높은 전력밀도를 얻을 수 있어 압력지연삼투 또는 정삼투 공정에 응용할 수 있다. 또한, 유기용매에 대한 화학적·열적 안정성이 우수하고, 유기용매 나노여과 성능이 뛰어날 뿐만 아니라, 특히 고온의 유기용매 조건에서도 나노여과 성능이 안정적으로 유지되므로 유기용매 나노여과막으로 응용할 수도 있다.
Abstract translation:
本发明是聚热转化（苯并恶唑 - 酰亚胺）共聚物为基础的超薄复合膜，并涉及一种制造方法，聚热转化（苯并恶唑 - 酰亚胺）共聚物的方法 以及一种用于制造在多孔载体上包含薄膜活性层的超薄复合膜的技术。 根据本发明的超薄复合膜热与middot制成;化学稳定性和机械性能优异，以及能够承受高的工作压力，以最小的内部浓度极化可以得到大量的传输速率的和高功率密度，因此压力 它可以应用于延迟渗透或正向渗透过程。 此外，在有机溶剂，纳米过滤性能，特别是纳米过滤性能在有机溶剂中的化学＆middot，由于优异的热稳定性，以及优良的，即使在高温下的有机溶剂的条件可以被应用作为有机溶剂的纳滤膜<被稳定地维持。 / p>
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公开(公告)号：KR101925504B1
公开(公告)日：2018-12-05
申请号：KR1020160076745
申请日：2016-06-20
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 오르쏘-히드록시 폴리이미드 공중합체 막의 가교반응 및 후속 열전환에 의하여, 가교구조를 갖는 열전환 폴리(벤즈옥사졸-이미드) 공중합체 막을 제조하고, 이를 유기용매 나노여과막으로 응용하는 기술에 관한 것이다
본 발명에 따라 제조된 가교구조의 열전환 폴리(벤즈옥사졸-이미드) 공중합체 유기용매 나노여과막은 공중합체 내 폴리벤즈옥사졸 구조단위의 함량을 조절함으로써 유기용매에 대한 화학적 안정성이 우수하고, 유기용매 나노여과 성능이 뛰어나 화학산업 및 제약산업에서 상용화가 가능하다.
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