비정질 박막의 결정화방법 및 이를 수행하기 위한 배선구조
    1.
    发明公开
    비정질 박막의 결정화방법 및 이를 수행하기 위한 배선구조 失效
    用于结晶非晶薄膜的方法和用于实施其的布线结构

    公开(公告)号:KR1020100018131A

    公开(公告)日:2010-02-17

    申请号:KR1020080076755

    申请日:2008-08-06

    CPC classification number: H01L27/1274 H01L27/124

    Abstract: PURPOSE: A method for crystallizing an amorphous thin film and a wiring structure for performing the same is provided to offer an uniform electric current density flowing in all amorphous thin films arranged in the form of the matrix by improving the wiring structure for the crystallization of the FALC(Field Aided Lateral Crystallization) process. CONSTITUTION: A basic unit(600) can extend from a first unit arranged in the matrix type of 2 x 2 to a n-th unit arranged in the matrix type of 2 n(N is the natural number more than 2). A basic unit comprises a cell(610) including the amorphous thin film arranged in the matrix type of 2 x 2. The basic unit comprises a (+) cell electrode(620) connecting one side of the cell arranged in each heat of 2 of 2 and a (-) cell electrode(630) connecting the other side of the cell arranged in each heat of 2 of 2. Also, the basic unit includes a (+) connecting electrode(640) connecting two (+) cell electrodes and a (-) connecting electrode(650) connecting two (-) cell electrodes.

    Abstract translation: 目的:提供一种使非晶薄膜结晶的方法和用于实现该非晶薄膜的布线结构的方法,以提供均匀的电流密度,其通过改进用于晶体结晶的布线结构来提供以矩阵形式布置的所有非晶薄膜中的流动 FALC(场辅助横向结晶)工艺。 构成:基本单元(600)可以从以2×2的矩阵类型布置的第一单元延伸到以矩阵2n排列的第n单元(N为大于2的自然数)。 基本单元包括包括以2×2矩阵形式布置的非晶薄膜的单元(610)。基本单元包括(+)单元电极(620),连接单元电极(620) 2的连接电极(640),连接两个(+)电池电极的(+)连接电极(640)和连接两个(+)电池电极的(+)连接电极 连接两个( - )单元电极的( - )连接电极(650)。

    비정질 박막의 결정화방법 및 이를 수행하기 위한 배선구조
    2.
    发明授权
    비정질 박막의 결정화방법 및 이를 수행하기 위한 배선구조 失效
    用于使非晶薄膜结晶的方法和用于进行该非晶薄膜的布线结构

    公开(公告)号:KR100971409B1

    公开(公告)日:2010-07-21

    申请号:KR1020080076761

    申请日:2008-08-06

    Abstract: 비정질 박막의 결정화방법 및 이를 수행하기 위한 배선구조가 개시된다. 본 발명에 따른 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조는 기본 유닛 2개가 상하방향으로 배열되는 1차 유닛으로부터 상기 기본 유닛 2
    n (n은 2 이상의 자연수)개가 상하방향으로 배열되는 n차 유닛으로 확장 배열 가능하다. 기본 유닛은 상하방향으로 나란히 배열된 비정질 박막을 포함하는 셀 2개를 구비한다. 그리고 2개의 셀의 일측을 연결시키는 (+)셀전극과 2개의 셀의 타측을 연결시키는 (-)셀전극을 구비한다. 1차 유닛은 2개의 기본 유닛의 (+)셀전극을 연결시키는 제1 (+)공통전극과 2개의 기본 유닛의 (-)셀전극을 연결시키는 제1 (-)공통전극을 구비한다. n차 유닛은 2개의 n-1차 유닛의 제n-1 (+)공통전극을 연결시키는 제n (+)공통전극과 n-1차 유닛의 제n-1 (-)공통전극을 연결시키는 제n (-)공통전극을 구비한다. 본 발명에 따르면, FALC 공정의 결정화를 위한 배선구조를 개선함으로써 매트릭스 형태로 배열된 모든 비정질 박막에 흐르는 전류밀도를 균일하게 할 수 있게 된다. 따라서 모든 비정질 박막의 균일한 결정화가 가능하게 된다.
    FALC, TFT-LCD, OLED, 전류밀도, 다결정 실리콘

    비정질 박막의 결정화방법 및 이를 수행하기 위한 배선구조
    3.
    发明公开
    비정질 박막의 결정화방법 및 이를 수행하기 위한 배선구조 失效
    用于结晶非晶薄膜的方法和用于实施其的布线结构

    公开(公告)号:KR1020100018135A

    公开(公告)日:2010-02-17

    申请号:KR1020080076761

    申请日:2008-08-06

    Abstract: PURPOSE: A method for crystallizing an amorphous thin film and a wiring structure for performing the same is provided to allow the same electric current density to flow in each amorphous thin film by crystallizing the amorphous thin film in a matrix type using the FALC(Field Aided Lateral Crystallization) process. CONSTITUTION: A first unit in which two basic units(600) are arranged up and down for the can extend to a n-th(N is the natural number more than 2) unit in which basic units of n are arranged up and down. The basic unit comprises a cell(610) including the amorphous thin film side by side arranged to the upward and downward of 2. Also, the basic unit includes a cell electrode(630) connecting one side of the cell of 2 and a cell electrode(640) connecting the other side of the cell of 2 (-). The first unit comprises a first (+) common electrode connecting a (+) cell electrode of the basic unit of 2, and a first (-) common electrode connecting a (-) cell electrode of 2 basic units.

    Abstract translation: 目的:提供一种使非晶薄膜结晶的方法和用于进行该非晶薄膜的布线结构的方法,以通过使用FALC(场辅助)使矩阵型非晶薄膜结晶,使每个非晶薄膜中的电流密度相同 横向结晶)工艺。 构成:其中两个基本单元(600)上下布置的第一单元可以延伸到n的基本单元上下布置的第n个(N是大于2的自然数)单元。 基本单元包括并排配置为2的上下的非晶质薄膜的单元(610)。另外,基本单元包括连接单元的2侧的单元电极(630)和单元电极 (640)连接2( - )的单元的另一侧。 第一单元包括连接基本单元2的(+)单元电极和连接2个基本单元的( - )单元电极的第一( - )公共电极的第一(+)公共电极。

    비정질 박막의 결정화방법 및 이를 수행하기 위한 배선구조
    4.
    发明授权
    비정질 박막의 결정화방법 및 이를 수행하기 위한 배선구조 失效
    非晶薄膜的结晶方法和用于执行该方法的布线结构

    公开(公告)号:KR100998257B1

    公开(公告)日:2010-12-03

    申请号:KR1020080076755

    申请日:2008-08-06

    Abstract: 비정질 박막의 결정화방법 및 이를 수행하기 위한 배선구조가 개시된다. 본 발명에 따른 비정질 박막의 결정화를 위한 배선구조는 기본 유닛이 2×2의 매트릭스 형태로 배열되는 1차 유닛으로부터 상기 기본 유닛이 2
    n ×2
    n (n은 2 이상의 자연수)의 매트릭스 형태로 배열되는 n차 유닛으로 확장 배열 가능하다. 기본 유닛은 2×2의 매트릭스 형태로 배열된 비정질 박막을 포함하는 셀을 구비한다. 그리고 각 열에 배열된 2개의 셀의 일측을 연결시키는 2개의 (+)셀전극과 각 열에 배열된 2개의 셀의 타측을 연결시키는 2개의 (-)셀전극을 구비한다. 그리고 2개의 (+)셀전극을 연결시키는 (+)연결전극과 2개의 (-)셀전극을 연결시키는 (-)연결전극을 구비한다. 본 발명에 따르면, FALC 공정의 결정화를 위한 배선구조를 개선함으로써 매트릭스 형태로 배열된 모든 비정질 박막에 흐르는 전류밀도를 균일하게 할 수 있게 된다. 따라서 모든 비정질 박막의 균일한 결정화가 가능하게 된다.
    FALC, TFT-LCD, OLED, 전류밀도, 다결정 실리콘

    Abstract translation: 公开了一种非晶薄膜的结晶方法和用于实施该方法的布线结构。 根据本发明的用于非晶薄膜结晶化的布线结构的特征在于,基本单元以2'

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