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公开(公告)号：KR1020120037697A
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020100099311
申请日：2010-10-12
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01M2/14
Abstract: PURPOSE: An electrochemical cell separator is provide to obtain uniform flux distribution properties per each unit cells, and to reduce the performance deviation among unit cells, thereby improving the performance and the durability of the electrochemical cell stack. CONSTITUTION: An electrochemical cell separator(10) comprises a distribution manifold(12) in which reaction fluid is supplied; a recovery manifold(13) lowing the reaction fluid out, and a plurality of channels of which one end is connected to the distribution manifold, and the other end is connected to the recovery manifold, for flowing the reaction fluid supplied to the distribution manifold to the recovery manifold. The distribution manifold comprises guide vane for separating the distribution manifold to a plurality of inflow channels blocked each other.
Abstract translation: 目的：提供电化学电池隔板，以获得每个单元电池的均匀通量分布特性，并降低单元电池之间的性能偏差，从而提高电化学电池堆的性能和耐久性。 构成：电化学电池分离器（10）包括其中供应反应流体的分配歧管（12）; 将反应流体排出的回收歧管（13）和多个通道，其一端连接到分配歧管，另一端连接到回收歧管，用于将供给到分配歧管的反应流体流动到 回收歧管。 分配歧管包括用于将分配歧管分离成彼此封闭的多个流入通道的导叶。
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公开(公告)号：KR100906718B1
公开(公告)日：2009-07-07
申请号：KR1020070077741
申请日：2007-08-02
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 웨이퍼를 기설정된 온도로 냉각을 유지하면서 소스 가스와 반응가스를 주입하는 단계 각각에서 공정을 수행하는 상기 웨이퍼 부분에 레이저 빔을 조사함으로써 상기 웨이퍼의 구성물질의 차이에 따른 상기 레이저 빔의 흡수율 차이에 기초한 온도차를 이용하여 선택적 증착이 이루어지는 원자층 증착 방법이 개시된다.
ALD, 플라즈마, 저온, 선택적 증착, 레이저 빔, 흡수율-
公开(公告)号：KR1020120037699A
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020100099313
申请日：2010-10-12
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: An electrochemical cell separator having sub bypass flow channels is provided to prevent the degradation of reaction efficiency by preventing channel clogging phenomenon, thereby improving the efficiency of electrochemical cell. CONSTITUTION: An electrochemical cell separator comprises: a distribution manifold(10) in which reactive fluid is supplied, a recover manifold(20) flowing the reactive fluid out, a plurality of main flow channels(30), and additionally comprises sub bypass flow channels(40) for interlocking two main flow channels near each other. One end of the main flow channel is connected to the distribution manifold, and the other end is connected to the recovery manifold, for flowing the reaction fluid supplied to the distribution manifold to the recovery manifold, and arranged to be separated from each other.
Abstract translation: 目的：提供具有次旁路流通道的电化学电池隔离器，以防止通道堵塞现象降低反应效率，从而提高电化学电池的效率。 构成：电化学电池隔离器包括：分配歧管（10），其中供应反应流体，使反应流体流出的回收歧管（20），多个主流动通道（30），并且还包括副旁路流动通道 （40），用于使彼此靠近的两个主流动通道互锁。 主流道的一端连接到分配歧管，另一端连接到回收歧管，用于将供应到分配歧管的反应流体流动到回收歧管，并被布置成彼此分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090103028A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：KR1020080028358
申请日：2008-03-27
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336
Abstract: PURPOSE: A method for forming cobalt silicide using oxynitride is provided to perform the repetitive process for forming the thick cobalt silicide using the nitride oxide film as the buffer layer. CONSTITUTION: The method for forming cobalt silicide using the nitride oxide film comprises as follows. The nitride oxide film(200) is formed on the single crystalline silicon substrate(100). The cobalt film(300) is formed by depositing the cobalt on the nitride oxide film. The porous silica is chemically grown on the silicon substrate. The nitrogen is doped within the oxide film by using plasma processed N2 or the NH3 gas.
Abstract translation: 目的：提供使用氧氮化物形成硅化钴的方法，以使用氮氧化物膜作为缓冲层来进行用于形成厚硅化钴的重复工艺。 构成：使用氮氧化物膜形成硅化钴的方法包括如下。 氮化氧化物膜（200）形成在单晶硅衬底（100）上。 钴膜（300）通过在氮氧化物膜上沉积钴而形成。 多孔二氧化硅在硅衬底上化学生长。 通过使用等离子体处理的N 2或NH 3气体，在氧化物膜内掺杂氮。
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公开(公告)号：KR1020090013515A
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：KR1020070077741
申请日：2007-08-02
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C23C16/481 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/463 , C23C16/483 , C23C16/52
Abstract: An atomic layer deposition for the low-temperature process is provided to perform the selective deposition on the wafer by installing the laser beam generation unit with the inclined angle to the wafer. The wafer(120) is mounted on the susceptor(110) in the chamber. The susceptor is cooled by the cooling water supply line(130). The source gas is supplied by the source supply line(140) and the reaction gas is supplied by the reactive gas supply line(150). The plasma generation unit(200) is installed on the top of the chamber(100). The optical unit(310) is interposed on this plasma generation unit to install the laser beam generation unit. The optical unit is for changing the size of the laser beam which is generated from the laser beam generation unit.
Abstract translation: 提供了用于低温工艺的原子层沉积，以通过以与晶片倾斜的角度安装激光束产生单元来在晶片上执行选择性沉积。 晶片（120）安装在腔室中的基座（110）上。 基座由冷却水供应管线（130）冷却。 源气体由源供应管线（140）供给，反应气体由反应气体供给管线（150）供给。 等离子体产生单元（200）安装在腔室（100）的顶部。 光学单元（310）插入该等离子体产生单元上以安装激光束产生单元。 光学单元用于改变从激光束产生单元产生的激光束的尺寸。
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公开(公告)号：KR1020090005747A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：KR1020070069034
申请日：2007-07-10
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/24
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76855
Abstract: The method of manufacturing the semiconductor device is provided to form the metal-silicide film having low resistivity value and to secure the desired thickness by forming the co-silicide film by using the cobalt film through CVD or the ALD method. The cobalt film(160) consisting of the lamination film of the second cobalt film and the first cobalt film is formed by depositing the second cobalt film(162) on the first cobalt film(161) by the CVD and the in-situ and ALD method. The second cobalt film is deposited by the CVD or the ALD method for good the step coverage characteristic and the second cobalt film can be easily deposited in the lower part of the contact hole(150).
Abstract translation: 提供制造半导体器件的方法以形成具有低电阻率值的金属硅化物膜，并通过使用钴膜通过CVD或ALD方法形成硅化硅膜来确保所需厚度。 由第二钴膜的叠层膜和第一钴膜构成的钴膜（160）通过CVD和原位和ALD沉积在第一钴膜（161）上而形成第二钴膜（162） 方法。 通过CVD或ALD方法沉积第二钴膜以获得良好的阶梯覆盖特性，并且第二钴膜可以容易地沉积在接触孔（150）的下部。
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公开(公告)号：KR101241814B1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：KR1020100099311
申请日：2010-10-12
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01M2/14
Abstract: 본 발명은 각 채널 유로의 내부로 균일하게 반응유체가 공급될 수 있으며, 반응유체가 역류하는 현상이 방지되도록 구조가 개선된 전기화학 셀 분리판 및 이를 구비한 전기화학 셀 스택에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전기화학 셀 분리판은 전기화학 시스템에서 전기화학 단위 셀을 분리하기 위한 것으로, 반응유체가 공급되는 분배매니폴더와, 반응유체가 유출되는 회수매니폴더와, 분배매니폴더로 공급된 반응유체가 회수매니폴더쪽으로 유동하도록, 일단부는 분배매니폴더와 연결되고 타단부는 회수매니폴더와 연결되는 복수의 채널 유로가 형성되어 있는 전기화학 셀 분리판에 있어서, 분배매니폴더에는 분배매니폴더를 복수 개의 독립된 유입 유로로 분리하는 가이드 베인이 마련되어 있다.
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公开(公告)号：KR100944937B1
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：KR1020080028358
申请日：2008-03-27
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336
Abstract: 소오스와 드레인이 형성된 기판 위에, 화학적인 방법을 이용하여 산화막을 형성한 후, 이를 NH
3 나 N
2 플라즈마 처리를 하여 산화막 내에 질소를 도핑하여 질화 산화막을 형성한다. 그리고 나서, 질화 산화막 위에 유기금속 화학기상증착법을 이용하여 코발트를 증착한 후 열처리를 하여 코발트 실리사이드를 형성시킨다, 이때 형성된 코발트 실리사이드의 격자가 실리콘의 격자와 일치하는 에피텍셜한 성장을 일으킨다.
코발트, 실리사이드, CVD, 플라즈마 처리, 질소, 도핑, SiOxNy, 열처리, 완충막, 버퍼층, 확산속도, 에피택셜, 다공성
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