公开(公告)号：KR1020040076301A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：KR1020030011577

申请日：2003-02-25

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 최덕균 ,  박경완 ,  안진용 ,  조기택 ,  강문수

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of a polycrystal silicon TFT-LCD array substrate by using an FALC(Field Aided Lateral Crystallization) process is provided to adopt an FALC process through data signal lines and an ITO common electrode, thereby realizing an excellent side crystallization aspect by uniform field effects within channel areas of all TFTs. CONSTITUTION: Gate electrodes(11) of TFTs(10) are connected to gate signal lines(12), source electrodes(13) are connected to data signal lines(14), and drain electrodes(15) are connected to ITOs(16). The ITOs(16) are connected to an ITO common electrode of a color filter substrate via liquid crystals(30). The ITO common electrode is electrically connected to the individual ITOs(16) via the liquid crystals(30). The drain electrodes(15) of the TFTs(10) are bound with the ITO common electrode through the corresponding ITOs(16). A voltage applied through the ITO common electrode is directly applied to a source area and a drain area of an amorphous silicon thin film.

Abstract translation: 目的：通过使用FALC（场辅助横向结晶）工艺制造多晶硅TFT-LCD阵列基板的方法，通过数据信号线和ITO公共电极采用FALC工艺，由此通过 所有TFT的通道区域内均匀的场效应。 构成：TFT（10）的栅电极（11）连接到栅极信号线（12），源电极（13）连接到数据信号线（14），漏电极（15）连接到ITO（16） 。 ITO（16）通过液晶（30）与滤色器基板的ITO公共电极连接。 ITO公共电极通过液晶（30）与各个ITO（16）电连接。 TFT（10）的漏电极（15）通过相应的ITO（16）与ITO公共电极结合。 通过ITO公共电极施加的电压直接施加到非晶硅薄膜的源极区域和漏极区域。

公开(公告)号：KR100527629B1

公开(公告)日：2005-11-15

申请号：KR1020030011577

申请日：2003-02-25

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 최덕균 ,  박경완 ,  안진용 ,  조기택 ,  강문수

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명은 FALC 공정을 이용한 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 비정질 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조 후, 이 기판 상에 배열된 각 TFT 내 비정질 실리콘 박막의 결정화를 위해 각 TFT의 소스 전극에 공통으로 연결된 데이터 신호 배선과, 화소 전극과 액정을 매개로 드레인 전극에 공통으로 연결된 ITO 공통 전극을 통해 전압을 인가하는 동시에 열처리를 수행하는 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조 방법에 의하면, FALC 공정의 추가만으로 기존의 비정질 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 양산 공정에 용이하게 적용 가능하고, 데이터 신호 배선 및 ITO 공통 전극을 통한 각 비정질 실리콘 박막으로의 직접 전계 인가 방식의 FALC 공정이 채용됨으로써 기판 대면적 적용시에도 모든 TFT의 채널 영역 내에 고른 전계 효과에 의한 우수한 측면 결정화 양상을 가지는 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판을 제조할 수 있게 된다.