公开(公告)号：WO2009154386A3

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：PCT/KR2009/003207

申请日：2009-06-16

Applicant: 한양대학교 산학협력단 ,  김태환 ,  함정훈 ,  정재훈 ,  김상욱

Inventor： 김태환 ,  함정훈 ,  정재훈 ,  김상욱

IPC: H01L21/8246

Abstract: 고분자 박막 안에 포함된 나노입자를 이용한 WORM 기억소자가 개시된다. 본 발명에 따른 WORM 기억소자는 기판과, 기판 상에 형성되고 전도성 물질로 이루어진 하부전극을 구비한다. 그리고 하부전극 상에 형성되고 고분자 물질 내에 나노입자가 분산되어 있는 메모리층과, 메모리층 상에 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 상부전극을 구비한다. 본 발명에 따른 WORM 기억소자는 화학적으로 안정된 절연성 고분자와 무기물 나노입자를 이용하므로, 유기물을 이용한 WORM 기억소자에 비해 열과 빛 등의 외부 환경에 월등히 강한 내성을 가지고, 유기물 특성 저하에서 발생하는 기억 시간의 감소 현상을 최대한 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR100888848B1

公开(公告)日：2009-03-17

申请号：KR1020070081628

申请日：2007-08-14

Applicant: 한양대학교 산학협력단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 김태환 ,  김혁주 ,  함정훈 ,  정재훈

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/025 ,  G11C16/0416 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7883 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0575 ,  H01L51/0591

Abstract: 절연성 고분자 안에 분산된 플러렌을 플로팅 게이트로 사용하는 새로운 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 플래시 메모리 소자는, 반도체 기판; 반도체 기판 상에 형성되고 플러렌이 분산된 절연성 고분자 박막으로 이루어져, 플러렌 아래쪽의 절연성 고분자 박막으로 된 터널링 절연막/ 플러렌으로 된 플로팅 게이트/ 플러렌 위쪽의 절연성 고분자 박막으로 된 게이트 절연막의 스택구조; 스택구조 양측의 반도체 기판 내에 형성된 소스 및 드레인; 및 스택구조 상의 컨트롤 게이트를 포함한다. 본 발명에 따르면, 고분자 내에서의 플러렌의 분포와는 무관하게 단지 농도를 변화시키는 것만으로 소자의 전기적 특성을 변화시킬 수 있기 때문에 구동 조건에 맞게 소자를 최적화하는 데에 유리하다. 그리고, 절연성 고분자를 사용하기 때문에 따로 전자의 누설을 막기 위한 절연층의 형성이 필요 없어 공정을 보다 간단하게 할 수 있다. 또한 소자 구동시 플로팅 게이트 안에 흐르는 전류가 극히 작거나 흐르지 않기 때문에 전류에 흐름으로 발생하는 고분자의 열화를 최소화하여 수명을 증가시킬 수 있으며, 대량 생산시 소자의 신뢰성 및 재현성을 크게 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090017125A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：KR1020070081628

申请日：2007-08-14

Applicant: 한양대학교 산학협력단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 김태환 ,  김혁주 ,  함정훈 ,  정재훈

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/025 ,  G11C16/0416 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7883 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0575 ,  H01L51/0591 ,  H01L27/11521

Abstract: A fullerene based flash memory device and manufacturing method thereof are provided to flow little current inside the polymer and to prevent the characteristic deterioration of polymer caused by current and to extend the life of device. The stack structure(30') is formed on the semiconductor substrate(10). The source(34) and drain(36) are formed within the semiconductor substrate of the stack structure. The electrodes(44, 46) are formed on the source and drain. The electrode and control gate(40) are made of the same metal. The stack structure is made of the insulative polymer thin film(22) of the flaw LAN(24) and insulative polymeric layer(26) of the flaw LAN. The fullerene is dispersed in the insulative polymer layer. The tunneling insulating layer is made of the insulative polymer thin film of the fullerene. The gate insulating layer is made of the insulative polymer thin film of the fullerene.

Abstract translation: 提供一种富勒烯闪存器件及其制造方法，以使聚合物内部的电流很小，并防止由电流引起的聚合物的特性劣化并延长器件的使用寿命。 堆叠结构（30'）形成在半导体衬底（10）上。 源极（34）和漏极（36）形成在堆叠结构的半导体衬底内。 电极（44,46）形成在源极和漏极上。 电极和控制栅极（40）由相同的金属制成。 堆叠结构由缺陷LAN（24）的绝缘聚合物薄膜（22）和缺陷LAN的绝缘聚合物层（26）制成。 富勒烯分散在绝缘聚合物层中。 隧道绝缘层由富勒烯的绝缘聚合物薄膜制成。 栅极绝缘层由富勒烯的绝缘聚合物薄膜制成。

公开(公告)号：KR100989618B1

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：KR1020080056481

申请日：2008-06-16

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 김태환 ,  함정훈 ,  정재훈 ,  김상욱

IPC: H01L21/8246 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L27/10 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/285

Abstract: 고분자 박막 안에 포함된 나노입자를 이용한 WORM 기억소자가 개시된다. 본 발명에 따른 WORM 기억소자는 기판과, 기판 상에 형성되고 전도성 물질로 이루어진 하부전극을 구비한다. 그리고 하부전극 상에 형성되고 고분자 물질 내에 나노입자가 분산되어 있는 메모리층과, 메모리층 상에 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 상부전극을 구비한다. 본 발명에 따른 WORM 기억소자는 화학적으로 안정된 절연성 고분자와 무기물 나노입자를 이용하므로, 유기물을 이용한 WORM 기억소자에 비해 열과 빛 등의 외부 환경에 월등히 강한 내성을 가지고, 유기물 특성 저하에서 발생하는 기억 시간의 감소 현상을 최대한 억제할 수 있다.
WORM, 나노 입자, 광디스크, PROM

公开(公告)号：KR1020090130722A

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：KR1020080056481

申请日：2008-06-16

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 김태환 ,  함정훈 ,  정재훈 ,  김상욱

IPC: H01L21/8246 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L27/10 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/285

Abstract: PURPOSE: A worm memory devices utilizing nano-particles embedded in polymer thin films is provided to secure resistance against external environments by using a stable insulating polymer and an inorganic material nano particle. CONSTITUTION: In a device, a substrate(110) is formed with an insulating property inorganic material or an insulating property organic compound. A bottom electrode(120) is formed as an expanded shape in one direction. The bottom electrode is comprised of a conductive material. A memory layer(130) is formed on the bottom electrode. The memory layer is formed with a polymer(131) and a nano particle(132). The memory layer is formed by a mixture of the polymer and a nano particle. An upper electrode(140) is extended on the memory layer in direction of crossing the bottom electrode. A protective layer(150) protects the memory layer from an external pollution source.

Abstract translation: 目的：使用嵌入聚合物薄膜中的纳米颗粒的蠕虫记忆装置，通过使用稳定的绝缘聚合物和无机材料纳米颗粒来确保抵抗外部环境的抵抗力。 构成：在器件中，衬底（110）形成有绝缘性无机材料或绝缘性有机化合物。 底部电极（120）在一个方向上形成为扩张形状。 底部电极由导电材料构成。 在底部电极上形成记忆层（130）。 存储层由聚合物（131）和纳米颗粒（132）形成。 记忆层由聚合物和纳米颗粒的混合物形成。 上部电极（140）在与底部电极交叉的方向上在存储层上延伸。 保护层（150）保护存储层免受外部污染源的影响。

公开(公告)号：KR102094912B1

公开(公告)日：2020-03-30

申请号：KR1020130067075

申请日：2013-06-12

Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 ,  한양대학교 산학협력단

Inventor： 최성욱 ,  함정훈 ,  김영일 ,  이상선

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26

公开(公告)号：KR1020140145241A

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：KR1020130067075

申请日：2013-06-12

Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 ,  한양대학교 산학협력단

Inventor： 최성욱 ,  함정훈 ,  김영일 ,  이상선

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/24 ,  G11C16/32

Abstract: 데이터를 저장하는 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 저장되는 데이터에 따라 예정된 상태 값을 가지는 메모리 셀, 읽기 동작시 상기 메모리 셀의 상태 값을 가변하기 위한 제어 신호를 생성하는 제어 신호 생성부, 상기 메모리 셀의 상태 값의 가변 시점에 응답하여 상기 제어 신호에 대응하는 정보를 저장하기 위한 정보 저장부, 및 상기 정보 저장부에 저장된 정보를 상기 데이터에 대응하는 신호로써 출력하기 위한 출력부를 구비하는 반도체 메모리 장치가 제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于存储数据的半导体存储器件。 半导体存储器件包括：具有根据所存储数据的预定状态值的存储单元; 控制信号生成单元，其在读取操作期间生成控制信号，以改变存储单元的状态值; 信息存储单元，其响应于存储器单元的状态值变化的时间存储对应于控制信号的信息; 以及输出单元，其输出存储在信息存储单元中的信息作为与数据相对应的信号。