公开(公告)号：KR101409310B1

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：KR1020097021905

申请日：2008-03-21

Applicant: 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.

Inventor： 우,웨이 ,  윌리암스,스탠리,알. ,  로비넷트,워런 ,  스니더,그레고리 ,  유,자오닝 ,  왕,시-유안 ,  스튜어트,던컨

IPC: H01L27/04 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0033 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/81 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/762 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명의 다양한 실시예는 3차원 크로스바 어레이(500, 1000)에 관한 것이다. 본 발명의 일 양상에 있어서, 3차원 크로스바 어레이(1000)는 다수의 크로스바 어레이(1102-1104), 제1 디멀티플렉서(1106), 제2 디멀티플렉서(1108) 및 제3 디멀티플렉서(1110)를 포함한다. 각 크로스바 어레이는 제1 층의 나노와이어들(702-704), 제1 층의 나노와이어들을 오버레이하는 제2 층의 나노와이어들(706-708), 그리고 제2 층의 나노와이어들을 오버레이하는 제3 층의 나노와이어들(710-712)을 포함한다. 제1 디멀티플렉서는 각 크로스바 어레이의 제1 층의 나노와이어들 내의 나노와이어를 어드레싱하도록 구성되고, 제2 디멀티플렉서는 각 크로스바 어레이의 제2 층의 나노와이어들 내의 나노와이어를 어드레싱하도록 구성되고, 그리고 제3 디멀티플렉서는 각 크로스바 어레이의 제3 층의 나노와이어들 내의 나노와이어로 신호를 공급하도록 구성된다.
크로스바 어레이, 나노와이어, 디멀티플렉서,

公开(公告)号：KR1020100015735A

公开(公告)日：2010-02-12

申请号：KR1020097021905

申请日：2008-03-21

Applicant: 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.

Inventor： 우,웨이 ,  윌리암스,스탠리,알. ,  로비넷트,워런 ,  스니더,그레고리 ,  유,자오닝 ,  왕,시-유안 ,  스튜어트,던컨

IPC: H01L27/04 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0033 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/81 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/762 ,  H01L2924/00

Abstract: Various embodiments of the present invention are directed to three-dimensionall crossbar arrays (500, 1000). In one aspect of the present invention, a three-dimensional crossbar array (1000) includes a plurality of crossbar arrays (1102-1104), a first demultiplexer (1106), a second demultiplexer (1108), and a third demultiplexer (1110). Each crossbar array includes a first layer of nanowires (702-704), a second layer of nanowires (706-708) overlaying the first layer of nanowires, and a third layer of nanowires (710-712) overlaying the second layer of nanowires. The first demultiplexer is configured to address nanowires in the first layer of nanowires of each crossbar array, the second demultiplexer is configured to address nanowires in the second layer of nanowires of each crossbar array, and the third demultiplexer is configured to supply a signal to the nanowires in the third layer of nanowires of each crossbar array.

Abstract translation: 本发明的各种实施例涉及三维全横杆阵列（500,1000）。 在本发明的一个方面中，三维交叉列阵列（1000）包括多个交叉列阵列（1102-1104），第一解复用器（1106），第二解复用器（1108）和第三解复用器（1110） 。 每个横杆阵列包括第一层纳米线（702-704），覆盖第一纳米线层的第二纳米线层（706-708）和覆盖第二纳米线层的第三纳米线层（710-712）。 第一解复用器被配置为寻址每个交叉列阵列的纳米线的第一层中的纳米线，第二解复用器被配置为寻址每个交叉列阵列的第二纳米线层中的纳米线，并且第三解复用器被配置为向 纳米线在每个交叉列阵列的第三层纳米线中。