公开(公告)号：EP3073530B1

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：EP15160264

申请日：2015-03-23

Applicant: ABB SCHWEIZ AG

Inventor： LOPHITIS NEOPHYTHOS ,  UDREA FLORIN ,  VEMULAPATI UMAMAHESWARA ,  NISTOR IULIAN ,  ARNOLD MARTIN ,  VOBECKY JAN ,  RAHIMO MUNAF

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/744

CPC classification number: H01L27/1027 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/41716 ,  H01L29/7416 ,  H01L29/744 ,  H01L29/87

公开(公告)号：DE112012002823B4

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：DE112012002823

申请日：2012-07-06

Applicant: ABB SCHWEIZ AG

Inventor： RAHIMO MUNAF ,  CORVASCE CHIARA ,  KOPTA ARNOST ,  ANDENNA MAXI

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: Bipolartransistor mit isoliertem Gate, der Schichten zwischen einer Emitterelektrode (2) auf einer Emitterseite (11) und einer Kollektorelektrode (25) auf einer Kollektorseite (15) gegenüber der Emitterseite (11) aufweist, umfassend: – eine Driftschicht (8) eines ersten Leitfähigkeitstyps, – eine Kollektorschicht (9) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der von dem ersten Leitfähigkeitstyp verschieden ist, die zwischen der Driftschicht (8) und der Kollektorelektrode (25) angeordnet ist und die die Kollektorelektrode (25) elektrisch kontaktiert, – eine Basisschicht (4) des zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei die Basisschicht (4) zwischen der Driftschicht (8) und der Emitterelektrode (2) angeordnet ist, wobei die Basisschicht (4) die Emitterelektrode (2) elektrisch kontaktiert, – eine erste Sourceregion (7) des ersten Leitfähigkeitstyps, die auf der Basisschicht (4) in Richtung der Emitterseite (11) angeordnet ist und die Emitterelektrode (2) elektrisch kontaktiert, wobei die erste Sourceregion (7) eine höhere Dotierungskonzentration als die Driftschicht (8) aufweist, – eine Graben-Gateelektrode (3), die lateral zu der Basisschicht (4) angeordnet ist und sich tiefer in die Driftschicht (8) als die Basisschicht (4) erstreckt, wobei die Graben-Gateelektrode (3) durch eine erste isolierende Schicht (34) von der Basisschicht (4), der ersten Sourceregion (7) und der Driftschicht (8) getrennt ist, wobei zwischen der Emitterelektrode (2), der ersten Sourceregion (7), der Basisschicht (4) und der Driftschicht (8) ein Kanal bildbar ist, – eine Wanne (5) des zweiten Leitfähigkeitstyps, die lateral zu der Basisschicht (4) angeordnet ist und sich tiefer in die Driftschicht (8) als die Basisschicht (4) erstreckt, – eine Anreicherungsschicht (6) des ersten Leitfähigkeitstyps, die die Basisschicht (4) umgibt, dergestalt, dass die Anreicherungsschicht (6) die Basisschicht (4) völlig von der Driftschicht (8) und der Wanne (5) trennt, – zusätzlich zu der Emitterelektrode (2) eine elektrisch ...

公开(公告)号：DE112012002956B4

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：DE112012002956

申请日：2012-07-06

Applicant: ABB SCHWEIZ AG

Inventor： ANDENNA MAXI ,  CORVASCE CHIARA ,  KOPTA ARNOST ,  RAHIMO MUNAF

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10

Abstract: Bipolarer Transistor mit isoliertem Gate (1) mit Schichten zwischen einer Emitter-Elektrode (2) an einer Emitter-Seite (11) und einer Kollektor-Elektrode (25) an einer Kollektor-Seite (15), die der Emitter-Seite (11) gegenüberliegt, aufweisend: – eine niedrig dotierte Driftschicht (8) eines ersten Leitfähigkeitstyps, – eine Kollektor-Schicht (9) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der sich vom ersten Leitfähigkeitstyp unterscheidet, die zwischen der Driftschicht (8) und der Kollektor-Elektrode (25) angeordnet ist und die die Kollektor-Elektrode (25) elektrisch kontaktiert, – eine Basisschicht (5) des zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei die Basisschicht (5) zwischen der Driftschicht (8) und der Emitter-Elektrode (2) angeordnet ist, wobei die Basisschicht (5) die Emitter-Elektrode (2) elektrisch kontaktiert und wobei die Basisschicht (5) vollständig von der Driftschicht (8) getrennt ist, – eine erste und eine zweite Source-Region (7, 75) des ersten Leitfähigkeitstyps, die an der Basisschicht (5) zur Emitter-Seite (11) hin angeordnet ist und die die Emitter-Elektrode (2) elektrisch kontaktiert, wobei die erste und die zweite Source-Region (7, 75) eine höhere Dotierungskonzentration als die Driftschicht (8) haben, – mindestens zwei erste Graben-Gate-Elektroden (3), die seitlich zur Basisschicht (5) angeordnet sind und sich tiefer in die Driftschicht (8) erstrecken als die Basisschicht (5) und wobei die mindestens zwei ersten Graben-Gate-Elektroden (3) durch eine erste Isolierschicht (31) von der Basisschicht (5), der ersten Source-Region (7) und der Driftschicht (8) getrennt sind, wobei ein erster Kanal von der Emitter-Elektrode (2), der ersten Source-Region (7), der Basisschicht (5) zu der Driftschicht (8) zwischen zwei ersten Graben-Gate-Elektroden (3) geformt werden kann, wobei die erste Source-Region (7) zwischen zwei ersten Graben-Gate-Elektroden (3) angeordnet ist, – eine zweite Isolierschicht (32), die an der Emitter-Seite (11) an der Oberseite der ersten Graben-Gate-Elektrode (3) angeordnet ist, ...

公开(公告)号：AU2003283173A1

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：AU2003283173

申请日：2003-12-09

Applicant: ABB SCHWEIZ AG

Inventor： ARX CHRISTOPH VON ,  RAHIMO MUNAF

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

公开(公告)号：DE112011103230B4

公开(公告)日：2021-11-25

申请号：DE112011103230

申请日：2011-09-27

Applicant: ABB SCHWEIZ AG

Inventor： VOBECKY JAN ,  RAHIMO MUNAF

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/747 ,  H01L29/861 ,  H01L29/87

Abstract: Non-Punch-Through-Bipolarleistungshalbleiterbauelement umfassend einen Halbleiterwafer (2) und einen auf einer ersten Hauptseite (31) des Wafers (2) ausgebildeten ersten elektrischen Kontakt (3) und einen auf einer zweiten Hauptseite (41) des Wafers (2) gegenüber der ersten Hauptseite (31) ausgebildeten zweiten elektrischen Kontakt (4), wobei der Halbleiterwafer (2) mindestens eine zweischichtige Struktur mit Schichten von verschiedenen Leitfähigkeitsarten umfasst,wobei die mindestens zweischichtige Struktur Folgendes umfasst:- eine Driftschicht (26) von einer ersten Leitfähigkeitsart,- eine erste Schicht (5) von einer zweiten Leitfähigkeitsart, direkt mit der Driftschicht (26) zu der ersten Hauptseite (31) verbunden und den ersten elektrischen Kontakt (3) kontaktierend, und der Wafer (2) ein Innengebiet (22) mit einer konstanten Waferdicke (23), gemessen zwischen der ersten und zweiten Hauptseite (31, 41), und ein Abschlussgebiet (24) umfasst, das das Innengebiet (22) umgibt und in dem die Waferdicke (23) durch eine negative Abschrägung (53) auf mindestens der ersten Hauptseite (31) reduziert ist,wobei sich die erste Schicht (5) zu einer Tiefe (51) der ersten Schicht (5) erstreckt, wobei die Tiefe (51) der ersten Schicht (5) ab einer Ebene gemessen ist, in der die erste Hauptseite (31) innerhalb des Innengebiets (22) angeordnet ist, undwobei sich die Driftschicht (26) zu einer Tiefe der Driftschicht (26) erstreckt, wobei die Tiefe der Driftschicht (26) innerhalb des Innengebiets (22) ab der Ebene gemessen ist, in der die erste Hauptseite (31) innerhalb des Innengebiets (22) angeordnet ist,wobei eine zweite Schicht (54) von der zweiten Leitfähigkeitsart in dem Abschlussgebiet (24) auf der ersten Hauptseite (31) angeordnet ist, welche zweite Schicht (54) bis zu einer Tiefe (55) der zweiten Schicht (54) angeordnet ist, wobei die Tiefe (55) der zweiten Schicht (54) ab einer Ebene gemessen ist, in der die erste Hauptseite (31) innerhalb des Innengebiets (22) angeordnet ist, wobei die Tiefe (55) der zweiten Schicht (54) größer ist als die Tiefe (51) der ersten Schicht (5) und flacher als die Tiefe des Driftgebiets, wobei eine größte Dotierkonzentration der zweiten Schicht (54) geringer ist als eine größte Dotierkonzentration der ersten Schicht (5),wobei die Tiefe (51) der ersten Schicht (5) höchstens 45 µm, insbesondere höchstens 30 µm beträgt, undwobei die Tiefe (51) der ersten Schicht (5) bis zu mindestens viermal, insbesondere bis zu zehnmal, niedriger ist als die Tiefe (55) der zweiten Schicht (54).

公开(公告)号：DE112016006420T5

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：DE112016006420

申请日：2016-02-12

Applicant: ABB SCHWEIZ AG

Inventor： TOWNSEND CHRISTOPHER ,  NAMI ALIREZA ,  RAHIMO MUNAF ,  ZELAYA DE LA PARRA HECTOR ,  CANALES FRANCISCO ,  ALVES ROBERTO ,  NILSSON TORSTEN

IPC: H02P27/14 ,  H02M7/483 ,  H02M7/49

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Submodul 3 für einen Phasenzweig 2 eines kaskadierten Stromrichters. Das Submodul umfasst eine erste Halbleiterstruktur 4a, die einen ersten Strompfad durch das Submodul bildet, und eine zweite Halbleiterstruktur 4b, die parallel zu der ersten Halbleiterstruktur 4a geschaltet ist, und einen zweiten Strompfad durch das Submodul bildet. Zumindest die erste Halbleiterstruktur 4a umfasst einen Gleichstromkondensator 5 und zumindest die zweite Halbleiterstruktur 4b umfasst eine Reverse-Blocking-Anordnung 8. Das Submodul ist dazu eingerichtet, dass, wenn es im Bypass-Modus ist, Strom durch die Reverse-Blocking-Anordnung fließen kann.