Abstract:
Es wird eine Umrichterschaltung mit einem durch zwei in Serie geschaltete Kondensatoren gebildeten Gleichspannungskreis (1), mit einem ersten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk (5), mit einem zweiten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk (10) und mit einem ersten, zweiten, dritten und vierten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (S1, S2, S3, S4) und mit einem fünften und sechsten nicht ansteuerbaren unidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (S5, S6) angegeben. Zur Minimierung der Abschaltverluste an den Leistungshalbleiterschaltern (S1, S2, S3, S4) ist ein erstes Spannungsanstiegsbegrenzungsnetzwerk (15) parallel zum ersten Leistungshalbleiterschalter (S1) geschaltet und mit der Diode (9) des ersten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks (5) verbunden. Weiterhin ist ein zweites Spannungsanstiegsbegrenzungsnetzwerk (16) parallel zum vierten Leistungshalbleiterschalter (S4) geschaltet und mit der Diode (14) des zweiten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks (10) verbunden.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Spulenbauelement (6) sowie eine leistungselektronische Schaltung, wobei die leistungselektronische Schaltung einen Kondensator (2) und eine Crowbar-Schaltung (3) umfasst. Die Crowbar-Schaltung (3) umfasst: - das in Reihe zu dem Kondensator (2) geschaltetes Spulenbauelement (6), das einen Leiter aufweist, der eine Spulenwicklung mit einer Anzahl von Windungen bildet, um eine Induktivität bereitzustellen, wobei der Leiter aus paramagnetischem Material gebildet ist; - eine Schalteranordnung (4), die ausgebildet ist, um den Kondensator (2) und das Spulenbauelement (6) zu einem Schwingkreis mit einer Resonanzfrequenz zu verbinden;
wobei das Material des Leiters eine relative Permeabilität µ r aufweist, bei der der Leiter aufgrund eines auftretenden Skin-Effekts einen gegenüber dem rein Ohmschen Widerstand des Leiters erhöhten elektrischen Widerstand aufweist.
Abstract:
Es wird eine Umrichterschaltung mit einem durch zwei in Serie geschaltete Kondensatoren gebildeten Gleichspannungskreis (1), mit einem ersten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk (5), mit einem zweiten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk (10) und mit einem ersten, zweiten, dritten und vierten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (S1, S2, S3, S4) und mit einem fünften und sechsten nicht ansteuerbaren unidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (S5, S6) angegeben. Zur Minimierung der Abschaltverluste an den Leistungshalbleiterschaltern (S1, S2, S3, S4) ist ein erstes Spannungsanstiegsbegrenzungsnetzwerk (15) parallel zum ersten Leistungshalbleiterschalter (S1) geschaltet und mit der Diode (9) des ersten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks (5) verbunden. Weiterhin ist ein zweites Spannungsanstiegsbegrenzungsnetzwerk (16) parallel zum vierten Leistungshalbleiterschalter (S4) geschaltet und mit der Diode (14) des zweiten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks (10) verbunden.