-
公开(公告)号:JP2011077524A
公开(公告)日:2011-04-14
申请号:JP2010218764
申请日:2010-09-29
Applicant: Abb Technology Ag , アーベーベー テクノロジー アクチェンゲゼルシャフト
Inventor: GREUTER FELIX , HAGEMEISTER MICHAEL , BECK OLIVER , OSTERLUND RAGNAR , KESSLER RETO
IPC: H01C7/10 , C04B35/453
CPC classification number: H01C7/112 , C04B35/453 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C04B2235/85 , H01B1/08
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high field strength varistor material having a low power loss level, and further having another electric characteristic, that is, excellent performance related to, in particular, a nonlinear current-voltage curve (or each current density-field strength curve), impulse behavior, and stability of useful life.
SOLUTION: This varistor material for a surge arrester contains ZnO forming a ZnO phase and Bi expressed as Bi
2 O
3 forming an intergranular bismuth oxide phase. The varistor material further includes a spinel phase, wherein the amount of a pyrochlore phase included in the varistor material is such that the ratio of the pyrochlore phase to the spinel phase is less than 0.15.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题:为了提供具有低功率损耗水平并且还具有另一个电特性的高场强度变阻器材料,即特别是与非线性电流 - 电压曲线(或每个 电流密度场强曲线),脉冲行为和使用寿命的稳定性。 解决方案:用于电涌放电器的这种变阻器材料包含形成ZnO相的ZnO和Bi表示为形成晶间氧化铋相的Bi
O 3 SB>。 压敏电阻材料还包括尖晶石相,其中包括在可变电阻材料中的烧绿石相的量使得烧绿石相与尖晶石相的比例小于0.15。 版权所有(C)2011,JPO&INPIT -
公开(公告)号:RU2570656C2
公开(公告)日:2015-12-10
申请号:RU2010140145
申请日:2010-09-30
Applicant: ABB TECHNOLOGY AG
Inventor: GROJTER FELIKS , KHAGEMAJSTER MIKHEL , BEK OLIVER , OSTERLUND RAGNAR , KESSLER RETO
IPC: H01C7/00
Abstract: Изобретениеотноситсяк материалуваристорадляразрядника, служащегодлязащитыотперенапряжения, сцелевойнапряженностьюпереключающегополяв диапазонеот 250 до 400 В/мм. Материалваристорасодержит ZnO, образующийфазу ZnO, BiO, образующийжидкуюфазу, влияющийнаростзернав процессеспекания, атакжешпинельнуюфазу, включающуюсмесь Mn, Co, Ni иСr, атакжеможетдополнительносодержать 0,05% мол. SiO,причемколичествопирохлорнойфазы, включеннойв материалваристора, таково, чтоотношениепирохлорнойфазык шпинельнойфазесоставляетменее 0,15:1. Увеличениенапряженностипереключающегополяи снижениепотеримощностиваристораявляетсятехническимрезультатомизобретения. 3 н. и 7 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.
-
公开(公告)号:BRPI1003359A2
公开(公告)日:2013-01-22
申请号:BRPI1003359
申请日:2010-09-30
Applicant: ABB TECHNOLOGY AG
Inventor: GREUTER FELIX , HAGEMEISTER MICHAEL , BECKER OLIVER , OSTERLUND RAGNAR , KESSLER RETO
IPC: C04B35/453 , H01C7/112 , H01C17/02
-
-