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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118315267A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410018840.4
申请日：2024-01-03
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
IPC: H01L21/285 , H01L29/423 , H01L27/092 , H01L29/78
Abstract: 公开了用于形成包括阈值电压调谐层的结构的方法和系统。示例性方法包括向反应室提供处理反应物，以在衬底表面上形成处理表面，并在处理表面上沉积阈值电压调谐材料。另外或可替代地，示例性方法可以包括金属硅化物层的直接形成。另外或可替代地，示例性方法可以包括使用蚀刻剂。
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公开(公告)号：CN119663227A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411283913.9
申请日：2024-09-13
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
IPC: C23C16/44 , H01L21/02 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/515 , C23C16/24 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/26 , B05D1/00
Abstract: 本公开涉及用于在包括两个表面的衬底上选择性气相沉积抑制剂材料的方法、处理组件。在本公开的一些实施例中，抑制材料沉积在衬底的第一导电表面上，而基本没有抑制剂材料沉积在衬底的第二表面上。抑制剂材料通过使衬底与气相抑制剂反应物接触而形成，气相抑制剂反应物包含具有键合到硅原子的至少一个烷氧基的烷基硅烷。
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公开(公告)号：CN118109802A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311595776.8
申请日：2023-11-27
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/02 , C08G73/10
Abstract: 本公开涉及形成包含聚酰亚胺的有机聚合物和包含聚酰亚胺的层的方法，以及降低有机聚合物中聚酰胺酸含量的方法。本公开的实施例还涉及制造半导体器件的方法、在半导体衬底的表面上选择性沉积材料以及半导体处理组件。该方法的特征在于将含聚酰亚胺的材料比如层与改性剂接触，该改性剂增加聚酰亚胺在有机聚合物材料中的比例。
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公开(公告)号：CN119673750A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411282645.9
申请日：2024-09-13
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
Inventor： B·普罗希特 , S·阿里 , E·E·托伊斯 , M·图米恩 , C·德泽拉 , V·万达伦 , A·维亚纳 , K·K·卡谢尔 , E·J·希罗 , Y·C·张 , A·钱德拉塞卡兰
Abstract: 本公开涉及用于通过循环沉积过程相对于衬底的第二表面在衬底的第一表面上选择性地沉积有机聚合物材料的方法和处理组件。该方法包括在反应室中提供衬底，将第一气相有机反应物提供到反应室中，并将第二气相有机反应物提供到反应室中。在该方法中，第一和第二气相有机反应物在第一表面上选择性地形成有机聚合物材料；并且第一气相反应物包括含有至少两个伯胺基团的环状化合物。
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公开(公告)号：CN118053736A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311509552.0
申请日：2023-11-10
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
Abstract: 本公开涉及用于在衬底的第一表面上相对于同一衬底的第二表面选择性地沉积包含硅和氮的材料的方法和沉积组件。在本公开中，经由以下步骤通过循环沉积过程在衬底的第一表面上相对于同一衬底的第二表面选择性地沉积包含硅和氮的材料：在反应室中提供衬底；以气相将包含硅和卤素的硅前体提供到反应室中；以及以气相将氮前体提供到反应室中，从而在第一表面上形成包含硅和氮的材料。
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