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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112955822B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201980073815.3
申请日：2019-10-31
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 从EUV或DUV光刻系统中的诸如掩模板平台或晶片平台之类的刻蚀支撑件的工作表面去除污染物的装置和方法，其中将清洁衬底抵靠工作表面按压，清洁衬底设置有由所选材料制成的涂层和配置，使得污染物从工作表面转移到涂层。
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公开(公告)号：CN112955822A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980073815.3
申请日：2019-10-31
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 从EUV或DUV光刻系统中的诸如掩模板平台或晶片平台之类的刻蚀支撑件的工作表面去除污染物的装置和方法，其中将清洁衬底抵靠工作表面按压，清洁衬底设置有由所选材料制成的涂层和配置，使得污染物从工作表面转移到涂层。
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公开(公告)号：CN111095113B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201880059335.7
申请日：2018-08-14
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： D·索拉比巴巴黑德利 , K·M·利维 , 王青松
IPC: G03F7/20
Abstract: 使用研磨工具对物体保持件的支撑表面进行处理的方法，研磨工具包括用于定位在物体保持件上、并与物体保持件接触的基本平坦的表面，其中研磨工具的基本平坦的表面在基本平坦的表面的预定区域内具有选自约1nm Ra至约100nm Ra范围内的粗糙度、具有小于或等于约3000nm的平坦度，或在基本平坦的表面的预定区域内具有至少约15nm Ra的粗糙度、以及小于或等于约3000nm的平坦度。
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公开(公告)号：CN113614642A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080022466.5
申请日：2020-03-13
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20 , B82Y35/00 , G01B7/34 , G01Q20/02 , G01Q60/04 , B23K26/04 , G01B9/02 , G01B11/22 , G01Q60/22 , H01L21/687
Abstract: 一种用于去除物体的一部分的装置包括平台、量测设备、材料去除装置和致动器。量测设备包括辐射源、光学系统和检测器。材料去除装置包括细长元件和在细长元件的端部处的尖锐元件。平台支撑物体。辐射源生成辐射。光学系统将辐射指向物体的该部分。检测器接收被物体的该部分散射的辐射并且基于所接收的辐射输出数据。该数据包括物体的该部分的位置。致动器移动材料去除装置使得尖锐元件设置在物体的该部分的位置上。该装置在物体的该部分上施加力使得物体的该部分可以被移除。
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公开(公告)号：CN111095113A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059335.7
申请日：2018-08-14
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： D·索拉比巴巴黑德利 , K·M·利维 , 王青松
IPC: G03F7/20
Abstract: 使用研磨工具对物体保持件的支撑表面进行处理的方法，研磨工具包括用于定位在物体保持件上、并与物体保持件接触的基本平坦的表面，其中研磨工具的基本平坦的表面在基本平坦的表面的预定区域内具有选自约1nm Ra至约100nm Ra范围内的粗糙度、具有小于或等于约3000nm的平坦度，或在基本平坦的表面的预定区域内具有至少约15nm Ra的粗糙度、以及小于或等于约3000nm的平坦度。
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