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公开(公告)号：CN113614873B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201980087246.8
申请日：2019-11-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/147
Abstract: 公开了微结构偏转器阵列(622)，微结构偏转器阵列(622)包括多个多极结构(622‑1至622‑47)。微偏转器的偏转器阵列包括具有距阵列中心轴线第一径向偏移的第一多极结构(622‑26、……622‑47)以及具有距阵列中心轴线第二径向偏移的第二多极结构(622‑1)。第一径向偏移大于第二径向偏移，并且第一多极结构包括比第二多极结构更多数量的极电极，以在多个多极结构将多个带电粒子束偏转时减少偏转像差。微结构偏转器阵列可以被包含在多束检查装置的改进的源转换单元中。
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公开(公告)号：CN119340181A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411696009.0
申请日：2019-11-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J37/317
Abstract: 公开了包括改进的源转换单元的多束检查装置。改进的源转换单元可以包括微结构偏转器阵列，微结构偏转器阵列包括多个多极结构。微偏转器的偏转器阵列可以包括具有距阵列中心轴线第一径向偏移的第一多极结构以及具有距阵列中心轴线第二径向偏移的第二多极结构。第一径向偏移大于第二径向偏移，并且第一多极结构包括比第二多极结构更多数量的极电极，以在多个多极结构将多个带电粒子束偏转时减少偏转像差。
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公开(公告)号：CN113614873A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201980087246.8
申请日：2019-11-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/147
Abstract: 公开了微结构偏转器阵列(622)，微结构偏转器阵列(622)包括多个多极结构(622‑1至622‑47)。微偏转器的偏转器阵列包括具有距阵列中心轴线第一径向偏移的第一多极结构(622‑26、……622‑47)以及具有距阵列中心轴线第二径向偏移的第二多极结构(622‑1)。第一径向偏移大于第二径向偏移，并且第一多极结构包括比第二多极结构更多数量的极电极，以在多个多极结构将多个带电粒子束偏转时减少偏转像差。微结构偏转器阵列可以被包含在多束检查装置的改进的源转换单元中。
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公开(公告)号：CN113795459B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202080034482.6
申请日：2020-03-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本公开描述了一种具有半导体芯片的图像形成元件，半导体芯片具有微机电系统(MEMS)装置(210)和电压生成器(220)，每个电压生成器被配置为：生成由MEMS装置中的一个或多个MEMS装置使用的电压。浮置接地可以用于向由电压生成器生成的电压添加电压。半导体芯片可以包括电连接(235)，其中每个电压生成器被配置为通过电连接来向一个或多个MEMS装置提供电压。MEMS装置可以在半导体芯片中限定边界，MEMS装置、电压生成器和电连接位于该边界内。每个MEMS装置可以生成静电场以操纵多束带电粒子显微镜的电子小束。可以基于到半导体芯片中的基准位置(例如，光学轴线)的距离将MEMS装置组织成组。
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公开(公告)号：CN113795459A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080034482.6
申请日：2020-03-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本公开描述了一种具有半导体芯片的图像形成元件，半导体芯片具有微机电系统(MEMS)装置(210)和电压生成器(220)，每个电压生成器被配置为：生成由MEMS装置中的一个或多个MEMS装置使用的电压。浮置接地可以用于向由电压生成器生成的电压添加电压。半导体芯片可以包括电连接(235)，其中每个电压生成器被配置为通过电连接来向一个或多个MEMS装置提供电压。MEMS装置可以在半导体芯片中限定边界，MEMS装置、电压生成器和电连接位于该边界内。每个MEMS装置可以生成静电场以操纵多束带电粒子显微镜的电子小束。可以基于到半导体芯片中的基准位置(例如，光学轴线)的距离将MEMS装置组织成组。
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