-
公开(公告)号：CN112840270A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980066925.7
申请日：2019-09-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·加西亚格兰达 , E·G·麦克纳马拉 , 皮埃尔-伊夫·杰罗姆·伊万·吉泰 , 埃里克·若斯·安东·布劳威尔 , B·P·B·西哥斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻设备将聚焦量测图案(T)印刷在衬底上，所印刷的图案至少包括特征的第一阵列(800)。该阵列内的任何部位处的特征限定至少在第一周期性方向(X)上重复的图案，而重复图案的几何参数(w1，w3)在整个所述阵列内变化。从该阵列的在部位的选定子集(ROI)处的测量结果导出聚焦测量结果。结果，聚焦性能的测量结果所基于的几何参数能够通过选择阵列内的部位而优化。减少或消除了对优化掩模版(MA)上的目标设计的几何参数的需求。所测量的属性可以是例如不对称的和/或具有衍射效率的。可以通过暗场成像拍摄用于所有部位的所测量的属性，并且在拍摄之后选择部位的子集。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111316167B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201880054616.3
申请日：2018-07-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 光刻设备的聚焦性能是使用已曝光(1110)后的多对目标利用像差设定(例如像散)来测量的，所述像差设定在所述多对目标之间引发相对最佳的聚焦偏移。通过在FEM晶片上曝光相似的目标(1174、1172)而预先获得校准曲线(904)。在设置阶段，使用多个像差设定来获得校准曲线，且记录锚点(910)，其中所有所述校准曲线在所述锚点处相交。当测量(1192)新校准曲线时，所述锚点用以产生经调整的更新后的校准曲线(1004’)以消除聚焦漂移且可选地测量像散的漂移。本发明的另一方面(图13至图15)在每个测量结果中使用两个像差设定(+AST、‑AST)，从而减小对像散漂移的灵敏度。另一方面(图16至图17)使用通过在一个抗蚀剂层中进行的双重曝光而被印制为具有相对聚焦偏移的多对目标。
-
公开(公告)号：CN112840270B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201980066925.7
申请日：2019-09-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·加西亚格兰达 , E·G·麦克纳马拉 , 皮埃尔-伊夫·杰罗姆·伊万·吉泰 , 埃里克·若斯·安东·布劳威尔 , B·P·B·西哥斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻设备将聚焦量测图案(T)印刷在衬底上，所印刷的图案至少包括特征的第一阵列(800)。该阵列内的任何部位处的特征限定至少在第一周期性方向(X)上重复的图案，而重复图案的几何参数(w1，w3)在整个所述阵列内变化。从该阵列的在部位的选定子集(ROI)处的测量结果导出聚焦测量结果。结果，聚焦性能的测量结果所基于的几何参数能够通过选择阵列内的部位而优化。减少或消除了对优化掩模版(MA)上的目标设计的几何参数的需求。所测量的属性可以是例如不对称的和/或具有衍射效率的。可以通过暗场成像拍摄用于所有部位的所测量的属性，并且在拍摄之后选择部位的子集。
-
公开(公告)号：CN104919372A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380062245.0
申请日：2013-10-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·J·格鲁特吉恩斯 , M·加西亚格兰达 , J·克里斯特 , H·麦根斯 , 徐路
IPC: G03F7/20 , G01N21/47 , G01N21/956
CPC classification number: G01N21/95607 , G01N21/47 , G01N2021/4792 , G01N2201/06113 , G01N2201/12 , G03F7/70133 , G03F7/70558 , G03F7/70625 , G03F7/70641
Abstract: 一种确定通过使用例如光栅等周期图案的光刻过程产生的结构的光刻品质的方法检测光刻过程窗口边缘并优化过程条件。方法的步骤为：602：通过使用光栅图案的光刻过程印刷结构；604：选择第一特性，例如偏振方向，用于照射；606：用具有第一特性的入射辐射照射该结构；608：检测散射辐射：610：选择第二特性，例如不同的偏振方向，用于照射；612：用具有第二特性的入射辐射照射该结构；614：检测散射辐射；616：旋转一个或多个角度分辨光谱以排列偏振，由此校正不同偏振取向；618：确定测量的角度分辨光谱之间的差；和620：使用确定的差确定结构的光刻品质的值。
-
公开(公告)号：CN118020030A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202280065811.2
申请日：2022-09-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·加西亚格兰达 , K·H·W·范德伯斯 , J·A·T·雅各布斯 , 岳正恬
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种确定针对衬底上的至少一个目标的测量结果的校正的方法，该目标包括一个或多个感兴趣参数敏感型子目标以及一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标，感兴趣参数敏感型子目标各自对感兴趣参数敏感，感兴趣参数非敏感型子目标对感兴趣参数实质上较不敏感或不敏感，该方法包括。所述方法包括：获得与所述一个或多个感兴趣参数敏感型子目标中的每个感兴趣参数敏感型子目标相关的相应的第一测量参数值；获得与所述一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标中的每个感兴趣参数非敏感型子目标相关的相应的第二测量参数值；以及使用所述第二测量参数值确定对每个所述第一测量参数值的校正，和/或根据所述第二测量参数值检测可能影响第一测量参数值的准确性的效应的存在。
-
公开(公告)号：CN111316167A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880054616.3
申请日：2018-07-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 光刻设备的聚焦性能是使用已曝光(1110)后的多对目标利用像差设定(例如像散)来测量的，所述像差设定在所述多对目标之间引发相对最佳的聚焦偏移。通过在FEM晶片上曝光相似的目标(1174、1172)而预先获得校准曲线(904)。在设置阶段，使用多个像差设定来获得校准曲线，且记录锚点(910)，其中所有所述校准曲线在所述锚点处相交。当测量(1192)新校准曲线时，所述锚点用以产生经调整的更新后的校准曲线(1004’)以消除聚焦漂移且可选地测量像散的漂移。本发明的另一方面(图13至图15)在每个测量结果中使用两个像差设定(+AST、-AST)，从而减小对像散漂移的灵敏度。另一方面(图16至图17)使用通过在一个抗蚀剂层中进行的双重曝光而被印制为具有相对聚焦偏移的多对目标。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.04 seconds)
