公开(公告)号：US20160327871A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：US15105349

申请日：2014-11-20

Applicant: ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： Tjitte NOOITGEDAGT ,  Marc Jurian KEA

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683

Abstract: Disclosed is a method of measuring overlay between upper and lower layers on a substrate using metrology targets formed by a lithographic process. The lithographic process is of a multiple-patterning type whereby first and second distinct populations of structures are formed in a single one of said layers (L1) by respective first and second patterning steps. The metrology target (620) in the single one of said layers comprises a set of structures of which different subsets (642A, 642B) are formed in said first and second patterning steps. An overlay measurement on this target can be used to calculate a combined (average) overlay performance parameter for both of the first and second patterning steps.)

Abstract translation: 公开了一种使用由光刻工艺形成的测量目标来测量衬底上的上层和下层之间的覆盖层的方法。 光刻工艺是多重图案化形式，其中通过相应的第一和第二图案形成步骤，通过第一和第二不同的结构群体形成在单个所述层（L1）中。 所述层中的一个中的测量目标（620）包括在所述第一和第二图案化步骤中形成不同子集（642A，642B）的一组结构。 可以使用该目标上的覆盖测量来计算第一和第二图案化步骤的组合（平均）叠加性能参数。）