전산 리소그래피 마스크 모델과 관련된 전자계를 결정하는 방법

    公开(公告)号:KR20200140361A

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:KR20207032118

    申请日:2019-04-16

    Abstract: 본명세서에는패터닝프로세스의마스크모델과관련된전자계를결정하는방법이기재되어있다. 본방법은관심마스크스택영역및 관심마스크스택영역에대응하는상호작용차수를획득하는단계를포함한다. 관심마스크스택영역은하위영역들로분할된다. 관심마스크스택영역은관심마스크스택영역을통한전자파의전파와관련된하나이상의특성을갖는다. 본방법은맥스웰방정식및 양자슈레딩거방정식에기초한하나이상의전자계결정식을생성하는단계를포함한다. 본방법은하나이상의전자계결정식을사용하여, 관심마스크스택영역의하위영역들및 관심마스크스택영역을통한전자파의전파와관련된특성에기초하여관심마스크스택영역과관련된전자계를결정하는단계를포함한다.

Patent Agency Ranking