公开(公告)号：US20160266483A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：US15034105

申请日：2014-10-14

Applicant: ASML Netherlands B.V.

Inventor： Eelco VAN SETTEN ,  Natalia Viktorovna DAVYDOVA ,  Eleni PSARA ,  Anton Bernhard VAN OOSTEN

IPC: G03F1/24 ,  G03F7/20 ,  G03F1/70

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/22 ,  G03F1/38 ,  G03F1/44 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70683

Abstract: A method of characterizing a lithographic mask type uses a mask having thereon test pattern units of linear features at different orientations. The mask is exposed, rotated by angle, exposed again, rotated by a further angle, exposed, etc. The printed features are measured to determine one or more characteristics of the mask. The method can be used to model shadowing effects of a EUV mask with a thick absorber illuminated at an angle.

Abstract translation: 表征平版印刷掩模类型的方法使用其上具有不同取向的线性特征的测试图案单元的掩模。 掩模被暴露，旋转角度，再次暴露，旋转另一角度，暴露等。测量印刷特征以确定掩模的一个或多个特性。 该方法可用于模拟EUV掩模的阴影效应，其中一个厚度的吸收体以一个角度照射。