公开(公告)号：CN102017131A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114217.2

申请日：2009-03-19

Applicant: ATI技术无限责任公司

Inventor： R·托帕奇勒 ,  A·兹布泽宗

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/16 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L23/16 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/3457 ,  H05K2201/09136 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2203/043 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明揭露不同的具有补强的半导体芯片封装及其制造方法。在一方面，本发明提供的制造方法包含提供封装衬底，所述封装衬底具有第一侧以及和所述第一侧对立的第二侧。所述第一侧具有中心区域，用以接收半导体芯片。在所述中心区域外部的封装衬底的所述第一侧上，形成焊料补强结构，以抵抗所述封装衬底的弯曲。

公开(公告)号：CN102017131B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200980114217.2

申请日：2009-03-19

Applicant: ATI技术无限责任公司

Inventor： R·托帕奇勒 ,  A·兹布泽宗

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/16 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L23/16 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/3457 ,  H05K2201/09136 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2203/043 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明揭露不同的具有补强的半导体芯片封装及其制造方法。在一方面，本发明提供的制造方法包含提供封装衬底，所述封装衬底具有第一侧以及和所述第一侧对立的第二侧。所述第一侧具有中心区域，用以接收半导体芯片。在所述中心区域外部的封装衬底的所述第一侧上，形成焊料补强结构，以抵抗所述封装衬底的弯曲。