公开(公告)号：CN104885204B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201380060803.X

申请日：2013-11-15

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 林昌伸 ,  长原达郎

IPC: H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768

CPC classification number: C01B33/12 ,  B05D3/007 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224

Abstract: 通过如下的工序形成高纯度且蚀刻速率迟缓的二氧化硅质膜：(a)通过将聚硅氮烷、例如全氢聚硅氮烷的溶液涂布于基板然后在氧化气氛下进行固化(硬化)，或者通过将利用溶胶‑凝胶法形成的二氧化硅溶液涂布于基板，从而在基板上形成二氧化硅质膜的工序；以及(b)将该二氧化硅质膜在包含烷基胺那样的碱解离常数(pKb)为4.5以下的含氮化合物或者F2、Br2、NF3那样的卤素原子的键能为60kcal/mol以下的含卤素化合物的非活性气体气氛下加热而退火的工序。

公开(公告)号：CN104885204A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380060803.X

申请日：2013-11-15

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 林昌伸 ,  长原达郎

IPC: H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768

CPC classification number: C01B33/12 ,  B05D3/007 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224

Abstract: 通过如下的工序形成高纯度且蚀刻速率迟缓的二氧化硅质膜：(a)通过将聚硅氮烷、例如全氢聚硅氮烷的溶液涂布于基板然后在氧化气氛下进行固化(硬化)，或者通过将利用溶胶-凝胶法形成的二氧化硅溶液涂布于基板，从而在基板上形成二氧化硅质膜的工序；以及(b)将该二氧化硅质膜在包含烷基胺那样的碱解离常数(pKb)为4.5以下的含氮化合物或者F2、Br2、NF3那样的卤素原子的键能为60kcal/mol以下的含卤素化合物的非活性气体气氛下加热而退火的工序。