Abstract:
L'invention concerne un procédé de formation de films céramiques supraconducteurs. Le procédé comprend l'électrodéposition d'un mélange de métaux du type pouvant être oxydé en céramique supraconductrice. Ensuite, les métaux déposés sont oxydés pour former le dépôt céramique supraconducteur. Les dépôts obtenus par ce procédé sont également décrits.
Abstract:
La présente invention se rapporte à une amélioration apportée à un procédé de formation de dépôts de céramiques supraconductrices. De telles céramiques sont généralement formées par électrodéposition d'un mélange de métaux du type supraconducteur dans des proportions suffisantes pour en faire par oxydation une substance céramique; par oxydation du mélange électrodéposé dans des conditions suffisantes pour produire un dépôt céramique supraconducteur; et par orientation des cristallites dans le dépôt céramique supraconducteur. L'orientation des cristallites peut être effectuée avant, après ou pendant la phase d'oxydation.
Abstract:
The invention relates to an improvement in a method of forming deposits of superconducting ceramics. Generally, such ceramics are formed by electrodepositing a mixture of metals of the type and in proportions sufficient to be oxidized into ceramic; oxidizing the electrodeposited mixture under conditions sufficient to result in a superconducting ceramic deposit; and orienting the crystallites in said superconducting ceramic deposit. Crystallite orientation may take place before, after or during the oxidation step.