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    1.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT520158T

    公开(公告)日：2011-08-15

    申请号：AT07728760

    申请日：2007-05-03

    Applicant: BASF SE

    Inventor： KOENEMANN MARTIN ,  ERK PETER ,  LING MANG-MANG ,  BAO ZHENAN

    IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30

    Abstract: A method for producing an organic field-effect transistor, comprising the steps of: a) providing a substrate comprising a gate structure, a source electrode and a drain electrode located on the substrate, and b) applying an n-type organic semiconducting compound to the area of the substrate where the gate structure, the source electrode and the drain electrode are located, wherein the n-type organic semiconducting compound is selected from the group consisting of compounds of the formula I wherein R1, R2, R3and R4are independently hydrogen, chlorine or bromine, with the proviso that at least one of these radicals is not hydrogen, Y1 is O or NRa, wherein Ra is hydrogen or an organyl residue, Y2 is O or NRb, wherein Rb is hydrogen or an organyl residue, Z1, Z2, Z3 and Z4 are O, where, in the case that Y1 is NRa, one of the residues Z1 and Z2 may be a NRc group, where Ra and Rc together are a bridging group having 2 to 5 atoms between the terminal bonds, where, in the case that Y2 is NRb, one of the residues Z3 and Z4 may be a NRd group, where Rb and Rd together are a bridging group having 2 to 5 atoms between the terminal bonds.

    METODO PARA PRODUCIR TRANSISTORES ORGANICOS DE EFECTO DE CAMPO.
    2.
    发明专利
    METODO PARA PRODUCIR TRANSISTORES ORGANICOS DE EFECTO DE CAMPO. 未知

    公开(公告)号：ES2370857T3

    公开(公告)日：2011-12-23

    申请号：ES07728760

    申请日：2007-05-03

    Applicant: BASF SE ,  UNIV LELAND STANFORD JUNIOR

    Inventor： KOENEMANN MARTIN ,  ERK PETER ,  LING MANG-MANG ,  BAO ZHENAN

    IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30

    Abstract: Un método para producir un transistor orgánico de efecto de campo, que comprende las etapas de: a) proveer un sustrato que contiene una estructura de compuerta, un electrodo fuente y un electrodo de drenaje localizados sobre el sustrato, y b) aplicar un compuesto semiconductor orgánico tipo n al área del sustrato donde la estructura de compuerta, el electrodo fuente y el electrodo de drenaje están localizados, caracterizado porque el compuesto orgánico semiconductor de tipo n se selecciona de los compuestos de la fórmula I en donde R 1 , R 2 , R 3 and R 4 son independientemente hidrógeno, cloro o bromo, con la condición de que al menos uno de estos radicales no sea hidrógeno. Y 1 es NR a , en donde R a es hidrógeno, Y 2 es NR b , en donde R b es hidrógeno, Z 1 , Z 2 , Z 3 y Z 4 son O.

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