公开(公告)号：RU2553774C2

公开(公告)日：2015-06-20

申请号：RU2012139358

申请日：2011-02-16

Applicant: BASF SE

Inventor： KLJAJNE JEGER FRANK ,  KACHUN JURGEN ,  KHERMES SHTEFAN

IPC: H01L31/05

Abstract: Согласноизобретениюпредложенспособсозданияэлектропроводныхскреплениймеждусолнечнымиэлементами, включающийпереносадгезива, содержащегоэлектропроводныечастицы, сносителянасубстратпосредствомоблученияносителялазером, частичнойсушкии/илиотвержденияадгезива, перенесенногонасубстрат, сформированиемадгезивногослоя, скрепленияадгезивас электрическимсоединениеми отвержденияадгезивногослоя. Такжесогласноизобретениюпредложенсоставадгезивадляописанноговышеспособа. Изобретениеобеспечиваетвозможностьсозданияэлектрическихконтактовв солнечныхэлементах, вкоторыхэлектропроводныеконтактымогутбытьсозданыбезиспользованияжидкихметаллическихприпоеви вкоторыхвозможнымявляетсяточноеразмещениеместконтактов. 2 н. и 13 з.п. ф-лы.

公开(公告)号：RU2505889C2

公开(公告)日：2014-01-27

申请号：RU2011101492

申请日：2009-06-09

Applicant: BASF SE

Inventor： LOKHTMAN RENE ,  VAGNER NORBERT ,  KACHUN JURGEN ,  PFISTER JURGEN ,  LEMANN UDO

IPC: H01L31/18

Abstract: Изобретениекасаетсяспособаизготовленияэлектродовдлясолнечныхбатарей, вкоторомэлектродвыполненв видеэлектропроводящегослоянаоснове (1) длясолнечныхбатарей, напервомэтапес носителя (7) наоснову (1) переносятдисперсию, содержащуюэлектропроводящиечастицы, посредствомоблучениядисперсиилазером (9), анавторомэтапесушати/илиотверждаютперенесеннуюнаоснову (1) дисперсиюв целяхобразованияэлектропроводящегослоя. Способизготовленияэлектродовдлясолнечныхбатарейсогласноизобретениюпозволяетформироватьэлектропроводящийслойс оченьтонкойструктурой, реализуетсяпростымобразом, безиспользованиябольшихколичествэкологическивредныхвеществ. 16 з.п. ф-лы, 1 ил.

公开(公告)号：RU2420616C2

公开(公告)日：2011-06-10

申请号：RU2008145108

申请日：2007-04-17

Applicant: BASF SE

Inventor： LOKHTMAN RENE ,  KACHUN JURGEN ,  SHNAJDER NORBERT ,  PFISTER JURGEN ,  POL GERT ,  VAGNER NORBERT

IPC: C25D7/00 ,  C25D7/06 ,  C25D17/00

Abstract: Изобретениеотноситсяк областигальванотехникии можетбытьиспользованопринанесениипокрытиянаэлектропроводящийсубстратилинаструктурированнуюилисплошнуюэлектропроводящуюповерхностьнасубстрате, необладающемэлектропроводностью. Устройствосодержитпоменьшеймереоднуванну, одинаноди одинкатод, причемваннасодержитрастворэлектролита, изкоторогонаэлектропроводящиеповерхностисубстратаоседаютионыметалла, покакатоднаходитсяв контактес подлежащейпокрытиюповерхностьюсубстрата, асубстратперемещаютчерезванну, причемв составкатодавходитпоменьшеймереодналентас однимэлектропроводящимучастком, котораяобегаетпоменьшеймередвавращающихсявала, ипричемнескольколентрасполагаютдругзадругомсосдвигом. Способреализуютв устройствесогласноизобретению, причемнасубстратнакладываютленту, котораяобращаетсяс такойжескоростью, каки та, скоторойсубстратпроходитчерезванну. Изобретениекасаетсятакжепримененияустройствасогласноизобретениюдлянанесенияпокрытиянаэлектропроводящиеструктурынанеобладающемэлектропроводимостьюносителе. Техническийрезультат: изобретениепозволяетнаноситьтолстыеслоиметалловнакороткиеструктуры. 7 н. и 21 з.п. ф-лы, 18 ил.

公开(公告)号：RU2394402C1

公开(公告)日：2010-07-10

申请号：RU2009107276

申请日：2007-07-31

Applicant: BASF SE

Inventor： LOKHTMAN RENE ,  KACHUN JURGEN ,  SHNAJDER NORBERT ,  PFISTER JURGEN ,  VAGNER NORBERT ,  KHENTSHEL DITER

IPC: H05K3/24 ,  H05K3/46

Abstract: Изобретениеотноситсяк способуизготовленияструктурированныхи/илиголоэдрических, проводящихтокповерхностей (3, 11), расположенныхнанепроводящейэлектрическийтокподложке, прикоторомнапервомэтапенаносятсянаподложку (1) поверхности (3) первогоуровня, навторомэтапенаноситсяизолирующийслой (9) наместа, накоторыхструктурированныеи/илиголоэдрические, проводящиеэлектрическийтокповерхности (11) второгоуровняпересекаютструктурированныеи/илиголоэдрическиепроводящиеэлектрическийтокповерхности (3) первогоуровня, приэтомнедолжноосуществлятьсяникакогоэлектрическогоконтактамеждуструктурированнымии/илиголоэдрическими, проводящимиэлектрическийтокповерхностямипервогоуровня (3) ивторогоуровня (11), натретьемэтапев соответствиис первымэтапомнаносятсяструктурированныеи/илиголоэдрические, проводящиеэлектрическийтокповерхности (11) второгоуровняи принеобходимостиповторяютсявторойи третийэтапы. Крометого, структурированныеи/илиголоэдрическиепроводящиеэлектрическийтокповерхностиимеюттолщинуслояв диапазонеот 0,05 до 25 µм. Техническимрезультатомизобретенияявляетсяразработкаспособаполученияплоскихпечатныхплатс проводящимиповерхностямиболеевысокойплотностис меньшейобщейтолщинойприпростотеизготовления. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 4 ил.

公开(公告)号：RU2504479C2

公开(公告)日：2014-01-20

申请号：RU2011129397

申请日：2009-12-14

Applicant: BASF SE

Inventor： KLJAJNE JEGER FRANK ,  KACHUN JURGEN ,  LEMANN UDO

IPC: B41J3/54

Abstract: Изобретениеотноситсяк способудляпечатаниянаосновев печатноймашинеи печатноймашинедляегореализации. Краскас гибкогоносителяпереноситсянаосновув соответствиис заданнымрисункомс помощьютого, чтоэнергияустройствомдлянаправленияэнергиичерезгибкийносительнаправляетсяв краску, частькраскив областивоздействияэнергиииспаряетсяи благодаряэтомукаплякраскинабрасываетсянаосновудляосуществленияпечати, этотэтапповторяетсяпоменьшеймереодинраз, причемкраскадляусилениясозданногорисункапоменьшеймеречастичнонаноситсянаодинаковыеместанаоснове. Основавовремяпечатаниятранспортируетсячерезпечатнуюмашину, иустройстводлянаправленияэнергиипослепереносакраскинаэтапе (а) управляетсятак, чтокраскаприповторениинаэтапе (b) сновананоситсянатежеместа, какнаэтапе (а). Техническийрезультат - обеспечениевозможностиварьированияколичествомслоевкраски, подлежащейнанесениюприпечати, атакжеповышениеточностипечати. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 2 ил.

公开(公告)号：RU2436266C2

公开(公告)日：2011-12-10

申请号：RU2009100627

申请日：2007-06-11

Applicant: BASF SE

Inventor： LOKHTMAN RENE ,  KACHUN JURGEN ,  SHNAJDER NORBERT ,  PFISTER JURGEN ,  VAGNER NORBERT ,  KHENTSHEL DITER

IPC: H05K3/10

Abstract: Изобретениеотноситсяк способуизготовленияэлектропроводящихповерхностей, структурированныхилисплошных, наносителе. Согласноизобретению, способизготовленияэлектропроводящихповерхностей, структурированныхилисплошных, наносителевключаетв себяследующиеэтапы: a) нанесениенаносительструктурированногоилисплошногоосновногослояс дисперсией, содержащейчастицыжелезав материалематрикса, b) поменьшеймеречастичноезатвердеваниематериаламатриксаи/илиегосушка, c) поменьшеймеречастичноевысвобождениеэлектропроводящихчастицпосредствомпоменьшеймеречастичногосъемазатвердевшегоиливысохшегоматрикса, d) образованиенаструктурированномилисплошномосновномслоеслояметаллапутемпокрытиябезтокаи/илипокрытиягальваническимспособом. Техническимрезультатомявляетсягомогенностьи непрерывностьпокрытия, высокаянадежностьпроцесса. 2 н. и 21 з.п. ф-лы.