公开(公告)号：DE102008042008B4

公开(公告)日：2020-11-05

申请号：DE102008042008

申请日：2008-09-12

Applicant: BASF SE

Inventor： HEILEK JÖRG ,  SCHLEMMER PETER DR ,  HAMMON ULRICH DR ,  MÜLLER-ENGEL KLAUS-JOACHIM DR

IPC: B01D9/02 ,  C07C57/07

Abstract: Verfahren zur kontinuierlichen Abtrennung eines Zielproduktes X in Form von feinteiligem Kristallisat des Zielproduktes X aus einer das Zielprodukt X sowie vom Zielprodukt X verschiedene Bestandteile enthaltenden flüssigen Phase P mit Hilfe eines einen Sekundärraum und wenigstens einen Primärraum aufweisenden indirekten Wärmeaustauschers, bei dem der Sekundärraum und der wenigstens eine Primärraum jeweils durch wenigstens eine materielle Trennwand, die als Fläche zum Übertragen von Wärme aus dem Sekundärraum heraus in den wenigstens einen Primärraum hinein dient, räumlich voneinander getrennt sind, bei dem man in den Sekundärraum des indirekten Wärmeaustauschers kontinuierlich flüssige Phase P hineinführt, während der wenigstens eine Primärraum gleichzeitig von wenigstens einem fluiden Kühlmedium so durchströmt wird, dass sich im Sekundärraum unter Verbleib einer flüssigen Restphase R aus der flüssigen Phase P heraus feinteiliges Kristallisat des Zielproduktes X bildet, das in der verbliebenen flüssigen Restphase R, die im Vergleich mit der flüssigen Phase P die vom Zielprodukt X verschiedenen Bestandteile angereichert enthält und deren Gehalt an Zielprodukt X wenigstens 70 Gew.-% beträgt, unter Erhalt einer einen Kristallisationsgrad Y aufweisenden Suspension S von feinteiligem Kristallisat des Zielproduktes X in der flüssigen Restphase R, suspendiert wird, und aus dem Sekundärraum des indirekten Wärmeaustauschers kontinuierlich Suspension S herausführt, dadurch gekennzeichnet, dass man zur Einstellung des gewünschten Kristallisationsgrades Y der aus dem Sekundärraum des indirekten Wärmeaustauschers herausgeführten Suspension S den zum jeweiligen Betriebszeitpunkt mit Hilfe eines Prozessrechners ermittelten Unterschied zwischen dem dem Kristallisationsgrad Y entsprechend sich im Sekundärraum rechnerisch entwickelnden Kristallisationswärmestrom Q̇̇Kr,Yund der Differenz, gebildet zwischen dem aus dem Sekundärraum des indirekten Wärmeaustauschers ansonsten insgesamt herausgeführten Wärmestrom Q̇nusund dem in den Sekundärraum des indirekten Wärmeaustauschers ansonsten insgesamt hineingeführten Wärmestrom Q̇einheranzieht.