公开(公告)号：WO2013093113A2

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/EP2012076872

申请日：2012-12-24

Applicant: BT3 TECHNOLOGIES

Inventor： SAMAIN DANIEL ,  STINGA NICOLETA CAMELIA

IPC: B05D1/28 ,  B05D5/08 ,  C08J5/18 ,  C08J7/14 ,  D21H21/16

CPC classification number: B05D1/28 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0473 ,  B05D5/08 ,  B05D2252/02 ,  C08J7/14 ,  D21H17/11 ,  D21H17/14 ,  D21H19/20 ,  D21H25/02 ,  D21H25/04 ,  D21H27/10

Abstract: The invention relates to a method for treating a substrate (1) having a hydroxylated surface (Sh) by means of chromatogenic grafting, characterized in that it includes the following consecutive steps: continuously depositing a grafting reagent onto a moving so-called emitting mounting (2), said mounting being separate from the substrate (1) to be treated; juxtaposing said emitting mounting (2) with at least part of the hydroxylated surface (Sh) of the substrate (1) at a temperature suitable for causing the transfer of the reagent from the emitting mounting to the substrate, and for causing the grafting reaction of the reagent onto the hydroxyl groupings of the surface (Sh) of the substrate (1) over a period of time suitable for the occurrence of the grafting reaction and under ventilation conditions suitable for discharging the products of the grafting reaction; and separating the emitting mounting (2) and the substrate (1).

Abstract translation: 本发明涉及一种通过色差接枝处理具有羟基化表面（Sh）的基底（1）的方法，其特征在于它包括以下连续步骤：将接枝试剂连续沉积到移动的所谓的发射安装（ 2），所述安装件与待处理的基板（1）分离; 将所述发射安装件（2）与基材（1）的羟基化表面（Sh）的至少一部分在适于使试剂从发射安装物转移到基材的温度下并入，并引起接枝反应 所述试剂在适于发生接枝反应的时间段内和在适于排出接枝反应产物的通气条件下在基材（1）的表面（Sh）的羟基上; 以及分离所述发射安装件（2）和所述基板（1）。

公开(公告)号：FR2984770A1

公开(公告)日：2013-06-28

申请号：FR1162298

申请日：2011-12-22

Applicant: BT3 TECHNOLOGIES

Inventor： SAMAIN DANIEL ,  STINGA NICOLETA CAMELIA

IPC: B05D5/00

Abstract: L'invention concerne un procédé de traitement par greffage chromatogénique d'un substrat (1) présentant une surface hydroxylée (Sh), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes successives suivantes : - dépôt en continu d'un réactif de greffage sur un support (2), dit support émetteur, en défilement, ledit support (2) étant distinct du substrat (1) à traiter, - juxtaposition dudit support émetteur (2) à au moins une partie de la surface hydroxylée (Sh) du substrat (1), à une température adaptée pour provoquer le transfert du réactif du support émetteur vers le substrat et la réaction de greffage du réactif sur les groupements hydroxyles de la surface (Sh) du substrat (1), pendant une durée adaptée au développement de la réaction de greffage et dans des conditions de ventilation adaptées à l'évacuation des produits de la réaction de greffage, - séparation du support émetteur (2) et du substrat (1).