公开(公告)号：WO2003015118A2

公开(公告)日：2003-02-20

申请号：PCT/US2002/024462

申请日：2002-08-02

Applicant: CANDESCENT TECHNOLOGIES CORPORATION

Inventor： LEE, Jueng-Gil ,  FAHLEN, Theodore, S.

IPC: H01J9/00

CPC classification number: H01J9/32 ,  H01J9/261 ,  H01J2209/268

Abstract: A method for attaching a faceplate and a backplate of a field emission display device.Specifically, one embodiment of the present invention discloses a method for protecting asilicon nitride passivation layer from reacting with a glass frit sealing material that contains lead oxide during an oven sealing or laser sealing process. The passivation layer protectsrow and column electrodes in the display device. A barrier material fully encapsulates the silicon nitride passivation layer. In one embodiment, silicon dioxide is the barrier material.In another embodiment, spin-on-glass is the barrier material. In still another embodiment, cermet is the barrier material.

Abstract translation: 一种用于附接场致发射显示装置（200）的面板和背板（205）的方法。 具体地，本发明的一个实施例公开了一种用于保护氮化硅钝化层（290）与在炉密封或激光密封过程（350）期间含有氧化铅的玻璃密封件密封材料（260）的反应。 钝化层（290）保护显示装置（200）中的行和列电极（220,230）。 阻挡材料（280）完全封装氮化硅钝化层（290）。 在一个实施例中，二氧化硅是阻挡材料（280）。 在另一个实施方案中，旋涂玻璃是阻挡材料（280）。 在另一个实施方案中，金属陶瓷是阻挡材料（280）。

公开(公告)号：WO2003030202A1

公开(公告)日：2003-04-10

申请号：PCT/US2002/029393

申请日：2002-09-16

Applicant: CANDESCENT TECHNOLOGIES CORPORATION

Inventor： LEE, Jueng-Gil ,  BONN, Matthew, A.

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025

Abstract: A method of forming a field emission display device comprising a gate layer (MG1), an interlayer dielectric (ILD1) separating the gate and cathode electrode (M1) comprising forming a blanket layer of polycarbonate over the gate layer implanted with ion tracks to form a mask, and etching the gate layer and cathode cavity (T1) with an etchant comprising, octafluorocyclobutane, that is selective with respect to silicon dioxide (ILD1) so that a silicon nitride passivation layer (PA2) need not be protected by another passivation layer prior to the etching step.

Abstract translation: 一种形成场致发射显示装置的方法，包括栅极层MG1，分离栅极和阴极电极M1的层间电介质ILD1，包括在注入离子轨迹的栅极层上形成聚碳酸酯的覆盖层以形成掩模，并蚀刻栅极 具有包括八氟环丁烷的蚀刻剂的层和阴极腔T1，其相对于二氧化硅ILD1是选择性的，使得氮化硅钝化层PA2在蚀刻步骤之前不需要被另一钝化层保护。