公开(公告)号：TW200410322A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：TW091135385

申请日：2002-12-05

Applicant: CBL技術股份有限公司 CBL TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 格林‧所羅門 ,  大衛‧米勒

IPC: H01L

Abstract: 在此揭露一種製造無裂痕週期表第III族氮化物層體之方法。該方法藉由在一初始基底上成長一無裂痕之週期表第III族氮化物之第一層體來進行。接著，使第一層體之晶格與初始基底之晶格之間部分地至完全地喪失結合性。然後成長一第二層體，以構成一複合層體，而不使第一層體與初始基底分離，其中該複合層體包括第一層體及第二層體，且該第一層體係介於第二層體與初始基底之間。接著，初始基底可以與複合層體完全分離，以製造出獨立無裂痕之週期表第III族氮化物層體。

Abstract in simplified Chinese: 在此揭露一种制造无裂痕周期表第III族氮化物层体之方法。该方法借由在一初始基底上成长一无裂痕之周期表第III族氮化物之第一层体来进行。接着，使第一层体之晶格与初始基底之晶格之间部分地至完全地丧失结合性。然后成长一第二层体，以构成一复合层体，而不使第一层体与初始基底分离，其中该复合层体包括第一层体及第二层体，且该第一层体系介于第二层体与初始基底之间。接着，初始基底可以与复合层体完全分离，以制造出独立无裂痕之周期表第III族氮化物层体。