PROCEDE DE STRUCTURATION ELECTROCHIMIQUE D'UN MATERIAU CONDUCTEUR OU SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE MISE EN OEUVRE
    1.
    发明申请
    PROCEDE DE STRUCTURATION ELECTROCHIMIQUE D'UN MATERIAU CONDUCTEUR OU SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE MISE EN OEUVRE 审中-公开
    用于电化学结构导体或半导体材料的方法,以及用于实现其的装置

    公开(公告)号:WO2007099210A1

    公开(公告)日:2007-09-07

    申请号:PCT/FR2007/000211

    申请日:2007-02-06

    Inventor: BUTTARD, Denis

    Abstract: L'invention propose un procédé et un dispositif de micro et/ou nano-structuration électrochimique fiable, rapide, simple, facile à mettre en œuvre et reproductible. A cette fin, l'invention a pour objet un procédé de structuration électrochimique d'un échantillon (12) en un matériau conducteur ou semi-conducteur et comprenant deux faces opposées avant (11) et arrière (13). Le procédé comprend les étapes consistant à mettre au moins la face avant (11) de l'échantillon (12) en contact avec au moins une solution électrolytique (4) stockée dans au moins un réservoir (3), à disposer au moins une contre-électrode (6) dans l'électrolyte (4) en regard de la face avant (11) de l'échantillon (12) qui doit être structurée, à disposer au moins une électrode de travail (7) en contact ohmique sec avec la face arrière (13) de l'échantillon (12) et présentant des motifs de structuration (14), et à appliquer un courant électrique entre les deux électrodes pour obtenir une réaction électrochimique à l'interface de la face avant (11) de l'échantillon (12) et de l'électrolyte (4) avec une densité de courant qui est modulée par les motifs de structuration (14) de l'électrode de travail (7) pour former une gravure ou un dépôt sur la face avant (11) de l'échantillon (12).

    Abstract translation: 本发明提供了用于可靠,快速,简单,容易实现和可再现的电化学微结构和/或纳米结构的方法和装置。 为此,本发明的主题是用于电化学构造由导电或半导体材料制成的试样(12)的方法,并且包括两个相对的面,即前表面(11)和后表面(13)。 该方法包括以下步骤:至少使样本(12)的前表面(11)与存储在至少一个储存器(3)中的至少一个电解液(4)接触; 将至少一个反电极(6)放置在与必须构造的样品(12)的前表面(11)相对的电解质(4)中; 在将至少一个工作电极(7)放置在与所述试样(12)的后表面(13)干欧欧接触的位置上,所述工作电极具有结构特征(14); 并且在两个电极之间施加电流以在样品(12)的前表面(11)和电解质(4)之间的界面处获得电化学反应,其电流密度被结构化 工件电极(7)的特征(14),以便从样品(12)的正面(11)上蚀刻材料或沉积材料。

    PROCEDE DE STRUCTURATION ELECTROCHIMIQUE D'UN MATERIAU CONDUCTEUR OU SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE MISE EN OEUVRE
    2.
    发明授权
    PROCEDE DE STRUCTURATION ELECTROCHIMIQUE D'UN MATERIAU CONDUCTEUR OU SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE MISE EN OEUVRE 有权
    方法电化学结构的梯子或半导体材料的及其装置

    公开(公告)号:EP1999302B1

    公开(公告)日:2009-08-19

    申请号:EP07730927.6

    申请日:2007-02-06

    Inventor: BUTTARD, Denis

    Abstract: The invention provides a method and a device for reliable, rapid, simple, easily implementable and reproducible electrochemical microstructuring and/or nanostructuring. For this purpose, the subject of the invention is a method for electrochemically structuring a specimen (12) made of a conductive or semiconductor material and comprising two opposed faces, a front face (11) and a rear face (13). The method comprises the steps consisting: in bringing at least the front face (11) of the specimen (12) into contact with at least one electrolytic solution (4) stored in at least one reservoir (3); in placing at least one counterelectrode (6) in the electrolyte (4) opposite the front face (11) of the specimen (12) that has to be structured; in placing at least one working electrode (7) in dry ohmic contact with the rear face (13) of the specimen (12), said working electrode having structuring features (14); and in applying an electric current between the two electrodes in order to obtain an electrochemical reaction at the interface between the front face (11) of the specimen (12) and the electrolyte (4), with a current density that is modulated by the structuring features (14) of the working electrode (7) in order to etch material from or deposit material on the front face (11) of the specimen (12).

    PROCEDE DE STRUCTURATION ELECTROCHIMIQUE D'UN MATERIAU CONDUCTEUR OU SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE MISE EN OEUVRE
    3.
    发明公开
    PROCEDE DE STRUCTURATION ELECTROCHIMIQUE D'UN MATERIAU CONDUCTEUR OU SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE MISE EN OEUVRE 有权
    方法电化学结构的梯子或半导体材料的及其装置

    公开(公告)号:EP1999302A1

    公开(公告)日:2008-12-10

    申请号:EP07730927.6

    申请日:2007-02-06

    Inventor: BUTTARD, Denis

    Abstract: The invention provides a method and a device for reliable, rapid, simple, easily implementable and reproducible electrochemical microstructuring and/or nanostructuring. For this purpose, the subject of the invention is a method for electrochemically structuring a specimen (12) made of a conductive or semiconductor material and comprising two opposed faces, a front face (11) and a rear face (13). The method comprises the steps consisting: in bringing at least the front face (11) of the specimen (12) into contact with at least one electrolytic solution (4) stored in at least one reservoir (3); in placing at least one counterelectrode (6) in the electrolyte (4) opposite the front face (11) of the specimen (12) that has to be structured; in placing at least one working electrode (7) in dry ohmic contact with the rear face (13) of the specimen (12), said working electrode having structuring features (14); and in applying an electric current between the two electrodes in order to obtain an electrochemical reaction at the interface between the front face (11) of the specimen (12) and the electrolyte (4), with a current density that is modulated by the structuring features (14) of the working electrode (7) in order to etch material from or deposit material on the front face (11) of the specimen (12).

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